Beim Sputterbeschichtungsprozess kënne Verbindungen als Ziler fir d'Virbereedung vu chemesch synthetiséierte Filmer benotzt ginn. D'Zesummesetzung vum Film, deen nom Sputteren vum Zilmaterial entsteet, wäicht awer dacks staark vun der ursprénglecher Zesummesetzung vum Zilmaterial of a erfëllt dofir net d'Ufuerderunge vum ursprénglechen Design. Wann en rengt Metallzil benotzt gëtt, gëtt dat erfuerderlecht aktivt Gas (z. B. Sauerstoff bei der Virbereedung vun Oxidfilmer) bewosst an d'Aarbechts- (Entladungs-) Gas gemëscht, sou datt et chemesch mam Zilmaterial reagéiert fir e dënne Film ze produzéieren, deen a punkto Zesummesetzung a Charakteristike kontrolléiert ka ginn. Dës Method gëtt dacks als "Reaktiounssputtering" bezeechent.
Wéi schonn erwähnt, kann HF-Sputtering benotzt ginn fir dielektresch Filmer a verschidde Verbindungsfilmer ofzesetzen. Fir awer e "reng" Film ze preparéieren, ass et néideg e "reng" Zil, en héichreinegen Oxid-, Nitrid-, Karbid- oder aner Verbindungspulver. D'Veraarbechtung vun dëse Pulver zu engem Zil vun enger bestëmmter Form erfuerdert d'Zousätz vun Zousätz, déi fir d'Formen oder d'Sinteren néideg sinn, wat zu enger bedeitender Reduktioun vun der Rengheet vum Zil an dem resultéierende Film féiert. Beim reaktive Sputtering ginn awer, well héichreine Metaller a héichreine Gaser benotzt kënne ginn, gëeegent Konditioune fir d'Virbereedung vun héichreine Filmer geschaf. Reaktive Sputtering huet an de leschte Jore ëmmer méi Opmierksamkeet kritt a ass zu enger wichteger Method fir d'Ausfällung vun dënne Filmer vu verschiddene funktionelle Verbindungen ginn. Et gouf wäit verbreet bei der Fabrikatioun vun IV-, I- an IV-V-Verbindungen, refraktäre Hallefleeder a verschiddenen Oxiden agesat, wéi zum Beispill d'Benotzung vu polykristallinem Si- a CH₄/Ar-Gasmëschunge fir d'Ausfällung vu SiC-Dënnschichten, Ti-Zil an N/Ar fir TiN-Hartschichten ze preparéieren, Ta an O/Ar fir TaO₂ ze preparéieren; dielektresch Dënnschichten, Fe an O₂/Ar fir -FezO₂ ze preparéieren; -FezO₂-Opnamschichten, AIN-piezoelektresch Schichte mat A1 an N/Ar, A1-CO-selektiv Absorptiounsschichten mat AI a CO/Ar, an YBaCuO₂-supraleetend Schichte mat Y-Ba-Cu an O/Ar, ënner anerem.
– Dësen Artikel gouf publizéiert vunHiersteller vu VakuumbeschichtungsmaschinnenGuangdong Zhenhua
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 18. Januar 2024