შესხურებითი საფარის პროცესში, ნაერთების გამოყენება შესაძლებელია ქიმიურად სინთეზირებული ფირების მოსამზადებლად სამიზნეებად. თუმცა, სამიზნე მასალის შესხურების შემდეგ წარმოქმნილი ფირის შემადგენლობა ხშირად მნიშვნელოვნად განსხვავდება სამიზნე მასალის თავდაპირველი შემადგენლობისგან და, შესაბამისად, არ აკმაყოფილებს თავდაპირველი დიზაინის მოთხოვნებს. თუ გამოიყენება სუფთა ლითონის სამიზნე, საჭირო აქტიური აირი (მაგ., ჟანგბადი ოქსიდური ფირების მომზადებისას) შეგნებულად ერწყმის სამუშაო (გამონადენის) გაზს, ისე, რომ ის ქიმიურად რეაგირებს სამიზნე მასალასთან თხელი ფირის წარმოსაქმნელად, რომლის კონტროლიც შესაძლებელია მისი შემადგენლობისა და მახასიათებლების თვალსაზრისით. ამ მეთოდს ხშირად „რეაქციის შესხურებას“ უწოდებენ.
როგორც ადრე აღვნიშნეთ, რადიოსიხშირული გაფრქვევა შეიძლება გამოყენებულ იქნას დიელექტრული ფირების და სხვადასხვა ნაერთი ფირების დასაფენად. თუმცა, „სუფთა“ ფირის მოსამზადებლად აუცილებელია „სუფთა“ სამიზნის, მაღალი სისუფთავის ოქსიდის, ნიტრიდის, კარბიდის ან სხვა ნაერთის ფხვნილის ქონა. ამ ფხვნილების გარკვეული ფორმის სამიზნედ დამუშავება მოითხოვს ჩამოსხმისთვის ან შედუღებისთვის საჭირო დანამატების დამატებას, რაც იწვევს სამიზნის და შედეგად მიღებული ფირის სისუფთავის მნიშვნელოვან შემცირებას. თუმცა, რეაქტიული გაფრქვევისას, რადგან შესაძლებელია მაღალი სისუფთავის ლითონების და მაღალი სისუფთავის აირების გამოყენება, მაღალი სისუფთავის ფირების მოსამზადებლად მოსახერხებელი პირობებია უზრუნველყოფილი. რეაქტიულ გაფრქვევას ბოლო წლებში სულ უფრო მეტი ყურადღება ექცევა და სხვადასხვა ფუნქციური ნაერთების თხელი ფირების დალექვის ძირითად მეთოდად იქცა. ის ფართოდ გამოიყენება IV, I- და IV-V ნაერთების, ცეცხლგამძლე ნახევარგამტარების და სხვადასხვა ოქსიდების წარმოებაში, როგორიცაა პოლიკრისტალური Si და CH4./Ar აირების ნარევის გამოყენება SiC თხელი ფენების დასალექად, Ti სამიზნის და N/Ar-ის გამოყენება TiN მყარი ფენების დასალექად, Ta და O/Ar-ის გამოყენება TaO-ს მოსამზადებლად; დიელექტრიკული თხელი ფენების, Fe და O,/Ar-ის წარმოება -FezO2-ის მოსამზადებლად; -FezO2-ის ჩამწერი ფენების, AIN პიეზოელექტრული ფენების A1 და N/Ar-ით, A1-CO შერჩევითი შთანთქმის ფენების AI და CO/Ar-ით და YBaCuO2-ზეგამტარი ფენების წარმოებაში Y-Ba-Cu და O/Ar-ით და სხვა.
- ეს სტატია გამოქვეყნებულიავაკუუმური საფარის მანქანის მწარმოებელიგუანგდონგ ჟენხუა
გამოქვეყნების დრო: 2024 წლის 18 იანვარი