RCW600

Dës Serie vun Ausrüstung benotzt Magnetron-Ziler fir Beschichtungsmaterialien a Partikelen vun Nanometergréisst ëmzewandelen, déi op d'Uewerfläch vu Substrater ofgesat ginn, fir dënn Schichten ze bilden. De gewalzte Film gëtt an d'Vakuumkammer placéiert. Duerch déi elektresch ugedriwwe Wicklungsstruktur empfänkt een Enn de Film an dat anert Enn de Film. Et geet weider duerch d'Zilfläch a kritt d'Zilpartikelen, fir e dichte Film ze bilden.
Charakteristik:

1. Schichtbildung bei niddreger Temperatur. D'Temperatur huet wéineg Afloss op de Film a verursaacht keng Deformatioun. Et ass gëeegent fir PET-, PI- an aner Basismaterial-Spiralfolien.
2. D'Schichtdicke kann designt ginn. Dënn oder déck Beschichtunge kënnen duerch Prozessanpassung designt an ofgesat ginn.
3. Design mat verschiddenen Zilplazen, flexible Prozess. Déi ganz Maschinn kann mat aacht Ziler ausgestatt ginn, déi entweder als einfach Metallziler oder als Verbindungs- an Oxidziler benotzt kënne ginn. Si kann benotzt ginn fir Eenzelschichtfilmer mat enger eenzeger Struktur oder Méischichtfilmer mat enger Kompositstruktur ze preparéieren. De Prozess ass ganz flexibel.

D'Ausrüstung kann elektromagnetesch Abschirmungsfolie, flexibel Leiterplattebeschichtungen, verschidden dielektresch Folien, Méischicht-AR-Antireflexionsfolie, HR-Héich-Antireflexionsfolie, Faarffolie, etc. virbereeden. D'Ausrüstung huet e ganz breete Spektrum vun Uwendungen, an Eenzelschicht-Filmauflagerung kann duerch eng eenzeg Filmablagerung ofgeschloss ginn.
D'Ausrüstung kann einfach Metallziler wéi Al, Cr, Cu, Fe, Ni, SUS, TiAl, etc., oder zesummegesate Ziler wéi SiO2, Si3N4, Al2O3, SnO2, ZnO, Ta2O5, ITO, AZO, etc. adoptéieren.

D'Ausrüstung ass kleng a Gréisst, kompakt am Strukturdesign, kleng a Buedemfläch, niddregen Energieverbrauch a flexibel anzestellen. Si ass ganz gëeegent fir Prozessfuerschung an -entwécklung oder Masseproduktioun a klenge Chargen.