أ. معدل ترسيب عالي. على سبيل المثال، عند ترسيب ثاني أكسيد السيليكون (SiO2)، قد يصل معدل الترسيب إلى ٢٠٠ نانومتر/دقيقة، وعادةً ما يتراوح بين ١٠ و١٠٠ نانومتر/دقيقة.
ومعدل تكوين الفيلم يتناسب طرديا مع طاقة التردد العالي.
ب. الالتصاق بين الغشاء والركيزة أكبر من الترسيب البخاري الفراغي لطبقة الغشاء. ويعود ذلك إلى أن متوسط الطاقة الحركية للذرة الساقطة على القاعدة يبلغ حوالي 10 إلكترون فولت، وفي ركيزة البلازما، ستخضع لعملية تنظيف دقيقة بالرش، مما يُقلل من الثقوب الدقيقة في طبقة الغشاء، ويزيد من نقاء الطبقة وكثافتها.
ج. القدرة الواسعة على التكيف لمادة الغشاء، سواء كانت معدنية أو غير معدنية أو مركبات، يمكن تحضير جميع المواد تقريبًا في لوحة مستديرة، ويمكن استخدامها لفترة طويلة.
د. متطلبات شكل الركيزة ليست صارمة. يمكن أيضًا رشّ سطح الركيزة غير المستوي أو وجود شقوق صغيرة بعرض أقل من 1 مم في غشاء.
بناءً على الخصائص المذكورة أعلاه، يُستخدم الطلاء المُرسَّب برش الترددات الراديوية على نطاق واسع حاليًا، وخاصةً في تحضير الدوائر المتكاملة، كما يُستخدم غشاء الوظيفة العازلة على نطاق واسع. على سبيل المثال، المواد غير الموصلة وأشباه الموصلات المُرسَّبة برش الترددات الراديوية، بما في ذلك: أشباه الموصلات Si وGe، والمواد المركبة GsAs وGaSb وGaN وInSb وInN وAIN وCaSe وCds وPbTe، وأشباه الموصلات عالية الحرارة SiC، والمركبات الكهروضوئية B14T3O12، ومواد مواد التغويز In2Os وSiO2 وAl2O3 وY2O3 وTiO2 وZiO2 وSnO2 وPtO وHfO2 وBi2O2 وZnO2 وCdO، والزجاج والبلاستيك، إلخ.
عند وضع عدة أهداف في حجرة الطلاء، يُمكن إكمال تحضير غشاء متعدد الطبقات في نفس الحجرة دون إتلاف الفراغ دفعةً واحدة. يُعد جهاز تردد الراديو المُخصص للأقطاب الكهربائية، المُخصص لحلقات المحامل الداخلية والخارجية، لتحضير طلاء ثنائي الكبريتيد مثالاً على المعدات المُستخدمة في تردد مصدر تردد الراديو 11.36 ميجاهرتز، وجهد الهدف من 2 إلى 3 كيلوفولت، وطاقة إجمالية 12 كيلوواط، ونطاق عمل قوة الحث المغناطيسي 0.008 تسلا، وحد فراغ حجرة التفريغ هو 6.5 × 10-4 باسكال. يتميز كلٌّ من معدل الترسيب العالي والمنخفض. علاوةً على ذلك، فإن كفاءة استخدام طاقة الرش الترددي منخفضة، حيث تُحوّل كمية كبيرة من الطاقة إلى حرارة تُفقد من مياه تبريد الهدف.
-تم نشر هذه المقالة بواسطةمُصنِّع آلات طلاء الفراغقوانغدونغ تشنهوا
وقت النشر: ٢١ ديسمبر ٢٠٢٣