Izsmidzināšanas pārklāšanas procesā savienojumus var izmantot kā mērķus ķīmiski sintezētu plēvju pagatavošanai. Tomēr pēc mērķa materiāla izsmidzināšanas radītās plēves sastāvs bieži vien ievērojami atšķiras no mērķa materiāla sākotnējā sastāva un tāpēc neatbilst sākotnējās konstrukcijas prasībām. Ja tiek izmantots tīra metāla mērķis, nepieciešamā aktīvā gāze (piemēram, skābeklis, gatavojot oksīda plēves) tiek apzināti sajaukta ar darba (izlādes) gāzi, lai tā ķīmiski reaģētu ar mērķa materiālu, veidojot plānu plēvi, kuras sastāvu un īpašības var kontrolēt. Šo metodi bieži sauc par "reakcijas izsmidzināšanu".
Kā jau minēts iepriekš, RF izsmidzināšanu var izmantot dielektrisko plēvju un dažādu savienojumu plēvju uzklāšanai. Tomēr, lai sagatavotu "tīru" plēvi, ir nepieciešams "tīrs" mērķis - augstas tīrības pakāpes oksīds, nitrīds, karbīds vai cits savienojuma pulveris. Šo pulveru apstrāde noteiktas formas mērķī prasa pievienot piedevas, kas nepieciešamas formēšanai vai saķepināšanai, kā rezultātā ievērojami samazinās mērķa un iegūtās plēves tīrība. Tomēr reaktīvajā izsmidzināšanā, tā kā var izmantot augstas tīrības pakāpes metālus un augstas tīrības pakāpes gāzes, tiek nodrošināti ērti apstākļi augstas tīrības pakāpes plēvju sagatavošanai. Reaktīvā izsmidzināšana pēdējos gados ir piesaistījusi arvien lielāku uzmanību un ir kļuvusi par galveno metodi dažādu funkcionālo savienojumu plānu plēvju nogulsnēšanai. To plaši izmanto IV, I un IV-V savienojumu, ugunsizturīgu pusvadītāju un dažādu oksīdu ražošanā, piemēram, izmantojot polikristālisku Si un CH₃₁/Ar gāzu maisījumu, lai ierosinātu SiC plāno plēvju nogulsnēšanos, Ti mērķi un N₂/Ar, lai sagatavotu TiN cietās plēves, Ta un O/Ar, lai sagatavotu TaO₂; dielektriskās plānās plēves, Fe un O₂/Ar, lai sagatavotu -FezO₃; -FezO₃ ierakstīšanas plēves, AIN pjezoelektriskās plēves ar A1 un N₂/Ar, A1-CO selektīvās absorbcijas plēves ar AI un CO/Ar, un YBaCuO₄-supravadošās plēves ar Y-Ba-Cu un O/Ar, cita starpā.
– Šo rakstu publicēvakuuma pārklāšanas mašīnu ražotājsGuandunas Dženhua
Publicēšanas laiks: 2024. gada 18. janvāris