У процесі напилення сполуки можуть бути використані як мішені для отримання хімічно синтезованих плівок. Однак склад плівки, що утворюється після напилення матеріалу мішені, часто значно відрізняється від початкового складу матеріалу мішені, і тому не відповідає вимогам оригінальної конструкції. Якщо використовується чиста металева мішень, необхідний активний газ (наприклад, кисень при отриманні оксидних плівок) свідомо змішується з робочим (розрядним) газом, щоб він хімічно реагував з матеріалом мішені, утворюючи тонку плівку, склад і характеристики якої можна контролювати. Цей метод часто називають «реакційним напиленням».
Як згадувалося раніше, радіочастотне розпилення може бути використане для осадження діелектричних плівок та різних складних плівок. Однак, щоб отримати «чисту» плівку, необхідно мати «чисту» мішень, високочистий оксидний, нітридний, карбідний або інший складний порошок. Переробка цих порошків у мішень певної форми вимагає додавання добавок, необхідних для формування або спікання, що призводить до значного зниження чистоти мішені та отриманої плівки. Однак при реактивному розпиленні, оскільки можна використовувати високочисті метали та високочисті гази, забезпечуються зручні умови для отримання високочистих плівок. Реактивне розпилення останніми роками привертає все більшу увагу та стало основним методом осадження тонких плівок різних функціональних сполук. Він широко використовується у виробництві сполук IV, I- та IV-V, тугоплавких напівпровідників та різноманітних оксидів, таких як використання полікристалічної суміші газів Si та CH₄/Ar для осадження тонких плівок SiC, мішені Ti та N/Ar для отримання твердих плівок TiN, Ta та O/Ar для отримання TaO₃; діелектричних тонких плівок, Fe та O₃/Ar для отримання -FezO₃; записуючих плівок -FezO₃, п'єзоелектричних плівок AIN з Al та N/Ar, селективних поглинаючих плівок A1-CO з Al та CO/Ar, та надпровідних плівок YBaCuO з Y-Ba-Cu та O/Ar, серед інших.
–Цю статтю опубліковановиробник вакуумних машин для покриттяГуандун Чженьхуа
Час публікації: 18 січня 2024 р.