Шүршигч бүрэх процесст нэгдлүүдийг химийн нийлэгжүүлсэн хальс бэлтгэх зорилт болгон ашиглаж болно. Гэсэн хэдий ч зорилтот материалыг цацсаны дараа үүссэн хальсны найрлага нь зорилтот материалын анхны найрлагаас ихээхэн зөрүүтэй байдаг тул анхны дизайны шаардлагыг хангадаггүй. Хэрэв цэвэр металлын бай ашигласан бол шаардлагатай идэвхтэй хий (жишээ нь ислийн хальс бэлтгэх үед хүчилтөрөгч) нь ухамсартайгаар ажиллаж байгаа хий рүү холилдож, зорилтот материалтай химийн урвалд орж найрлага, шинж чанараараа удирдаж болохуйц нимгэн хальс үүсгэдэг. Энэ аргыг ихэвчлэн "реакцийн шүрших" гэж нэрлэдэг.
Өмнө дурьдсанчлан, RF-ийн цацалтыг диэлектрик хальс болон төрөл бүрийн нийлмэл хальсыг буулгахад ашиглаж болно. Гэсэн хэдий ч "цэвэр" хальс бэлтгэхийн тулд "цэвэр" бай, өндөр цэвэршилттэй исэл, нитрид, карбид эсвэл бусад нийлмэл нунтаг байх шаардлагатай. Эдгээр нунтагыг тодорхой хэлбэрийн зорилтот болгон боловсруулахын тулд хэвэнд оруулах эсвэл нунтаглахад шаардлагатай нэмэлтийг нэмж оруулах шаардлагатай бөгөөд энэ нь зорилтот болон үүссэн хальсны цэвэр байдлыг мэдэгдэхүйц бууруулдаг. Харин реактив шүршихэд өндөр цэвэршилттэй металл болон өндөр цэвэршилттэй хий ашиглах боломжтой тул өндөр цэвэршилттэй хальс бэлтгэх таатай нөхцлийг бүрдүүлдэг. Сүүлийн жилүүдэд реактив шүрших нь ихээхэн анхаарал хандуулж, янз бүрийн функциональ нэгдлүүдийн нимгэн хальсыг тунадасжуулах гол арга болжээ. Энэ нь IV, I-, IV-V нэгдлүүд, галд тэсвэртэй хагас дамжуулагч, олон талст исэл үйлдвэрлэхэд өргөн хэрэглэгддэг бөгөөд тухайлбал, олон талст Si ба CH./Ar хольцыг SiC нимгэн хальсны хур тунадас, TiN хатуу хальс бэлтгэхэд Ti зорилтот ба N/Ar, Ta, O/O; диэлектрик нимгэн хальс, Fe ба O,/Ar бэлтгэх -FezO; -Фезо. бичлэгийн хальс, A1 ба N/Ar-тай AIN пьезоэлектрик хальс, AI ба CO/Ar-тай A1-CO сонгомол шингээгч хальс, Y-Ba-Cu ба O/Ar-тай YBaCuO хэт дамжуулагч хальс гэх мэт.
-Энэ нийтлэлийг нийтэлсэнвакуум бүрэх машин үйлдвэрлэгчГуандун Жэнхуа
Шуудангийн цаг: 2024 оны 1-р сарын 18-ны хооронд