Šta je premaz otpornog isparavanja izvorom?

Premaz otpornim isparavanjem je osnovna metoda vakuumskog isparavanja. "Isparavanje" se odnosi na metodu pripreme tankog filma u kojoj se materijal premaza u vakuumskoj komori zagrijava i isparava, tako da atomi ili molekuli materijala isparavaju i izlaze s površine, formirajući fenomen protoka pare, koji pada na površinu podloge ili supstrata i konačno se kondenzuje u čvrsti film.

Takozvana metoda prevlačenja izvora otpornog isparavanja sastoji se u korištenju tantala, molibdena, volframa i drugih metala s visokom tačkom topljenja za izradu odgovarajućeg oblika izvora isparavanja, koji se napuni materijalima koji se isparavaju, propušta zrak kroz njega, direktno zagrijava i isparava isparene materijale ili se materijali koji se isparavaju stavljaju u lončiće od aluminija, berilij oksida i drugih materijala za indirektno zagrijavanje i isparavanje. Ovo je metoda isparavanja otpornim zagrijavanjem.

TheMašina za vakuumsko isparavanje i premazivanjeZagrijavanje i isparavanje otpornim grijačem ima prednosti jednostavne strukture, niske cijene i pouzdane upotrebe. Može se koristiti za isparavanje materijala s niskom tačkom topljenja, posebno za masovnu proizvodnju s niskim zahtjevima za kvalitetom premaza. Do sada postoji veliki broj procesa premazivanja otpornim zagrijavanjem i isparavanjem koji se koriste u proizvodnji aluminiziranih ogledala.

Nedostaci metode premazivanja isparavanjem izvora otpora su ograničena maksimalna temperatura koja se može postići zagrijavanjem, a i kratak vijek trajanja grijača. Posljednjih godina, kako bi se poboljšao vijek trajanja izvora otpora, tvornica opreme je usvojila provodni keramički materijal sintetiziran boron nitridom s dugim vijekom trajanja kao izvor isparavanja. Prema japanskom patentnom izvještaju, mogu se koristiti materijali sastavljeni od 20%~30% boron nitrida i vatrostalnih materijala koji se mogu s njim spojiti kako bi se napravio izvor isparavanja (lonac), te se njegova površina prekriva slojem cirkonija koji sadrži 62%~82%, a ostatak su legure cirkonija i silicija.