A. Vitesse de pulvérisation cathodique élevée. Par exemple, lors de la pulvérisation de SiO2, la vitesse de dépôt peut atteindre 200 nm/min, généralement entre 10 et 100 nm/min.
Et le taux de formation du film est directement proportionnel à la puissance haute fréquence.
B. L'adhérence entre le film et le substrat est supérieure à celle obtenue par dépôt en phase vapeur sous vide. Cela est dû à l'énergie cinétique moyenne de l'atome incident, d'environ 10 eV, entre la base et le corps. Le substrat plasma sera soumis à un nettoyage par pulvérisation cathodique rigoureux, ce qui entraînera une réduction des piqûres dans la membrane, une pureté élevée et une couche membranaire dense.
C. Large adaptabilité du matériau de la membrane, qu'il soit métallique ou non métallique ou composé, presque tous les matériaux peuvent être préparés dans une plaque ronde, peuvent être utilisés pendant une longue période.
D. Les exigences relatives à la forme du substrat ne sont pas strictes. Une surface irrégulière ou la présence de petites fentes de moins de 1 mm de largeur peuvent également être pulvérisées pour former un film.
Français Application du revêtement de pulvérisation cathodique radiofréquence Sur la base des caractéristiques ci-dessus, le revêtement déposé par pulvérisation cathodique radiofréquence est actuellement plus largement utilisé, en particulier dans la préparation de circuits intégrés et de films à fonction diélectrique est particulièrement largement utilisé. Par exemple, les matériaux non conducteurs et semi-conducteurs déposés par pulvérisation cathodique RF, y compris les éléments : semi-conducteurs Si et Ge, matériaux composés GsAs, GaSb, GaN, InSb, InN, AIN, CaSe, Cds, PbTe, semi-conducteurs haute température SiC, composés ferroélectriques B14T3O12, matériaux d'objets de gazéification In2Os, SiO2, Al203, Y203, TiO2, ZiO2, SnO2, PtO, HfO2, Bi2O2, ZnO2, CdO, verre, plastique, etc.
Si plusieurs cibles sont placées dans la chambre de revêtement, il est également possible de réaliser la préparation d'un film multicouche dans la même chambre sans détruire le vide simultanément. Un dispositif radiofréquence à électrodes dédié aux bagues intérieures et extérieures de roulements pour la préparation d'un revêtement disulfure est un exemple d'équipement utilisé : fréquence de la source radiofréquence : 11,36 MHz, tension cible : 2 à 3 kV, puissance totale : 12 kW, plage de fonctionnement de l'induction magnétique : 0,008 T, vide limite de la chambre à vide : 6,5 x 10-4 Pa. Vitesse de dépôt : élevée ou faible. De plus, le rendement énergétique de la pulvérisation cathodique RF est faible, et une grande quantité d'énergie est convertie en chaleur, perdue par l'eau de refroidissement de la cible.
–Cet article est publié parfabricant de machines de revêtement sous videGuangdong Zhenhua
Date de publication : 21 décembre 2023