A. maualuga sputtering fua faatatau. Mo se faʻataʻitaʻiga, pe a sputtering SiO2, o le fua faatatau o le teuina e mafai ona oʻo atu i le 200nm / min, e masani lava i le 10 ~ 100nm / min.
Ma o le fua faatatau o le fa'avaeina o ata e fa'atatau sa'o i le malosi fa'alava maualuga.
B.O le adhesion i le va o le ata tifaga ma le substrate e sili atu nai lo le gaogao ausa deposition o le vaega ata tifaga. E mafua lenei mea i le faavae i le tino o le mea na tupu atoma averesi kinetic malosi o le e uiga i 10eV, ma i le substrate plasma o le a noatia i sputtering faamamā faamamā e mafua ai le itiiti o pinholes i le apa membrane, mama maualuga, mafiafia o le membrane.
C.Wide adaptability o mea membrane, pe uʻamea po o le uʻamea poʻo faʻafefiloi, toetoe lava o mea uma e mafai ona saunia i totonu o se ipu lapotopoto, e mafai ona faʻaaogaina mo se taimi umi.
D.O manaʻoga mo foliga o le substrate e le manaʻomia. O le le tutusa o luga o le substrate poʻo le iai o tamaʻi vaʻa ma le lautele e itiiti ifo i le 1mm e mafai foi ona faʻafefe i totonu o se ata tifaga.
Faʻaaogaina o le faʻaogaina o le faʻaogaina o le leitio Faʻavae i luga o uiga o loʻo i luga, o le faʻapipiʻiina o loʻo teuina e ala i le leitio faʻaogaina o loʻo sili atu ona faʻaaogaina i le taimi nei, aemaise lava i le sauniuniga o fesoʻotaʻiga tuʻufaʻatasia ma ata tifaga galuega dielectric e faʻaaogaina lautele. Mo se faʻataʻitaʻiga, mea e le faʻaaogaina ma semiconductor mea e teuina e le RF sputtering, e aofia ai elemene: semiconductor Si ma Ge, mea faʻapipiʻi GsAs, GaSb, GaN, InSb, InN, AIN, CaSe, Cds, PbTe, maualuga-vevela semiconductors SiC, ferroelectric compounds B14T3O12, meamea faʻapipiʻi ferroelectric B14T3O12, gasification mea Alina. Y203, TiO2, ZiO2, SnO2, PtO, HfO2, Bi2O2, ZnO2, CdO, tioata, palasitika, ma isi.
Afai e tele sini e tuʻuina i totonu o le potu faʻapipiʻi, e mafai foi ona faʻamaeʻaina le sauniuniga o le tele-layer film i totonu o le potu e tasi e aunoa ma le faʻaumatiaina o le masini i le taimi e tasi. Fa'apa'iaina eletise eletise eletise mo le tauaveina o totonu ma fafo mama mo le sauniuniga o le disulfide coating o se fa'ata'ita'iga o meafaigaluega e fa'aaogaina i le alaleo alavai alavai alavai o le 11.36MHz, fa'amoemoega voltage o le 2 ~ 3kV, le aofa'i o le mana o le 12kW, o le vaega galue o le malosi induction mageta o le 0.008T, le tapula'a o le vacuum vacuum 6.0.5X. maualuga ma maualalo le fua faatatau o le teuina. E le gata i lea, o le RF sputtering power utilization efficiency e maualalo, ma o le tele o le malosi e liua i le vevela, lea e leiloa mai le vai malulu o le sini.
–O lenei tusiga ua tatalaina emasini fa'apipi'i gaogao gaosimeaGuangdong Zhenhua
Taimi meli: Tes-21-2023