Vaega Autū o le Ufiufi o le RF Sputtering

A. Maualuga le fua faatatau o le sputtering. Mo se faʻataʻitaʻiga, pe a sputtering le SiO2, e mafai ona oʻo atu le fua faatatau o le faʻaputuina i le 200nm/min, e masani lava e oʻo atu i le 10~100nm/min.

Ma o le fua faatatau o le fausiaina o se ata tifaga e tutusa tonu ma le malosiaga maualuga.

B. O le pipii i le va o le ata tifaga ma le substrate e sili atu nai lo le fa'aputuina o le ausa o le vaega o le ata tifaga. O lenei mea e mafua ona o le averesi o le malosiaga kinetic o le fa'avae i le tino o le atomu e tusa ma le 10eV, ma o le a fa'amamaina lelei le substrate plasma ma mafua ai ona itiiti ni pu laiti i le vaega o le membrane, maualuga le mama, ma mafiafia le vaega o le membrane.

C. Fetuuna'i lautele o mea membrane, pe u'amea pe le o ni u'amea pe tu'ufa'atasia, e toetoe lava o mea uma e mafai ona saunia i totonu o se ipu lapotopoto, e mafai ona fa'aaoga mo se taimi umi.

D. E lē faigata manaʻoga mo le foliga o le mea e fai ai le laupapa. O le lē tutusa o le fogāeleele o le laupapa poʻo le iai o ni tamaʻi avanoa e itiiti ifo i le 1mm le lautele e mafai foʻi ona faʻapipiʻi i totonu o se ata tifaga.

Fa'aaogāina o le ufiufi o le radio frequency sputtering E fa'atatau i uiga o lo'o i luga, o le ufiufi na fa'aputuina e le radio frequency sputtering ua sili atu ona fa'aaogaina i le taimi nei, aemaise lava i le sauniaina o matagaluega tu'ufa'atasi ma le ata tifaga dielectric function e fa'aaogaina lautele. Mo se fa'ata'ita'iga, o mea e le o ni aveta'avale ma semiconductor na fa'aputuina e le RF sputtering, e aofia ai elemene: semiconductor Si ma Ge, mea tu'ufa'atasi GsAs, GaSb, GaN, InSb, InN, AIN, CaSe, Cds, PbTe, semiconductors vevela maualuga SiC, mea tu'ufa'atasi ferroelectric B14T3O12, mea fa'agasification In2Os, SiO2, Al203, Y203, TiO2, ZiO2, SnO2, PtO, HfO2, Bi2O2, ZnO2, CdO, tioata, palasitika, ma isi.

Afai e tu'u ni sini se tele i totonu o le potu ufiufi, e mafai fo'i ona fa'amae'a le sauniuniga o le ata tifaga e tele-vaega i totonu o le potu e tasi e aunoa ma le fa'aleagaina o le masini e fa'amama ai le ea i le taimi e tasi. O le masini fa'apitoa mo le fa'aaogaina o le eletise mo mama i totonu ma fafo mo le sauniaina o le ufiufi disulfide o se fa'ata'ita'iga o masini e fa'aaogaina i le eletise o le 11.36MHz, o le voltage o le sini o le 2 ~ 3kV, o le aofa'i atoa o le malosiaga o le 12kW, o le malosi o le fa'aosoina o le maneta o le 0.008T, o le tapula'a o le masini e fa'amama ai le ea i totonu o le potu e fa'amama ai le ea o le 6.5X10-4Pa. E maualuga ma maualalo le fua faatatau o le fa'aputuina. E le gata i lea, e maualalo le lelei o le fa'aaogaina o le malosiaga o le RF sputtering, ma e tele le malosiaga e liua i le vevela, lea e leiloa mai le vai fa'amālūlūina o le sini.

–O lenei tusiga ua fa'asalalauina egaosi oloa masini ufiufi vacuumGuangdong Zhenhua