Guangdong Zhenhua Teknoloji Şirketi'ne hoş geldiniz.
tek afiş

DPC Seramik Alt Tabaka Metalizasyon Yöntemiyle: Vakum Püskürtmeli Ti/Cu Tohum Tabakalarının Dört Temel Zorluğu

Makale kaynağı: Zhenhua vakum
Okundu: 14
Yayınlanma tarihi: 26-08-27

Çip ve elektronik cihazlar minyatürleşme ve daha yüksek entegrasyon yönünde gelişmeye devam ettikçe, devrelerin yalnızca seramik alt tabakaların yüzeyinde üretilmesi, giderek artan bağlantı ve yönlendirme gereksinimlerini artık karşılayamamaktadır. Bu nedenle, alt tabakanın ön ve arka taraflarını elektriksel olarak bağlamak, bağlantı yollarını kısaltmak ve devre yoğunluğunu artırmak için mikrovia'lara ihtiyaç duyulmaktadır. Sonuç olarak, DPC (Doğrudan Kaplamalı Bakır) via metalizasyon teknolojisi, LED'ler, lazerler, optik iletişim, RF cihazları ve güç elektroniği dahil olmak üzere birçok uygulamada yaygın olarak kullanılmaktadır.

Ancak seramik alt tabakalar doğaları gereği elektriksel olarak yalıtkandır. Alt tabaka üzerinden mikro delikler oluşturmak, iki taraf arasında elektriksel süreklilik sağlamaz. Asıl zorluk, mikro deliklerin iç duvarları boyunca sürekli ve güvenilir bir metalik tohum tabakası oluşturmaktır.

1

1. Seramik Mikrovialar Aracılığıyla Elektriksel Süreklilik Nasıl Sağlanır?

Metalizasyon yoluyla DPC, tipik olarak seramik alt tabakada mikro delikler oluşturmak için lazerle delme işlemiyle başlar; bu delikler genellikle konik veya düz geçişli delikler şeklindedir. Daha sonra mikro delikler ve alt tabaka yüzeyi, delme kalıntılarını, nemi ve diğer kirleticileri gidermek için iyice temizlenir ve gazdan arındırılır. Ardından, alt tabaka yüzeyine ve mikro deliklerin iç duvarları boyunca, tipik olarak 50-200 nm kalınlığında bir Ti yapışma tabakası ve ardından tipik olarak 0,5-2 μm kalınlığında bir Cu iletken tohum tabakası biriktirmek için vakum püskürtme işlemi kullanılır.

2

Ti katmanı, metal film ile seramik alt tabaka arasındaki yapışma mukavemetini artırmak için bir yapışma katmanı görevi görürken, Cu tohum katmanı daha sonraki elektrokaplama için sürekli bir iletken temel sağlar. Bakır katmanı daha sonra elektrokaplama ile, tipik olarak 5-20 μm kalınlığa kadar daha da oluşturulur ve sonuç olarak metalize edilmiş geçiş yolları aracılığıyla ön ve arka taraflardaki devreler arasında güvenilir elektriksel süreklilik sağlanır. Basitçe ifade etmek gerekirse, vakum püskürtme iletken temeli sağlarken, daha sonraki elektrokaplama bakır kalınlığını artırarak geçiş yolu direncini azaltır ve ara bağlantı güvenilirliğini artırır.

İşlem basit görünse de, güvenilir bağlantı için kritik bir ön koşul gereklidir: Ti/Cu tohum tabakası, alt tabaka yüzeyini ve her bir mikro bağlantı deliğinin tüm iç duvarını tamamen ve sürekli olarak kaplamalıdır.

2. DPC Via'lar için Vakum Püskürtme Yöntemiyle Ti/Cu Tohum Katmanlarının Oluşturulmasında Karşılaşılan Dört Temel Zorluk

Dar mikro deliklerin içinde sürekli bir tohum tabakası oluşturmak hiç de kolay değildir. Deliklerin içinde kalan kalıntılar film yapışmasını tehlikeye atabilirken, mikro delik geometrisi yan duvar kaplamasını giderek zorlaştırır. Tohum tabakasındaki yerel süreksizlikler sonraki elektrokaplamayı kesintiye uğratabilirken, farklı alt tabaka konumları ve üretim partileri arasındaki farklılıklar genel işlem kararlılığını etkileyebilir. DPC delik metalizasyonu için vakum püskürtme yönteminin temel zorlukları dört alanda özetlenebilir.

1. Via'ların içindeki kalıntılar film yapışmasını olumsuz etkileyebilir.

Lazerle delme işleminden sonra, seramik yüzeylerde mikro deliklerin içinde seramik parçacıkları, yeniden dökülmüş malzeme, delme artıkları ve emilmiş nem bulunabilir. Küçük çaplı ve yüksek en-boy oranına sahip mikro delikler için bu kalıntıların giderilmesi, yüzey kirliliğinden çok daha zordur. Temizleme ve gaz giderme yetersiz yapılırsa, Ti yapışma tabakası seramik yan duvarla güçlü ve güvenilir bir bağ oluşturamayabilir. Bu tür kusurlar kaplamadan hemen sonra belirginleşmeyebilir, ancak daha sonraki elektrokaplama, lehimleme veya yüksek sıcaklıkta çalışma sırasında kademeli olarak kabarma ve ayrılmaya dönüşebilir.

3

2. Daha yüksek en boy oranları, yan duvar kaplamasını daha zor hale getirir.

Bir mikrovianın püskürtme zorluğu yalnızca derinliğiyle değerlendirilemez; via derinliği ile via çapı arasındaki oran (en boy oranı) da aynı derecede önemlidir. Örneğin, 60 μm çapında ve 300 μm derinliğinde bir via, 5:1 en boy oranına sahiptir. En boy oranı arttıkça, via girişi püskürtülen parçacıkların geometrik gölgelenmesini artırarak, yan duvarın orta bölümüne ulaşabilen parçacık sayısını azaltır. Bu durum, alt tabaka yüzeyinde ve via açıklığının yakınında nispeten kalın filmlere neden olurken, via yan duvarının orta bölümü önemli ölçüde incelir veya hatta süreksiz hale gelir.

3. Eksik bir tohum tabakası, güvenilir ara bağlantıyı engelleyebilir.

DPC yoluyla metalizasyonun temel gereksinimi, sadece bakırın yol duvarında bulunup bulunmaması değil, Ti/Cu tohum tabakasının substratın ön tarafından, tüm yol yan duvarı boyunca, arka tarafına kadar kesintisiz bir şekilde uzanıp uzanmamasıdır. Tohum tabakasındaki küçük bir süreksizlik bile, sonraki elektrokaplama için gerekli iletken yolu kesintiye uğratabilir. Bu nedenle, tohum tabakasının kalitesi yalnızca yüzey görünümü veya ortalama film kalınlığı ile değerlendirilemez. Yol yan duvarının en ince bölümüne ve metalize yol boyunca sürekli elektriksel iletkenliğin korunup korunmadığına özellikle dikkat edilmelidir.

4. Tek bir numunenin onaylanması, partiden partiye istikrarı garanti etmez.

Tek bir numunede gerekli yüzey film kalınlığına ulaşmak, sürecin seri üretime hazır olduğu anlamına gelmez. DPC üretimi ayrıca, ön ve arka yüzeyler arasında, alt tabakanın orta ve kenar bölgeleri arasında, farklı fikstür pozisyonlarında ve partiden partiye kaplama homojenliğinin sıkı kontrolünü gerektirir. Çok sayıda mikrovia içeren seramik alt tabakalar için, süreç değerlendirmesi yalnızca ortalama film kalınlığına odaklanmamalıdır. Daha da önemlisi, via yan duvarının en ince bölgesi, sonraki elektrokaplama için gerekli elektriksel iletkenliği sürekli olarak korumalıdır.

3. Tohum tabakası düzgün bir şekilde yerleştirilmediğinde ne olur?

Ti/Cu tohum tabakası, sonraki elektrokaplama için gerekli iletken temeli sağlar. Via yan duvarındaki tohum tabakası çok inceyse, eksik kaplanmışsa veya süreksizlikler içeriyorsa, elektrokaplama akımı yan duvar boyunca sürekli olarak iletilemez ve bakır iyonları kusurlu yerlerde düzgün bir şekilde indirgenip biriktirilemez. Elektrokaplama ilerledikçe ve bakır tabakası biriktikçe, başlangıçta yetersiz kaplamanın olduğu küçük alanlar, bakır tabakası boşluklarına, lokalize kalınlık eksikliklerine veya via içinde süreksiz kaplamaya dönüşebilir.

Bu kusurlar, seramik alt tabakanın ön ve arka yüzlerindeki devrelerin ara bağlantı kalitesini doğrudan etkiler. Daha hafif vakalarda, artan geçiş direnci, lokal ısı üretimi ve elektriksel performansta dalgalanmalara neden olabilirler. Daha ciddi vakalarda ise, iki taraftaki devreler elektriksel sürekliliği sağlayamayabilir. Daha sonraki lehimleme, yüksek sıcaklıkta yaşlandırma veya termal döngü sırasında, kusurlu bölgelerde kabarcıklanma, katman ayrılması veya devre çatlaması meydana gelebilir; bu da ürün verimliliğini ve uzun vadeli güvenilirliği azaltır ve potansiyel olarak cihaz arızasına yol açabilir.

4. Zhenhua Vacuum'un Seramik Yüzeyler İçin Metalizasyon Yöntemiyle Seri Üretim Çözümü — DPC Seramik Yüzey Vakum Kaplama Üretim Hattı

5

Ekipmanın Avantajları:

Otomasyon: Tamamen otomatikleştirilmiş kaplama ve iş parçası taşıyıcı transfer sistemi, manuel müdahaleyi azaltırken üretim verimliliğini artırır ve toplam çevrim süresini kısaltır.

Üretim Kapasitesi: 120 mm × 120 mm boyutlarındaki alt tabakaları destekler ve saatte 288 adede kadar üretim kapasitesine sahiptir.

Performans: Seramik alt tabakanın ısı dağıtım performansını artırırken elektriksel iletkenliği de iyileştirir.

Metalizasyon Yoluyla Kaplama: Optimize edilmiş manyetik alan konfigürasyonu, mikro delikler içinde verimli ve homojen kaplama kapsamı sağlar.

İşlem: Genel film kalınlığı homojenliğini ve kaplama tutarlılığını iyileştirmek için çift taraflı kaplamayı destekler.

Uygulamalar:

Bu ekipman, Ti, Cu, Al, Sn, Cr, Ag ve Ni dahil olmak üzere çeşitli elementel metal filmlerin biriktirilmesini sağlayabilir ve seramik alt tabakalar, seramik kapasitörler ve LED seramik paketleri/destekleri gibi uygulamalar için yarı iletken ve elektronik bileşen endüstrilerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.

5. Sonuç

Zhenhua Vacuum, DPC üretiminde ön uç vakum püskürtme işlemine odaklanmaktadır. Mikrovia yan duvar kaplamasını artırarak ve çift taraflı kaplama teknolojisini otomatik üretimle birleştirerek, çözüm, sonraki elektrokaplama için kararlı Ti/Cu tohum katmanları ve güvenilir via ara bağlantısı sağlar. Bu, müşterilerin tutarlı seri üretim elde etmelerine yardımcı olurken, yarı iletken ve gelişmiş elektronik uygulamalarında DPC seramik alt tabakaların daha geniş çapta benimsenmesini de destekler.

Bu makale şu yayın tarafından yayımlandı: vakum kaplama ekipmanı üreticisiZhenhua Vakum


Yayın tarihi: 27 Ağustos 2026