A. 高いスパッタリング速度。例えば、SiO2をスパッタリングする場合、成膜速度は最大200nm/分に達することがあり、通常は最大10～100nm/分です。
そして、膜形成速度は高周波電力に正比例する。
B. フィルムと基板との密着性は、真空蒸着法による成膜層よりも優れています。これは、入射原子の平均運動エネルギーが約10eVであるため、プラズマ基板が厳密なスパッタリング洗浄を受けることで、膜層のピンホールが少なくなり、高純度で緻密な膜層が得られるためです。
C.膜材料の適用範囲が広く、金属、非金属、または化合物など、ほぼすべての材料を円形プレートに加工でき、長期間使用できます。
D.基板の形状に関する要件は厳しくありません。基板の表面が不均一であったり、幅が1mm未満の小さなスリットが存在したりしても、スパッタリングによって膜を形成することができます。
高周波スパッタリングコーティングの応用 上記の特性に基づき、高周波スパッタリングによって成膜されたコーティングは現在より広く使用されており、特に集積回路や誘電体機能膜の製造に広く使用されています。例えば、RF スパッタリングによって成膜される非導体および半導体材料には、半導体 Si および Ge、化合物材料 GsAs、GaSb、GaN、InSb、InN、AlN、CaSe、Cds、PbTe、高温半導体 SiC、強誘電体化合物 B14T3O12、ガス化対象材料 In2Os、SiO2、Al2O3、Y2O3、TiO2、ZiO2、SnO2、PtO、HfO2、Bi2O2、ZnO2、CdO、ガラス、プラスチックなどが含まれます。
コーティングチャンバー内に複数のターゲットを配置すれば、真空を破壊せずに同じチャンバー内で多層膜の作製を一度に完了することも可能です。ジスルフィドコーティング作製用のベアリング内外輪専用電極高周波装置は、高周波源周波数11.36MHz、ターゲット電圧2～3kV、総電力12kW、磁束密度の動作範囲0.008T、真空チャンバーの真空限界6.5×10⁻⁴Paで使用される装置の一例です。高低の成膜速度。さらに、RFスパッタリングの電力利用効率は低く、大量の電力が熱に変換され、ターゲットの冷却水から失われます。
–この記事は以下によって公開されています真空コーティング機メーカー広東振華
投稿日時：2023年12月21日