Чүпрәле каплау процессында кушылмалар химик синтезланган фильмнар әзерләү өчен максат булып кулланылырга мөмкин. Ләкин, максатлы материалны чәчкәннән соң ясалган фильмның композициясе еш кына максатчан материалның оригиналь композициясеннән бик нык читкә тайпыла, шуңа күрә оригиналь дизайн таләпләренә туры килми. Әгәр дә саф металл максат кулланылса, кирәкле актив газ (мәсәлән, оксид пленкаларын әзерләгәндә кислород) аңлы рәвештә эш (агызу) газына кушыла, шуңа күрә ул максатчан материал белән химик реакция ясый, аның составы һәм характеристикалары буенча контрольдә тотыла торган нечкә пленка җитештерә. Бу ысул еш кына “реакция спуттеринг” дип атала.
Алда әйтелгәнчә, диэлектрик фильмнарны һәм төрле катнаш фильмнарны урнаштыру өчен, RF спуттеры кулланырга мөмкин. Ләкин, "саф" фильм әзерләү өчен, "саф" максат, югары чисталыклы оксид, нитрид, карбид яки башка катнаш порошок булырга тиеш. Бу порошокларны билгеле бер формадагы максатка эшкәртү формалаштыру яки синтерлау өчен кирәкле өстәмәләр кушуны таләп итә, бу максатның чисталыгын һәм нәтиҗә ясаган фильмны сизелерлек киметә. Ләкин реактив бөтерүдә, югары чисталыклы металллар һәм югары чисталыклы газлар кулланыла алганлыктан, югары чисталыклы фильмнар әзерләү өчен уңайлы шартлар тудырылган. Соңгы елларда реактив бөтерелү игътибарын арттырды һәм төрле функциональ кушылмаларның нечкә фильмнарын яудыруның төп ысулы булды. Бу IV, I- һәм IV-V кушылмалары, отряд ярымүткәргечләр, һәм төрле оксидлар җитештерүдә киң кулланылган, мәсәлән, поликристалл Si һәм CH./A газ катнашмасы SiC нечкә фильмнары, Ti максаты һәм N / Ar TiN каты фильмнар әзерләү өчен; диэлектрик нечкә фильмнар, Fe һәм O, / Ar -FezO әзерләү өчен; -ФезО. фильмнарны яздыру, A1 һәм N / Ar белән AIN пиезоэлектрик фильмнар, AI һәм CO / Ar белән A1-CO сайлап алу фильмнары, Y-Ba-Cu һәм O / Ar белән YBaCuO-үткәргеч фильмнар.
IsБу мәкалә бастырылганвакуум каплау машинасы җитештерүчеГуандун Чжэнхуа
Пост вакыты: 18-2024 гыйнвар