Сиптерү белән каплау процессында кушылмалар химик синтезланган пленкалар әзерләү өчен максат буларак кулланылырга мөмкин. Ләкин, максат материалын сиптергәннән соң барлыкка килгән пленка составы еш кына максат материалының башлангыч составыннан нык аерылып тора, һәм шуңа күрә башлангыч конструкция таләпләренә туры килми. Әгәр саф металл максат кулланылса, кирәкле актив газ (мәсәлән, оксид пленкалар әзерләгәндә кислород) эш (разряд) газына аңлы рәвештә кушыла, шулай итеп ул максат материалы белән химик реакциягә кереп, составы һәм үзенчәлекләре буенча контрольдә тотыла торган юка пленка барлыкка китерә. Бу ысул еш кына "реакция сиптерүе" дип атала.
Алда әйтелгәнчә, радиожиелмәле сиптерү диэлектрик пленкаларны һәм төрле кушылма пленкаларны урнаштыру өчен кулланылырга мөмкин. Ләкин, "саф" пленка әзерләү өчен "саф" максат, югары сафлыклы оксид, нитрид, карбид яки башка кушылма порошок кирәк. Бу порошокларны билгеле бер формадагы максатка эшкәртү өчен формалаштыру яки блендерлау өчен кирәкле өстәмәләр өстәргә кирәк, бу максатның һәм нәтиҗәдә барлыкка килгән пленканың сафлыгын сизелерлек киметә. Ләкин реактив сиптерүдә югары сафлыклы металлар һәм югары сафлыклы газлар кулланылырга мөмкин булганлыктан, югары сафлыклы пленкалар әзерләү өчен уңайлы шартлар тудырыла. Реактив сиптерү соңгы елларда игътибарны арттыра һәм төрле функциональ кушылмаларның юка пленкаларын чүпләүнең төп ысулына әйләнде. Ул IV, I- һәм IV-V кушылмаларын, отка чыдам ярымүткәргечләрне һәм төрле оксидлар җитештерүдә киң кулланыла, мәсәлән, SiC юка пленкаларын төшерү өчен поликристалл Si һәм CH3./Ar газ катнашмасын, TiN каты пленкаларын әзерләү өчен Ti максатын һәм N/Ar, TaO2 әзерләү өчен Ta һәм O/Ar; -FezO2 әзерләү өчен диэлектрик юка пленкалар, Fe һәм O,/Ar; -FezO2 яздыру пленкалары, A1 һәм N/Ar белән AIN пьезоэлектрик пленкалары, AI һәм CO/Ar белән A1-CO сайлап абсорбция пленкалары, һәм Y-Ba-Cu һәм O/Ar белән YBaCuO2-өстән үткәрүче пленкалар һ.б. куллану.
–Бу мәкалә бастырып чыгарылдывакуум каплау машинасы җитештерүчесеГуандун Чжэнхуа
Бастырып чыгару вакыты: 2024 елның 18 гыйнвары