A. Югары сиптерү тизлеге. Мәсәлән, SiO2 сиптергәндә, утыру тизлеге 200 нм/мин га кадәр, гадәттә 10~100 нм/мин га кадәр булырга мөмкин.
Ә пленка формалашу тизлеге югары ешлык көченә турыдан-туры пропорциональ.
B. Пленка һәм субстрат арасындагы адгезия пленка катламының вакуум пар утыртуыннан зуррак. Бу төшкән атомның нигезгә уртача кинетик энергиясе якынча 10 эВ булу сәбәпле, һәм плазма субстратында катгый сиптерү чистарту чаралары күреләчәк, нәтиҗәдә мембрана катламында тишекләр азрак, югары сафлыклы, тыгыз мембрана катламы барлыкка киләчәк.
C. Мембрана материалының киң җайлашучанлыгы, металл яки металл булмаган яки кушылмалар, барлык материалларны диярлек түгәрәк пластинага әзерләргә мөмкин, озак вакыт кулланырга мөмкин.
D. Субстрат формасына таләпләр катгый түгел. Субстрат өслегенең тигез булмавы яки киңлеге 1 мм дан кимрәк булган кечкенә ярыклар да пленкага сиптерелергә мөмкин.
Радиоешлык сиптерү каплавын куллану Югарыда күрсәтелгән үзенчәлекләргә нигезләнеп, радиоешлык сиптерү белән капланган каплама хәзерге вакытта киңрәк кулланыла, бигрәк тә интеграль микросхемалар әзерләүдә һәм диэлектрик функциональ пленка аеруча киң кулланыла. Мәсәлән, радиоешлык сиптерү белән капланган үткәргеч булмаган һәм ярымүткәргеч материаллар, шул исәптән элементлар: Si һәм Ge ярымүткәргечләре, GsAs, GaSb, GaN, InSb, InN, AIN, CaSe, Cds, PbTe кушылма материаллары, югары температуралы ярымүткәргечләр SiC, сегнетоэлектрик кушылмалар B14T3O12, газификация объекты материаллары In2Os, SiO2, Al203, Y203, TiO2, ZiO2, SnO2, PtO, HfO2, Bi2O2, ZnO2, CdO, пыяла, пластик һ.б.
Әгәр каплау камерасына берничә максат куелса, бер үк камерада вакуумны берьюлы җимермичә күп катламлы пленка әзерләүне тәмамларга мөмкин. Дисульфид каплавын әзерләү өчен эчке һәм тышкы боҗраларны йөртү өчен махсус электродлы радиоешлык җайланмасы кулланыла торган җиһазларга мисал булып тора: радиоешлык чыганагы ешлыгы 11,36 МГц, максат көчәнеше 2 ~ 3 кВ, гомуми куәт 12 кВт, магнит индукциясе көчәнешенең эш диапазоны 0,008 Т, вакуум камерасы вакуумының чиге 6,5X10-4Па. Югары һәм түбән утыру тизлеге. Моннан тыш, радиоешлык сиптерү көчен куллану нәтиҗәлелеге түбән, һәм күп күләмдәге энергия җылылыкка әйләнә, ул максатның суыту суыннан югала.
–Бу мәкалә бастырып чыгарылдывакуум каплау машинасы җитештерүчесеГуандун Чжэнхуа
Бастырып чыгару вакыты: 2023 елның 21 декабре