Nel processo di deposizione per sputtering, è possibile utilizzare composti come target per la preparazione di film sintetizzati chimicamente. Tuttavia, la composizione del film generato dopo lo sputtering del materiale target spesso si discosta notevolmente dalla composizione originale del materiale target e, pertanto, non soddisfa i requisiti del progetto iniziale. Se si utilizza un target di metallo puro, il gas attivo necessario (ad esempio, ossigeno nella preparazione di film di ossido) viene miscelato intenzionalmente con il gas di lavoro (di scarica), in modo che reagisca chimicamente con il materiale target per produrre un film sottile la cui composizione e le cui caratteristiche possono essere controllate. Questo metodo è spesso indicato come "sputtering reattivo".
Come accennato in precedenza, la deposizione per sputtering a radiofrequenza (RF) può essere utilizzata per depositare film dielettrici e vari film composti. Tuttavia, per preparare un film "puro", è necessario disporre di un target "puro", ovvero una polvere di ossido, nitruro, carburo o altro composto ad elevata purezza. La lavorazione di queste polveri per ottenere un target di una determinata forma richiede l'aggiunta di additivi necessari per lo stampaggio o la sinterizzazione, con conseguente significativa riduzione della purezza del target e del film risultante. Nella deposizione per sputtering reattivo, invece, poiché è possibile utilizzare metalli e gas ad elevata purezza, si creano condizioni favorevoli per la preparazione di film ad elevata purezza. La deposizione per sputtering reattivo ha riscosso un interesse crescente negli ultimi anni ed è diventata un metodo importante per la deposizione di film sottili di vari composti funzionali. È stato ampiamente utilizzato nella produzione di composti IV, I e IV-V, semiconduttori refrattari e una varietà di ossidi, come l'uso di Si policristallino e miscela di gas CH4/Ar per sparare la precipitazione di film sottili di SiC, target di Ti e N/Ar per preparare film duri di TiN, Ta e O/Ar per preparare TaO; film sottili dielettrici, Fe e O2/Ar per preparare -Fe2O3; film di registrazione -Fe2O3, film piezoelettrici AL con Al e N/Ar, film di assorbimento selettivo Al-CO con Al e CO/Ar e film superconduttori YBaCuO con Y-Ba-Cu e O/Ar, tra gli altri.
–Questo articolo è pubblicato daproduttore di macchine per rivestimento sottovuotoGuangdongZhenhua
Data di pubblicazione: 18 gennaio 2024