Lors du procédé de revêtement par pulvérisation cathodique, des composés peuvent servir de cibles pour la préparation de films synthétiques. Cependant, la composition du film généré après pulvérisation cathodique du matériau cible diffère souvent fortement de celle d'origine et ne répond donc pas aux exigences de la conception initiale. Si une cible en métal pur est utilisée, le gaz actif requis (par exemple, l'oxygène pour la préparation de films d'oxyde) est mélangé au gaz de travail (de décharge), de sorte qu'il réagit chimiquement avec le matériau cible pour produire un film mince dont la composition et les caractéristiques peuvent être contrôlées. Cette méthode est souvent appelée « pulvérisation cathodique réactive ».
Comme mentionné précédemment, la pulvérisation cathodique RF permet de déposer des films diélectriques et divers films composés. Cependant, pour obtenir un film « pur », il est nécessaire de disposer d'une cible pure, une poudre d'oxyde, de nitrure, de carbure ou autre composé de haute pureté. La transformation de ces poudres en une cible d'une forme donnée nécessite l'ajout d'additifs nécessaires au moulage ou au frittage, ce qui entraîne une réduction significative de la pureté de la cible et du film obtenu. En revanche, la pulvérisation cathodique réactive, grâce à la possibilité d'utiliser des métaux et des gaz de haute pureté, offre des conditions propices à la préparation de films de haute pureté. La pulvérisation cathodique réactive a suscité un intérêt croissant ces dernières années et est devenue une méthode majeure pour la précipitation de couches minces de divers composés fonctionnels. Il a été largement utilisé dans la fabrication de composés IV, I- et IV-V, de semi-conducteurs réfractaires et d'une variété d'oxydes, tels que l'utilisation de mélange de gaz Si polycristallin et CH./Ar pour déclencher la précipitation de films minces de SiC, cible Ti et N/Ar pour préparer des films durs TiN, Ta et O/Ar pour préparer TaO ; films minces diélectriques, Fe et O,/Ar pour préparer -FezO ; -FezO. films d'enregistrement, films piézoélectriques AIN avec A1 et N/Ar, films d'absorption sélective A1-CO avec AI et CO/Ar, et films supraconducteurs YBaCuO avec Y-Ba-Cu et O/Ar, entre autres.
–Cet article est publié parfabricant de machines de revêtement sous videGuangdong Zhenhua
Date de publication : 18 janvier 2024