ຄຸນລັກສະນະ ແລະ ການນຳໃຊ້ການເຄືອບສະເປເຕີຣິວຕິ້ງ

ໃນຂະບວນການເຄືອບສະເປເຕີຣິງ, ສານປະກອບສາມາດໃຊ້ເປັນເປົ້າໝາຍສຳລັບການກະກຽມຟິມສັງເຄາະທາງເຄມີ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ສ່ວນປະກອບຂອງຟິມທີ່ເກີດຂຶ້ນຫຼັງຈາກການສະເປເຕີຣິງຂອງວັດສະດຸເປົ້າໝາຍມັກຈະແຕກຕ່າງຈາກສ່ວນປະກອບເດີມຂອງວັດສະດຸເປົ້າໝາຍຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ, ແລະດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງບໍ່ຕອບສະໜອງຄວາມຕ້ອງການຂອງການອອກແບບເດີມ. ຖ້າໃຊ້ເປົ້າໝາຍໂລຫະບໍລິສຸດ, ອາຍແກັສທີ່ຕ້ອງການ (ເຊັ່ນ: ອົກຊີເຈນເມື່ອກະກຽມຟິມອົກໄຊ) ຈະຖືກປະສົມເຂົ້າກັບອາຍແກັສທີ່ເຮັດວຽກ (ປ່ອຍອອກ), ເພື່ອໃຫ້ມັນປະຕິກິລິຍາທາງເຄມີກັບວັດສະດຸເປົ້າໝາຍເພື່ອຜະລິດຟິມບາງໆທີ່ສາມາດຄວບຄຸມໄດ້ໃນແງ່ຂອງສ່ວນປະກອບແລະລັກສະນະຂອງມັນ. ວິທີການນີ້ມັກຖືກເອີ້ນວ່າ "ການສະເປເຕີຣິງປະຕິກິລິຍາ".

ດັ່ງທີ່ໄດ້ກ່າວມາກ່ອນໜ້ານີ້, ການສະເປຣຕເຕີ RF ສາມາດໃຊ້ເພື່ອຝາກຟິມໄດອີເລັກຕຣິກ ແລະ ຟິມປະສົມຕ່າງໆ. ເຖິງຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, ເພື່ອກະກຽມຟິມ "ບໍລິສຸດ", ມັນຈຳເປັນຕ້ອງມີເປົ້າໝາຍ "ບໍລິສຸດ", ອົກໄຊດ໌ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ໄນໄຕຣດ, ຄາໄບດ໌, ຫຼື ຜົງປະສົມອື່ນໆ. ການປຸງແຕ່ງຜົງເຫຼົ່ານີ້ໃຫ້ເປັນເປົ້າໝາຍທີ່ມີຮູບຮ່າງສະເພາະຕ້ອງການການເພີ່ມສານເພີ່ມເຕີມທີ່ຈຳເປັນສຳລັບການຫລໍ່ ຫຼື ການເຜົາ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ຄວາມບໍລິສຸດຂອງເປົ້າໝາຍ ແລະ ຟິມທີ່ໄດ້ຮັບຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ. ເຖິງຢ່າງໃດກໍ່ຕາມ, ໃນການສະເປຣຕເຕີປະຕິກິລິຍາ, ເນື່ອງຈາກໂລຫະທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ ແລະ ອາຍແກັສທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງສາມາດໃຊ້ໄດ້, ເງື່ອນໄຂທີ່ສະດວກຈຶ່ງຖືກສະໜອງໃຫ້ສຳລັບການກະກຽມຟິມທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ. ການສະເປຣຕເຕີປະຕິກິລິຍາໄດ້ຮັບຄວາມສົນໃຈເພີ່ມຂຶ້ນໃນຊຸມປີມໍ່ໆມານີ້ ແລະ ໄດ້ກາຍເປັນວິທີການທີ່ສຳຄັນສຳລັບການຕົກຕະກອນຟິມບາງໆຂອງສານປະກອບທີ່ມີປະໂຫຍດຕ່າງໆ. ມັນໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການຜະລິດສານປະກອບ IV, I- ແລະ IV-V, ເຄິ່ງຕົວນໍາທົນໄຟ, ແລະອົກໄຊຫຼາກຫຼາຍຊະນິດ, ເຊັ່ນ: ການນໍາໃຊ້ສ່ວນປະສົມຂອງອາຍແກັສ Si ແລະ CH./Ar ທີ່ມີໂຄງສ້າງ polycrystalline ເພື່ອຍິງການຕົກຕະກອນຂອງຟິມບາງ SiC, ເປົ້າໝາຍ Ti ແລະ N/Ar ເພື່ອກະກຽມຟິມແຂງ TiN, Ta ແລະ O/Ar ເພື່ອກະກຽມ TaO; ຟິມບາງ dielectric, Fe ແລະ O,/Ar ເພື່ອກະກຽມ -FezO; -FezO. ຟິມບັນທຶກ, ຟິມ piezoelectric AIN ທີ່ມີ A1 ແລະ N/Ar, ຟິມດູດຊຶມແບບເລືອກເຟັ້ນ A1-CO ທີ່ມີ AI ແລະ CO/Ar, ແລະຟິມ superconducting YBaCuO ທີ່ມີ Y-Ba-Cu ແລະ O/Ar, ແລະອື່ນໆ.

- ບົດຄວາມນີ້ເຜີຍແຜ່ໂດຍຜູ້ຜະລິດເຄື່ອງເຄືອບສູນຍາກາດGuangdong Zhenhua