A. Hohe Sputterrate. Beim Sputtern von SiO2 kann die Abscheidungsrate beispielsweise bis zu 200 nm/min betragen, üblicherweise liegt sie bei 10 bis 100 nm/min.
Die Geschwindigkeit der Filmbildung ist direkt proportional zur Hochfrequenzleistung.
B. Die Haftung zwischen Film und Substrat ist höher als bei der Vakuumdampfabscheidung der Filmschicht. Dies liegt an der mittleren kinetischen Energie der einfallenden Atome von etwa 10 eV. Im Plasma wird das Substrat einer gründlichen Sputterreinigung unterzogen, was zu weniger Poren in der Membranschicht, einer hohen Reinheit und einer dichten Membranschicht führt.
C. Die Membranmaterialien zeichnen sich durch ihre breite Anpassungsfähigkeit aus, egal ob Metall, Nichtmetall oder Verbindungen. Fast alle Materialien können zu einer runden Platte verarbeitet werden und sind über einen langen Zeitraum verwendbar.
D. Die Anforderungen an die Form des Substrats sind gering. Auch eine unebene Substratoberfläche oder das Vorhandensein kleiner Schlitze mit einer Breite von weniger als 1 mm können in einen Film eingesputtert werden.
Anwendung von Hochfrequenz-Sputterbeschichtungen: Aufgrund der oben genannten Eigenschaften finden mittels Hochfrequenz-Sputtern aufgebrachte Beschichtungen heutzutage immer breitere Anwendung, insbesondere bei der Herstellung integrierter Schaltungen und dielektrischer Funktionsschichten. Beispiele für mittels HF-Sputtern abgeschiedene Nichtleiter- und Halbleitermaterialien sind: Halbleiter wie Silizium (Si) und Germanium (Ge), Verbindungsmaterialien wie GsAs, GaSb, GaN, InSb, InN, AlN, CaSe, Cds und PbTe, Hochtemperaturhalbleiter wie SiC, ferroelektrische Verbindungen wie B14T3O12, Materialien für die Gasphasenabscheidung wie In2Os, SiO2, Al2O3, Y2O3, TiO2, ZiO2, SnO2, PtO, HfO2, Bi2O2, ZnO2 und CdO sowie Glas und Kunststoffe.
Werden mehrere Targets in der Beschichtungskammer platziert, ist es möglich, die Herstellung von Mehrschichtfilmen in derselben Kammer abzuschließen, ohne das Vakuum gleichzeitig zu unterbrechen. Ein Beispiel für eine solche Anlage ist eine spezielle Hochfrequenz-Elektrode mit Innen- und Außenringen zur Disulfidbeschichtung. Diese Anlage arbeitet mit einer Hochfrequenzquellenfrequenz von 11,36 MHz, einer Targetspannung von 2–3 kV, einer Gesamtleistung von 12 kW, einem Arbeitsbereich der magnetischen Induktion von 0,008 T und einem maximalen Vakuumdruck von 6,5 × 10⁻⁴ Pa in der Vakuumkammer. Die Abscheidungsrate variiert stark. Allerdings ist die Ausnutzung der HF-Sputterleistung gering, und ein Großteil der Energie wird in Wärme umgewandelt, die über das Kühlwasser des Targets verloren geht.
–Dieser Artikel wurde veröffentlicht vonHersteller von VakuumbeschichtungsmaschinenGuangdong Zhenhua
Veröffentlichungsdatum: 21. Dezember 2023