A. Taas nga gikusgon sa pagsabwag. Pananglitan, kung magsabwag sa SiO2, ang gikusgon sa pagsabwag mahimong hangtod sa 200nm/min, kasagaran hangtod sa 10~100nm/min.
Ug ang gikusgon sa pagporma sa pelikula direktang proporsyonal sa kusog sa taas nga frequency.
B. Ang pagtapot tali sa pelikula ug sa substrate mas dako kay sa vacuum vapor deposition sa film layer. Kini tungod sa base ngadto sa lawas sa incident atom nga adunay average kinetic energy nga mga 10eV, ug sa plasma substrate ipaubos sa estrikto nga sputtering cleaning nga moresulta sa mas gamay nga pinhole sa membrane layer, taas nga purity, ug dasok nga membrane layer.
C. Halapad nga pagkaangay sa materyal sa lamad, metal man o dili metal o mga compound, halos tanan nga mga materyales mahimong maandam ngadto sa usa ka lingin nga plato, mahimong magamit sa dugay nga panahon.
D. Dili lisod ang mga kinahanglanon para sa porma sa substrate. Ang dili patas nga nawong sa substrate o ang presensya sa gagmay nga mga gisi nga adunay gilapdon nga ubos sa 1mm mahimo usab nga i-sprut sa usa ka film.
Paggamit sa radio frequency sputtering coating Base sa mga kinaiya sa ibabaw, ang coating nga gideposito sa radio frequency sputtering mas kaylap nga gigamit karon, labi na sa pag-andam sa integrated circuits ug ang dielectric function film labi nga kaylap nga gigamit. Pananglitan, ang mga materyales nga dili konduktor ug semiconductor nga gideposito sa RF sputtering, lakip ang mga elemento: semiconductor Si ug Ge, compound materials nga GsAs, GaSb, GaN, InSb, InN, AIN, CaSe, Cds, PbTe, high-temperature semiconductors SiC, ferroelectric compounds B14T3O12, gasification object materials nga In2Os, SiO2, Al203, Y203, TiO2, ZiO2, SnO2, PtO, HfO2, Bi2O2, ZnO2, CdO, bildo, plastik, ug uban pa.
Kon daghang target ang ibutang sa coating chamber, posible usab nga makompleto ang pag-andam sa multi-layer film sa samang chamber nga dili madaot ang vacuum sa usa ka higayon. Ang gipahinungod nga electrode radio frequency device para sa pagdala sa sulod ug gawas nga mga singsing para sa pag-andam sa disulfide coating usa ka ehemplo sa kagamitan nga gigamit sa radio frequency source frequency nga 11.36MHz, target voltage nga 2 ~ 3kV, ang kinatibuk-ang gahum nga 12kW, ang working range sa magnetic induction strength nga 0.008T, ang limit sa vacuum chamber vacuum kay 6.5X10-4Pa. Taas ug ubos nga deposition rate. Dugang pa, ang RF sputtering power utilization efficiency ubos, ug daghang gahum ang nakabig ngadto sa kainit, nga mawala gikan sa cooling water sa target.
–Kini nga artikulo gipagawas nitiggama og vacuum coating machineGuangdong Zhenhua
Oras sa pag-post: Disyembre 21, 2023