А. Высокая скорость распыления. Например, при распылении SiO2 скорость осаждения может достигать 200 нм/мин, обычно до 10–100 нм/мин.
Скорость образования пленки прямо пропорциональна мощности высокочастотного излучения.
B. Адгезия между пленкой и подложкой выше, чем при вакуумном осаждении пленки из паровой фазы. Это обусловлено средней кинетической энергией падающих атомов около 10 эВ, а также тем, что в плазменной подложке происходит тщательная очистка методом распыления, что приводит к уменьшению количества микропор в мембранном слое, высокой чистоте и плотности мембранного слоя.
C. Широкая адаптивность материала мембраны: металл, неметалл или композитные материалы, практически из любых материалов можно изготовить круглую пластину, что позволяет использовать ее в течение длительного времени.
D. Требования к форме подложки не слишком строгие. Неровная поверхность подложки или наличие небольших щелей шириной менее 1 мм также позволяют наносить пленку методом магнетронного распыления.
Применение покрытий, нанесенных методом радиочастотного распыления. Исходя из вышеперечисленных характеристик, покрытия, нанесенные методом радиочастотного распыления, в настоящее время получили широкое распространение, особенно при изготовлении интегральных схем, и особенно широко используются диэлектрические функциональные пленки. Например, методом радиочастотного распыления наносятся непроводящие и полупроводниковые материалы, включая следующие элементы: полупроводники Si и Ge, композитные материалы GsAs, GaSb, GaN, InSb, InN, AIN, CaSe, Cds, PbTe, высокотемпературные полупроводники SiC, сегнетоэлектрические соединения B14T3O12, материалы для газификации In2Os, SiO2, Al2O3, Y2O3, TiO2, ZiO2, SnO2, PtO, HfO2, Bi2O2, ZnO2, CdO, стекло, пластик и др.
Если в камеру нанесения покрытия поместить несколько мишеней, то можно завершить подготовку многослойной пленки в одной камере, не нарушая вакуум за один раз. Примером оборудования для подготовки дисульфидного покрытия является специализированное радиочастотное устройство с внутренним и внешним кольцами подшипников, использующее радиочастотный источник с частотой 11,36 МГц, напряжением на мишени 2–3 кВ, общей мощностью 12 кВт, рабочим диапазоном напряженности магнитной индукции 0,008 Тл и пределом вакуума в вакуумной камере 6,5 × 10⁻⁴ Па. При этом достигается высокая и низкая скорость осаждения. Более того, эффективность использования мощности радиочастотного распыления низкая, и большая часть энергии преобразуется в тепло, которое теряется через охлаждающую воду мишени.
– Данная статья опубликованапроизводитель вакуумных напыляемых машинГуандун Чжэньхуа
Дата публикации: 21 декабря 2023 г.