A. Héich Sputterrate. Zum Beispill, beim Sputtere vu SiO2 kann d'Oflagerungsrate bis zu 200 nm/min sinn, normalerweis bis zu 10~100 nm/min.
An d'Geschwindegkeet vun der Filmbildung ass direkt proportional zu der Héichfrequenzleistung.
B. D'Adhäsioun tëscht dem Film an dem Substrat ass méi grouss wéi d'Vakuumdampfoflagerung vun der Filmschicht. Dëst ass doduerch bedingt, datt d'Basis vum agefallenen Atom eng duerchschnëttlech kinetesch Energie vun ongeféier 10 eV huet, an am Plasmasubstrat gëtt et eng strikt Sputterreinigung, wat zu manner Lächer an der Membranschicht féiert, eng héich Rengheet an eng dicht Membranschicht.
C. Breet Adaptabilitéit vum Membranmaterial, egal ob Metall oder Netmetall oder Verbindungen, bal all Materialien kënnen zu enger ronner Plack preparéiert ginn, kënne fir eng laang Zäit benotzt ginn.
D. D'Ufuerderunge fir d'Form vum Substrat si net usprochsvoll. Déi ongläich Uewerfläch vum Substrat oder d'Existenz vu klenge Schlitzer mat enger Breet vu manner wéi 1 mm kënnen och an e Film gesputtert ginn.
Uwendung vun der Radiofrequenzsputterbeschichtung Baséierend op den uewe genannten Eegeschafte gëtt d'Beschichtung, déi duerch Radiofrequenzsputtering ofgesat gëtt, de Moment méi wäit verbreet benotzt, besonnesch bei der Virbereedung vun integréierte Schaltungen, an dielektresch Funktiounsfilmer ginn besonnesch wäit verbreet benotzt. Zum Beispill Net-Leeder- a Hallefleedermaterialien, déi duerch HF-Sputtering ofgesat ginn, dorënner Elementer: Hallefleeder Si a Ge, Verbindungsmaterialien GsAs, GaSb, GaN, InSb, InN, AIN, CaSe, Cds, PbTe, Héichtemperatur-Halbleeder SiC, ferroelektresch Verbindungen B14T3O12, Vergasungsobjektmaterialien In2Os, SiO2, Al203, Y203, TiO2, ZiO2, SnO2, PtO, HfO2, Bi2O2, ZnO2, CdO, Glas, Plastik, etc.
Wann e puer Ziler an der Beschichtungskammer placéiert ginn, ass et och méiglech, d'Virbereedung vun engem Méischichtfilm an der selwechter Kammer ofzeschléissen, ouni de Vakuum gläichzäiteg ze zerstéieren. En dedizéierten Elektroden-Radiofrequenzapparat fir d'Lagerung vun den bannenzegen an baussenzege Réng fir d'Virbereedung vun der Disulfidbeschichtung ass e Beispill vun der Ausrüstung, déi bei der Radiofrequenzquellfrequenz vun 11,36 MHz, der Zilspannung vun 2 ~ 3 kV, der Gesamtleistung vun 12 kW, dem Aarbechtsberäich vun der magnetescher Induktiounsstäerkt vun 0,008 T, der Limit vum Vakuum vun der Vakuumkammer ass 6,5 x 10⁻⁴ Pa benotzt gëtt. D'Oflagerungsquote ass héich an niddreg. Ausserdeem ass d'Leeschtungsausnotzungseffizienz vum RF-Sputtern niddreg, an eng grouss Quantitéit u Kraaft gëtt a Hëtzt ëmgewandelt, déi aus dem Killwaasser vum Zil verluer geet.
– Dësen Artikel gouf publizéiert vunHiersteller vu VakuumbeschichtungsmaschinnenGuangdong Zhenhua
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 21. Dezember 2023