En el proceso de recubrimiento por pulverización catódica, se pueden utilizar compuestos como dianas para la preparación de películas sintetizadas químicamente. Sin embargo, la composición de la película generada tras la pulverización del material diana suele diferir considerablemente de la composición original y, por lo tanto, no cumple los requisitos del diseño original. Si se utiliza una diana de metal puro, el gas activo necesario (p. ej., oxígeno para la preparación de películas de óxido) se mezcla con el gas de trabajo (descarga), de modo que reacciona químicamente con el material diana y produce una película delgada cuya composición y características se pueden controlar. Este método se conoce a menudo como "pulverización catódica reactiva".
Como se mencionó anteriormente, la pulverización catódica por radiofrecuencia (RF) puede utilizarse para depositar películas dieléctricas y diversas películas compuestas. Sin embargo, para preparar una película "pura", es necesario contar con un blanco "puro", un polvo de óxido, nitruro, carburo u otro compuesto de alta pureza. El procesamiento de estos polvos para obtener un blanco con una forma determinada requiere la adición de aditivos necesarios para el moldeo o la sinterización, lo que resulta en una reducción significativa de la pureza del blanco y de la película resultante. Sin embargo, en la pulverización catódica reactiva, dado que se pueden utilizar metales y gases de alta pureza, se proporcionan condiciones convenientes para la preparación de películas de alta pureza. La pulverización catódica reactiva ha recibido cada vez más atención en los últimos años y se ha convertido en un método importante para la precipitación de películas delgadas de diversos compuestos funcionales. Se ha utilizado ampliamente en la fabricación de compuestos IV, I y IV-V, semiconductores refractarios y una variedad de óxidos, como el uso de Si policristalino y mezcla de gases CH./Ar para disparar la precipitación de películas delgadas de SiC, objetivo de Ti y N/Ar para preparar películas duras de TiN, Ta y O/Ar para preparar TaO; películas delgadas dieléctricas, Fe y O,/Ar para preparar -FezO; películas de grabación de -FezO., películas piezoeléctricas AIN con A1 y N/Ar, películas de absorción selectiva A1-CO con AI y CO/Ar, y películas superconductoras YBaCuO con Y-Ba-Cu y O/Ar, entre otras.
–Este artículo es publicado porfabricante de máquinas de recubrimiento al vacíoGuangdong Zhenhua
Hora de publicación: 18 de enero de 2024