En el proceso de recubrimiento por pulverización catódica, se pueden utilizar compuestos como blancos para la preparación de películas sintetizadas químicamente. Sin embargo, la composición de la película resultante tras la pulverización del material blanco suele diferir considerablemente de la composición original, por lo que no cumple con los requisitos del diseño inicial. Si se utiliza un blanco de metal puro, el gas activo necesario (por ejemplo, oxígeno al preparar películas de óxido) se mezcla con el gas de trabajo (descarga) para que reaccione químicamente con el material blanco y produzca una película delgada cuya composición y características se pueden controlar. Este método se conoce comúnmente como «pulverización reactiva».
Como se mencionó anteriormente, la pulverización catódica por radiofrecuencia (RF) se puede utilizar para depositar películas dieléctricas y diversas películas compuestas. Sin embargo, para preparar una película "pura", es necesario contar con un blanco "puro", un polvo de óxido, nitruro, carburo u otro compuesto de alta pureza. El procesamiento de estos polvos para obtener un blanco con una forma específica requiere la adición de aditivos necesarios para el moldeo o la sinterización, lo que resulta en una reducción significativa de la pureza del blanco y de la película resultante. En cambio, en la pulverización catódica reactiva, dado que se pueden utilizar metales y gases de alta pureza, se proporcionan condiciones favorables para la preparación de películas de alta pureza. La pulverización catódica reactiva ha recibido una atención creciente en los últimos años y se ha convertido en un método importante para la precipitación de películas delgadas de diversos compuestos funcionales. Se ha utilizado ampliamente en la fabricación de compuestos IV, I y IV-V, semiconductores refractarios y una variedad de óxidos, como el uso de Si policristalino y una mezcla de gases CH./Ar para disparar la precipitación de películas delgadas de SiC, objetivo de Ti y N/Ar para preparar películas duras de TiN, Ta y O/Ar para preparar TaO; películas delgadas dieléctricas, Fe y O,/Ar para preparar -FezO; películas de grabación -FezO, películas piezoeléctricas de AIN con A1 y N/Ar, películas de absorción selectiva de A1-CO con AI y CO/Ar, y películas superconductoras de YBaCuO con Y-Ba-Cu y O/Ar, entre otros.
–Este artículo es publicado porfabricante de máquinas de recubrimiento al vacíoGuangdong Zhenhua
Fecha de publicación: 18 de enero de 2024