En comparación con otras tecnologías de recubrimiento, el recubrimiento por pulverización catódica presenta las siguientes características importantes: los parámetros de trabajo tienen un amplio rango de ajuste dinámico, la velocidad y el espesor de deposición del recubrimiento (estado del área de recubrimiento) son fáciles de controlar, y no existen restricciones de diseño en la geometría del objetivo de pulverización, lo que garantiza la uniformidad del recubrimiento. La capa de película no presenta el problema de las partículas finas: prácticamente todos los metales, aleaciones y materiales cerámicos pueden transformarse en materiales objetivo. Mediante pulverización catódica de CC o RF, se pueden generar recubrimientos de metal puro o aleación con proporciones precisas y constantes, y películas de reacción metálica con participación de gas, para satisfacer los diversos requisitos de alta precisión de las películas. Los parámetros típicos del proceso de recubrimiento por pulverización catódica son: presión de trabajo de 0,1 Pa; voltaje objetivo de 300 a 700 V y densidad de potencia objetivo de 1 a 36 W/cm². Las características específicas del recubrimiento por pulverización catódica son:
(1) Alta tasa de deposición. Gracias al uso de electrodos, se pueden obtener corrientes iónicas de bombardeo del objetivo muy elevadas, lo que se traduce en una alta tasa de grabado por pulverización catódica en la superficie del objetivo y una alta tasa de deposición de la película en la superficie del sustrato.
(2) Alta eficiencia energética. La probabilidad de colisión entre electrones de baja energía y átomos de gas es alta, por lo que la tasa de ionización del gas aumenta considerablemente. En consecuencia, la impedancia del gas de descarga (o plasma) se reduce considerablemente. Por lo tanto, en comparación con la pulverización catódica bipolar de CC, incluso si la presión de trabajo se reduce de 1~10 Pa a 10-2~10-1 Pa, la tensión de pulverización catódica se reduce de varios miles de voltios a cientos de voltios, y la eficiencia de la pulverización catódica y la tasa de deposición aumentan significativamente.
(3) Pulverización catódica de baja energía. Debido al bajo voltaje catódico aplicado al objetivo, el plasma se encuentra ligado en el espacio cercano al cátodo por un campo magnético, lo que inhibe la incidencia de partículas cargadas de alta energía en el lateral del sustrato. Por lo tanto, el grado de daño causado por el bombardeo de partículas cargadas a sustratos como dispositivos semiconductores es menor que el de otros métodos de pulverización catódica.
–Este artículo es publicado porfabricante de máquinas de recubrimiento al vacíoGuangdong Zhenhua.
Hora de publicación: 08-sep-2023