U procesu raspršivanja, spojevi se mogu koristiti kao mete za pripremu kemijski sintetiziranih filmova. Međutim, sastav filma nastalog nakon raspršivanja ciljnog materijala često uvelike odstupa od izvornog sastava ciljnog materijala i stoga ne zadovoljava zahtjeve izvornog dizajna. Ako se koristi čista metalna meta, potreban aktivni plin (npr. kisik pri pripremi oksidnih filmova) svjesno se miješa u radni (ispuštajući) plin, tako da kemijski reagira s ciljnim materijalom i stvara tanki film čiji se sastav i karakteristike mogu kontrolirati. Ova se metoda često naziva „reaktivno raspršivanje“.
Kao što je ranije spomenuto, RF raspršivanje može se koristiti za nanošenje dielektričnih filmova i raznih složenih filmova. Međutim, kako bi se pripremio „čisti“ film, potrebno je imati „čistu“ metu, visokočisti oksidni, nitridni, karbidni ili drugi složeni prah. Prerada ovih prahova u metu određenog oblika zahtijeva dodavanje aditiva potrebnih za oblikovanje ili sinteriranje, što rezultira značajnim smanjenjem čistoće mete i rezultirajućeg filma. Međutim, kod reaktivnog raspršivanja, budući da se mogu koristiti visokočisti metali i visokočisti plinovi, osiguravaju se prikladni uvjeti za pripremu visokočistih filmova. Reaktivno raspršivanje posljednjih je godina dobilo sve veću pozornost i postalo je glavna metoda za taloženje tankih filmova različitih funkcionalnih spojeva. Široko se koristi u proizvodnji IV, I- i IV-V spojeva, vatrostalnih poluvodiča i raznih oksida, kao što je upotreba polikristalne smjese plinova Si i CH₄/Ar za taloženje tankih SiC filmova, Ti mete i N/Ar za pripremu tvrdih TiN filmova, Ta i O/Ar za pripremu TaO₂; dielektričnih tankih filmova, Fe i O₂/Ar za pripremu -FezO₄; -FezO₄ filmova za snimanje, AIN piezoelektričnih filmova s A1 i N/Ar, A1-CO selektivnih apsorpcijskih filmova s AI i CO/Ar, te YBaCuO-supravodljivih filmova s Y-Ba-Cu i O/Ar, između ostalog.
–Ovaj članak objavljujeproizvođač strojeva za vakuumsko premazivanjeGuangdong Zhenhua
Vrijeme objave: 18. siječnja 2024.