Bij het sputterproces kunnen verbindingen als targets worden gebruikt voor de bereiding van chemisch gesynthetiseerde films. De samenstelling van de film die na het sputteren van het targetmateriaal ontstaat, wijkt echter vaak sterk af van de oorspronkelijke samenstelling van het targetmateriaal en voldoet daardoor niet aan de eisen van het oorspronkelijke ontwerp. Als een puur metalen target wordt gebruikt, wordt het benodigde actieve gas (bijvoorbeeld zuurstof bij de bereiding van oxidefilms) bewust gemengd met het werkgas (ontladingsgas), zodat het chemisch reageert met het targetmateriaal en een dunne film produceert waarvan de samenstelling en eigenschappen beheersbaar zijn. Deze methode wordt vaak "reactiesputteren" genoemd.
Zoals eerder vermeld, kan RF-sputteren worden gebruikt voor het afzetten van diëlektrische films en diverse samengestelde films. Om echter een "zuivere" film te produceren, is een "zuiver" target nodig, een poeder van een zeer zuiver oxide, nitride, carbide of andere samengestelde stof. Het verwerken van deze poeders tot een target met een bepaalde vorm vereist de toevoeging van additieven die nodig zijn voor het vormen of sinteren, wat resulteert in een aanzienlijke vermindering van de zuiverheid van het target en de resulterende film. Bij reactief sputteren daarentegen, omdat zeer zuivere metalen en zeer zuivere gassen kunnen worden gebruikt, zijn er gunstige omstandigheden voor de bereiding van zeer zuivere films. Reactief sputteren heeft de laatste jaren steeds meer aandacht gekregen en is uitgegroeid tot een belangrijke methode voor het neerslaan van dunne films van diverse functionele verbindingen. Het wordt veelvuldig gebruikt bij de productie van IV-, I- en IV-V-verbindingen, vuurvaste halfgeleiders en diverse oxiden, zoals het gebruik van polykristallijn Si en een CH₄/Ar-gasmengsel voor de precipitatie van SiC-dunne films, Ti-targets en N₂/Ar voor de bereiding van TiN-hardfilms, Ta en O₂/Ar voor de bereiding van TaO; diëlektrische dunne films, Fe en O₂/Ar voor de bereiding van α-FezO; α-FezO-opnamefilms, Al₁-piëzo-elektrische films met Al₁ en N₂/Ar, Al₁-CO selectieve absorptiefilms met Al₁ en CO/Ar, en YBaCuO-supergeleidende films met YBaCuO en O₂/Ar, en nog veel meer.
–Dit artikel is gepubliceerd doorfabrikant van vacuümcoatingmachinesGuangdong Zhenhua
Geplaatst op: 18 januari 2024