RCW600

Бу җиһазлар сериясе каплау материалларын нанометр зурлыктагы кисәкчәләргә әверелдерү өчен магнитрон максатларын куллана, алар нечкә пленкалар формалаштыру өчен субстратлар өслегенә салынган.Тотылган фильм вакуум камерасына урнаштырылган.Электр белән идарә итү структурасы аша бер оч фильмны ала, икенчесе фильмны куя.Ул максатчан мәйдан аша узуны дәвам итә һәм тыгыз фильм формалаштыру өчен максат кисәкчәләрен ала.
Характеристика:

1. Түбән температуралы фильм формалаштыру.Температура фильмга аз тәэсир итә һәм деформация китермәячәк.Бу PET, PI һәм башка төп материал кәтүк фильмнары өчен яраклы.
2. Фильм калынлыгы эшләнергә мөмкин.Нечкә яки калын капламалар конструкцияләнергә һәм процессны көйләргә мөмкин.
3. Берничә максатлы урнашу дизайны, сыгылучан процесс.Бөтен машина сигез мишень белән җиһазландырылырга мөмкин, алар гади металл яисә кушылма һәм оксид мишень буларак кулланылырга мөмкин.Аны бер структуралы бер катлы фильмнар яки композицион структуралы күп катламлы фильмнар әзерләү өчен кулланырга мөмкин.Бу процесс бик сыгылучан.

Equipmentиһаз электромагниттан саклаучы пленка, сыгылмалы схема тактасы каплавы, төрле диэлектрик фильмнар, күп катламлы AR антирефлекция фильмы, HR югары антирефлекция фильмы, төсле пленка һ.б. әзерли ала. бер тапкыр фильм урнаштыру белән тәмамланырга мөмкин.
Theиһазлар Al, Cr, Cu, Fe, Ni, SUS, TiAl һ.б. кебек гади металл максатларны яки SiO2, Si3N4, Al2O3, SnO2, ZnO, Ta2O5, ITO, AZO һ.б.

Theиһазлар зурлыгы кечкенә, структура дизайнында компакт, идән мәйданында кечкенә, энергия куллану аз, көйләүдә сыгылмалы.Бу процесс тикшеренүләре һәм эшкәртү яки кечкенә партия массасы җитештерү өчен бик яраклы.