RCW600

Սարքավորումների այս շարքը օգտագործում է մագնետրոնային թիրախներ՝ ծածկույթի նյութերը նանոմետրի չափով մասնիկների վերածելու համար, որոնք նստում են ենթաշերտերի մակերեսին՝ բարակ թաղանթներ ձևավորելու համար:Գլորված ֆիլմը տեղադրվում է վակուումային խցիկում:Էլեկտրական շարժիչով ոլորուն կառուցվածքի միջոցով մի ծայրը ստանում է ֆիլմը, իսկ մյուսը դնում է ֆիլմը:Այն շարունակում է անցնել թիրախային տարածքով և ստանում է թիրախային մասնիկները՝ ձևավորելով խիտ թաղանթ:
Բնութագրական:

1. Ցածր ջերմաստիճանի ֆիլմի ձևավորում:Ջերմաստիճանը քիչ է ազդում ֆիլմի վրա և դեֆորմացիա չի առաջացնի:Այն հարմար է PET, PI և այլ հիմնական նյութերի կծիկի ֆիլմերի համար:
2. Ֆիլմի հաստությունը կարող է նախագծվել:Բարակ կամ հաստ ծածկույթները կարող են նախագծվել և տեղադրվել գործընթացի ճշգրտմամբ:
3. Բազմաթիվ թիրախային դիրքի ձևավորում, ճկուն գործընթաց:Ամբողջ մեքենան կարող է հագեցած լինել ութ թիրախներով, որոնք կարող են օգտագործվել որպես պարզ մետաղական թիրախներ, կամ որպես բարդ և օքսիդ թիրախներ:Այն կարող է օգտագործվել միաշերտ թաղանթներ պատրաստելու համար մեկ կառուցվածքով կամ բազմաշերտ թաղանթներ կոմպոզիտային կառուցվածքով:Գործընթացը շատ ճկուն է։

Սարքավորումը կարող է պատրաստել էլեկտրամագնիսական պաշտպանիչ թաղանթ, ճկուն տպատախտակի ծածկույթ, տարբեր դիէլեկտրական թաղանթներ, բազմաշերտ AR հակաարտացոլող թաղանթ, HR բարձր հակաարտացոլման թաղանթ, գունավոր թաղանթ և այլն։ կարող է ավարտվել ֆիլմի մեկանգամյա տեղադրմամբ:
Սարքավորումը կարող է ընդունել պարզ մետաղական թիրախներ, ինչպիսիք են Al, ​​Cr, Cu, Fe, Ni, SUS, TiAl և այլն, կամ բարդ թիրախներ, ինչպիսիք են SiO2, Si3N4, Al2O3, SnO2, ZnO, Ta2O5, ITO, AZO և այլն:

Սարքավորումը փոքր չափսերով է, կառուցվածքի կառուցվածքով կոմպակտ է, հատակի մակերեսով փոքր է, էներգիայի սպառման ցածր մակարդակ և ճշգրտման ճկունություն:Այն շատ հարմար է գործընթացի հետազոտության և զարգացման կամ փոքր խմբաքանակի զանգվածային արտադրության համար: