A. Rêjeya bilind a sputterkirinê. Bo nimûne, dema ku SiO2 tê sputterkirin, rêjeya danînê dikare heta 200nm/min be, bi gelemperî heta 10~100nm/min.
Û rêjeya avakirina fîlmê rasterast bi hêza frekansa bilind re rêjeyî ye.
B. Pêvedana di navbera fîlm û substratê de ji danîna buxara valahiyê ya qata fîlmê mezintir e. Ev ji ber enerjiya kînetîk a navînî ya bingehê ji bo laşê atoma têketî ya bi qasî 10eV ye, û di substrata plazmayê de dê paqijkirina sputteringê ya hişk were derbas kirin ku di encamê de qulên piçûk di qata perdeyê de kêmtir dibin, paqijiya bilind, qata perdeyê ya zirav.
C. Lihevhatina berfireh a materyalê perdeyê, çi metal be çi nemetal be an jî pêkhate bin, hema hema hemî materyal dikarin bibin plakaya gilover, dikarin ji bo demek dirêj werin bikar anîn.
D. Mercên ji bo şeklê substratê ne dijwar in. Rûyê nehevseng ê substratê an hebûna qulên piçûk ên bi firehiya kêmtir ji 1 mm jî dikare di nav fîlimekê de were rijandin.
Bikaranîna pêçandina bi rêya sputterkirina radyofrekansê Li gorî taybetmendiyên jorîn, pêçandina ku bi rêya sputterkirina radyofrekansê hatiye razandin niha bi berfirehîtir tê bikar anîn, nemaze di amadekirina çerxên entegre de û fîlma fonksiyona dielektrîkê de bi taybetî bi berfirehî tê bikar anîn. Bo nimûne, materyalên ne-conductor û nîvconductor ên ku bi rêya sputterkirina RF hatine razandin, di nav de elementên wekî: nîvconductor Si û Ge, materyalên pêkhatî GsAs, GaSb, GaN, InSb, InN, AIN, CaSe, Cds, PbTe, nîvconductorên germahiya bilind SiC, pêkhateyên ferroelektrîk B14T3O12, materyalên tiştên gazkirinê In2Os, SiO2, Al203, Y203, TiO2, ZiO2, SnO2, PtO, HfO2, Bi2O2, ZnO2, CdO, cam, plastîk, hwd.
Eger çend hedef di odeya pêçandinê de bên danîn, amadekirina fîlma pir-qatî di heman odeyê de bêyî ku valahî di carekê de were xerakirin jî mimkun e. Amûra frekansa radyoyê ya elektrodê ya taybet ji bo xeleka hundir û derve ya hilgiran ji bo amadekirina pêçandina dîsulfîd mînakek ji alavên ku di frekansa çavkaniya frekansa radyoyê de têne bikar anîn e. Frekansa çavkaniya frekansa radyoyê 11.36MHz, voltaja hedef 2 ~ 3kV, hêza giştî 12kW, rêjeya xebatê ya hêza enduksîyona magnetîkî 0.008T, sînorê valahiya odeya valahiyê 6.5X10-4Pa ye. Rêjeya danîna bilind û nizm. Wekî din, karîgeriya karanîna hêza sputtering RF kêm e, û mîqdarek mezin ji hêzê vediguhere germê, ku ji ava sarbûna hedefê winda dibe.
- Ev gotar ji hêlaçêkerê makîneya boyaxkirina valahiyêGuangdong Zhenhua
Dema weşandinê: 21ê Kanûna Pêşîn a 2023an