スパッタリング成膜プロセスでは、化合物をターゲットとして化学合成膜を作製することができる。しかし、ターゲット材料をスパッタリングした後に生成される膜の組成は、ターゲット材料の元の組成から大きく乖離することが多く、そのため、当初の設計要件を満たさない場合がある。純金属ターゲットを用いる場合、必要な活性ガス（例えば、酸化膜作製時の酸素）を意図的に作動ガス（放電ガス）に混合し、ターゲット材料と化学反応させることで、組成や特性を制御可能な薄膜を作製する。この方法は「反応スパッタリング」と呼ばれることが多い。
前述のように、RFスパッタリングは誘電体膜や各種化合物膜の成膜に利用できます。しかし、「純粋な」膜を作製するには、「純粋な」ターゲット、すなわち高純度の酸化物、窒化物、炭化物、またはその他の化合物粉末が必要です。これらの粉末を特定の形状のターゲットに加工するには、成形や焼結に必要な添加剤を加える必要があり、その結果、ターゲットおよび得られる膜の純度が著しく低下します。一方、反応性スパッタリングでは、高純度金属と高純度ガスを使用できるため、高純度膜の作製に適した条件が整います。反応性スパッタリングは近年ますます注目を集めており、様々な機能性化合物の薄膜を析出させる主要な方法となっています。多結晶SiとCH./Ar混合ガスを用いたSiC薄膜の析出、TiターゲットとN/Arを用いたTiN硬質膜の作製、TaとO/Arを用いたTaOの作製、誘電体薄膜、FeとO,/Arを用いた-FezO、-FezO記録膜の作製、AlとN/Arを用いたAl-CO選択吸収膜、AlとCO/Arを用いたYBaCuO超伝導膜の作製など、IV、I、IV-V化合物、耐火半導体、およびさまざまな酸化物の製造に広く使用されています。
–この記事は以下によって公開されています真空コーティング機メーカー広東振華
投稿日時：2024年1月18日