A. Yüksek püskürtme hızı. Örneğin, SiO2 püskürtülürken, biriktirme hızı 200 nm/dk'ya kadar çıkabilir, genellikle 10~100 nm/dk'ya kadar ulaşır.
Film oluşum hızı, yüksek frekans gücüyle doğru orantılıdır.
B. Film ile alt tabaka arasındaki yapışma, vakumlu buhar biriktirme yöntemiyle elde edilen film tabakasına göre daha fazladır. Bunun nedeni, gelen atomun tabandan gövdeye ortalama kinetik enerjisinin yaklaşık 10 eV olması ve plazma alt tabakasının sıkı bir püskürtme temizliğine tabi tutulmasıdır; bu da membran tabakasında daha az delik oluşmasına, yüksek saflıkta ve yoğun bir membran tabakası elde edilmesine yol açar.
C. Membran malzemesinin geniş uyarlanabilirliği; metal, metal olmayan veya bileşik olsun, neredeyse tüm malzemeler yuvarlak plaka haline getirilebilir ve uzun süre kullanılabilir.
D. Yüzeyin şekline ilişkin gereksinimler zorlayıcı değildir. Yüzeyin düzensiz olması veya genişliği 1 mm'den az olan küçük yarıkların bulunması da filme püskürtme yoluyla uygulanabilir.
Radyo Frekanslı Püskürtme Kaplamanın Uygulamaları Yukarıdaki özelliklere dayanarak, radyo frekanslı püskürtme ile kaplanmış kaplama günümüzde daha yaygın olarak kullanılmaktadır, özellikle entegre devrelerin ve dielektrik fonksiyonel filmlerin hazırlanmasında yaygın olarak kullanılmaktadır. Örneğin, RF püskürtme ile kaplanmış iletken olmayan ve yarı iletken malzemeler arasında şunlar yer almaktadır: yarı iletken Si ve Ge; bileşik malzemeler GsAs, GaSb, GaN, InSb, InN, AIN, CaSe, Cds, PbTe; yüksek sıcaklık yarı iletkenleri SiC; ferroelektrik bileşikler B14T3O12; gazlaştırma nesne malzemeleri In2Os, SiO2, Al2O3, Y2O3, TiO2, ZiO2, SnO2, PtO, HfO2, Bi2O2, ZnO2, CdO; cam, plastik vb.
Kaplama odasına birden fazla hedef yerleştirilirse, vakumu tek seferde bozmadan aynı odada çok katmanlı film hazırlığını tamamlamak da mümkündür. Disülfit kaplamanın hazırlanması için iç ve dış halkaları taşıyan özel elektrotlu radyo frekans cihazı, 11,36 MHz radyo frekans kaynağı frekansı, 2~3 kV hedef voltajı, 12 kW toplam güç, 0,008 T manyetik indüksiyon kuvveti çalışma aralığı ve 6,5 x 10⁻⁴ Pa vakum odası vakum limiti ile yüksek ve düşük biriktirme hızına sahip bir ekipman örneğidir. Dahası, RF püskürtme gücü kullanım verimliliği düşüktür ve büyük miktarda güç ısıya dönüştürülür ve bu ısı hedef soğutma suyundan kaybolur.
Bu makale şu kuruluş tarafından yayınlanmıştır:vakum kaplama makinesi üreticisiGuangdong Zhenhua
Yayın tarihi: 21 Aralık 2023