A. 高いスパッタリング速度。例えば、SiO2をスパッタリングする場合、堆積速度は最大200nm/分、通常は最大10～100nm/分です。
そして、フィルム形成速度は高周波電力に正比例します。
B. 薄膜と基板間の密着性は、真空蒸着法による薄膜層よりも優れています。これは、基板に入射する原子の平均運動エネルギーが約10eVであるためです。また、プラズマ中で基板は厳密なスパッタリング洗浄を受けるため、薄膜層のピンホールが少なく、高純度で緻密な薄膜層が得られます。
C.膜材料の適応性が広く、金属、非金属、化合物を問わず、ほぼすべての材料を円板に加工でき、長期間使用できます。
D. 基板の形状に対する要求は厳しくありません。基板表面に凹凸があっても、幅1mm未満の小さなスリットがあっても、スパッタリングで成膜可能です。
高周波スパッタリングコーティングの応用 上記の特性を踏まえ、高周波スパッタリング法で堆積されたコーティングは現在、特に集積回路や誘電体機能膜の製造において広く利用されています。例えば、高周波スパッタリング法で堆積された非導体および半導体材料には、半導体SiおよびGe、複合材料GsAs、GaSb、GaN、InSb、InN、AlN、CaSe、Cds、PbTe、高温半導体SiC、強誘電体B14T3O12、ガス化対象材料In2Os、SiO2、Al2O3、Y2O3、TiO2、ZiO2、SnO2、PtO、HfO2、Bi2O2、ZnO2、CdO、ガラス、プラスチックなどがあります。
コーティングチャンバー内に複数のターゲットを配置すれば、真空を一度に破壊することなく、同一チャンバー内で多層膜の成膜を完了することも可能です。二硫化物コーティング成膜用のベアリング内外輪専用電極高周波装置は、高周波電源周波数11.36MHz、ターゲット電圧2～3kV、総電力12kW、磁気誘導強度の動作範囲0.008T、真空チャンバーの真空度限界6.5×10-4Paの装置です。成膜速度は高く、低いという欠点があります。また、RFスパッタリングの電力利用効率は低く、大量の電力が熱に変換され、ターゲットの冷却水から失われます。
–この記事は真空コーティング機メーカー広東振華
投稿日時: 2023年12月21日