A. spгары бөтерелү дәрәҗәсе. Мисал өчен, SiO2 чәчкәндә, чүпләнү тизлеге 200нм / мин, гадәттә 10 ~ 100нм / мин кадәр булырга мөмкин.
Filmәм кино формалашу тизлеге югары ешлык көченә турыдан-туры пропорциональ.
Б.Фильм белән субстрат арасындагы ябышу кино катламының вакуум пар парлавыннан зуррак. Бу вакыйганың тәненә нигезләнгән атомның уртача кинетик энергиясе якынча 10eV, һәм плазма субстратында каты чистартуга дучар ителәләр, нәтиҗәдә мембрана катламында аз тишекләр, югары чисталык, тыгыз мембрана катламы.
C. Мембрана материалының киң җайлашуы, металл яки металл булмаган яки кушылмалар, барлык материаллар диярлек түгәрәк тәлинкәгә әзерләнергә мөмкин, озак кулланылырга мөмкин.
D.Субстрат формасына таләпләр таләп ителми. Субстратның тигез булмаган өслеге яки киңлеге 1 ммнан да ким булмаган кечкенә кисәкләр барлыгы да кинога бәрелергә мөмкин.
Радио ешлыклы спуттер каплауны куллану aboveгарыдагы характеристикаларга нигезләнеп, хәзерге вакытта радио ешлыклы спуттеринг белән капланган каплау аеруча киң кулланыла, аеруча интеграль схемалар әзерләгәндә һәм диэлектрик функция фильмы аеруча киң кулланыла. Мәсәлән, үткәргеч булмаган һәм ярымүткәргеч материаллар, шул исәптән элементлар: ярымүткәргеч Si һәм Ge, ярымүткәргеч материаллар, GsAs, GaSb, GaN, InSb, InN, AIN, CaSe, Cds, PbTe, югары температуралы ярымүткәргечләр SiC, ферроэлектрик кушылмалар B14T3O12, газлаштыру материаллары TiO2, ZiO2, SnO2, PtO, HfO2, Bi2O2, ZnO2, CdO, пыяла, пластик һ.б.
Әгәр каплау палатасына берничә мишень куелса, бер үк вакытта вакуумны юк итмичә, бер палатада күп катлы фильм әзерләүне тәмамларга мөмкин. Дезульфид каплауны әзерләү өчен эчке һәм тышкы боҗралар йөртү өчен багышланган электрод радио ешлык җайланмасы - радио ешлык чыганагының ешлыгы 11.36МГц, максатчан көчәнеш 2 ~ 3кВ, гомуми көче 12 кВт, магнит индукция көченең эш диапазоны 6.5X10-4Pa. югары һәм түбән чокыр дәрәҗәсе. Алай гына да түгел, RF куллану көченең эффективлыгы түбән, һәм күп көч җылылыкка әверелә, ул суыткыч судан югала.
IsБу мәкалә бастырылганвакуум каплау машинасы җитештерүчеГуандун Чжэнхуа
Пост вакыты: 21-2023 декабрь