Sa proseso sa sputtering coating, ang mga compound mahimong gamiton isip target para sa pag-andam sa mga kemikal nga gi-synthesize nga mga film. Bisan pa, ang komposisyon sa film nga namugna human sa sputtering sa target nga materyal kanunay nga lahi kaayo gikan sa orihinal nga komposisyon sa target nga materyal, ug busa dili makatuman sa mga kinahanglanon sa orihinal nga disenyo. Kung gigamit ang puro nga metal nga target, ang gikinahanglan nga aktibo nga gas (pananglitan, oxygen kung nag-andam sa mga oxide film) tinuyo nga gisagol sa nagtrabaho (discharge) nga gas, aron kini mo-react sa kemikal sa target nga materyal aron makahimo og nipis nga film nga makontrol sa mga termino sa komposisyon ug mga kinaiya niini. Kini nga pamaagi kanunay nga gitawag nga "reaction sputtering".
Sama sa nahisgotan na, ang RF sputtering magamit sa pagdeposito sa mga dielectric film ug lain-laing mga compound film. Bisan pa, aron maandam ang usa ka "puro" nga film, kinahanglan nga adunay usa ka "puro" nga target, usa ka high-purity oxide, nitride, carbide, o uban pang compound powder. Ang pagproseso niini nga mga pulbos ngadto sa usa ka target nga adunay piho nga porma nanginahanglan pagdugang sa mga additives nga gikinahanglan alang sa paghulma o sintering, nga moresulta sa usa ka hinungdanon nga pagkunhod sa kaputli sa target ug sa resulta nga film. Bisan pa, sa reactive sputtering, tungod kay ang mga high-purity nga metal ug high-purity nga mga gas mahimong magamit, ang mga kombenyente nga kondisyon gihatag alang sa pag-andam sa mga high-purity nga film. Ang reactive sputtering nakadawat og dugang nga atensyon sa bag-ohay nga mga tuig ug nahimo nga usa ka mayor nga pamaagi alang sa pag-precipitate sa nipis nga mga film sa lain-laing mga functional compound. Kini kaylap nga gigamit sa paggama sa IV, I- ug IV-V compounds, refractory semiconductors, ug lain-laing mga oxides, sama sa paggamit sa polycrystalline Si ug CH./Ar nga sagol nga mga gas aron pag-shoot sa precipitation sa SiC thin films, Ti target ug N/Ar aron pag-andam sa TiN hard films, Ta ug O/Ar aron pag-andam sa TaO; dielectric thin films, Fe ug O,/Ar aron pag-andam sa -FezO; -FezO. recording films, AIN piezoelectric films nga adunay A1 ug N/Ar, A1-CO selective absorption films nga adunay AI ug CO/Ar, ug YBaCuO-superconducting films nga adunay Y-Ba-Cu ug O/Ar, ug uban pa.
–Kini nga artikulo gipagawas nitiggama og vacuum coating machineGuangdong Zhenhua
Oras sa pag-post: Enero 18, 2024