U procesu raspršivanja, spojevi se mogu koristiti kao mete za pripremu hemijski sintetiziranih filmova. Međutim, sastav filma generiranog nakon raspršivanja materijala mete često uveliko odstupa od originalnog sastava materijala mete i stoga ne ispunjava zahtjeve originalnog dizajna. Ako se koristi čista metalna meta, potreban aktivni plin (npr. kisik pri pripremi oksidnih filmova) se svjesno miješa u radni (ispuštajući) plin, tako da hemijski reagira s materijalom mete i stvara tanki film čiji se sastav i karakteristike mogu kontrolirati. Ova metoda se često naziva "reaktivno raspršivanje".
Kao što je ranije spomenuto, RF raspršivanje se može koristiti za nanošenje dielektričnih filmova i raznih složenih filmova. Međutim, da bi se pripremio "čisti" film, potrebno je imati "čistu" metu, visokočisti oksidni, nitridni, karbidni ili drugi složeni prah. Prerada ovih prahova u metu određenog oblika zahtijeva dodavanje aditiva potrebnih za oblikovanje ili sinterovanje, što rezultira značajnim smanjenjem čistoće mete i rezultirajućeg filma. Međutim, kod reaktivnog raspršivanja, budući da se mogu koristiti visokočisti metali i visokočisti plinovi, obezbjeđuju se povoljni uslovi za pripremu visokočistih filmova. Reaktivno raspršivanje posljednjih godina privlači sve veću pažnju i postalo je glavna metoda za taloženje tankih filmova različitih funkcionalnih spojeva. Široko se koristi u proizvodnji IV, I- i IV-V spojeva, vatrostalnih poluprovodnika i raznih oksida, kao što je upotreba polikristalne smjese plinova Si i CH₄/Ar za taloženje tankih SiC filmova, Ti mete i N/Ar za pripremu tvrdih TiN filmova, Ta i O/Ar za pripremu TaO₂; dielektričnih tankih filmova, Fe i O₂/Ar za pripremu -FezO₄; -FezO₄ filmova za snimanje, AIN piezoelektričnih filmova sa A1 i N/Ar, A1-CO selektivnih apsorpcijskih filmova sa AI i CO/Ar, i YBaCuO-superprovodljivih filmova sa Y-Ba-Cu i O/Ar, između ostalog.
–Ovaj članak je objavljen od straneproizvođač mašina za vakuumsko premazivanjeGuangdong Zhenhua
Vrijeme objave: 18. januar 2024.