Lors du dépôt par pulvérisation cathodique, des composés peuvent servir de cibles pour la préparation de films de synthèse chimique. Cependant, la composition du film obtenu après pulvérisation s'écarte souvent considérablement de la composition initiale du matériau cible et ne répond donc pas aux exigences de la conception initiale. Si une cible métallique pure est utilisée, le gaz actif requis (par exemple, l'oxygène pour la préparation de films d'oxyde) est mélangé au gaz de travail (gaz de décharge) afin de réagir chimiquement avec le matériau cible et de produire un film mince dont la composition et les caractéristiques sont contrôlables. Cette méthode est souvent appelée « pulvérisation cathodique réactive ».
Comme mentionné précédemment, la pulvérisation cathodique RF permet de déposer des films diélectriques et divers films composites. Cependant, la préparation d'un film « pur » requiert une cible « pure », c'est-à-dire une poudre d'oxyde, de nitrure, de carbure ou autre composé de haute pureté. La mise en forme de ces poudres en une cible de forme spécifique nécessite l'ajout d'additifs pour le moulage ou le frittage, ce qui entraîne une réduction significative de la pureté de la cible et du film obtenu. En revanche, la pulvérisation cathodique réactive, grâce à l'utilisation de métaux et de gaz de haute pureté, offre des conditions optimales pour la préparation de films de haute pureté. Cette technique a suscité un intérêt croissant ces dernières années et est devenue une méthode majeure pour la précipitation de couches minces de divers composés fonctionnels. Il a été largement utilisé dans la fabrication de composés IV, I et IV-V, de semi-conducteurs réfractaires et de divers oxydes, tels que l'utilisation de Si polycristallin et d'un mélange de gaz CH₄/Ar pour la précipitation de couches minces de SiC, d'une cible de Ti et de N₂/Ar pour préparer des couches dures de TiN, de Ta et de O₂/Ar pour préparer du TaO ; des couches minces diélectriques, de Fe et de O₂/Ar pour préparer du -FezO ; des couches d'enregistrement -FezO ; des couches piézoélectriques AIN avec Al et N₂/Ar, des couches d'absorption sélective Al-CO avec Al et CO/Ar, et des couches supraconductrices YBaCuO avec Y-Ba-Cu et O₂/Ar, entre autres.
–Cet article est publié parfabricant de machines de revêtement sous videGuangdong Zhenhua
Date de publication : 18 janvier 2024