ಚಿಪ್ಸ್ ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಸಾಧನಗಳು ಚಿಕಣಿಗೊಳಿಸುವಿಕೆ ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಏಕೀಕರಣದ ಕಡೆಗೆ ವಿಕಸನಗೊಳ್ಳುತ್ತಲೇ ಇರುವುದರಿಂದ, ಸೆರಾಮಿಕ್ ತಲಾಧಾರಗಳ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಮಾತ್ರ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ತಯಾರಿಕೆಯು ಇನ್ನು ಮುಂದೆ ಹೆಚ್ಚುತ್ತಿರುವ ಬೇಡಿಕೆಯ ಅಂತರ್ಸಂಪರ್ಕ ಮತ್ತು ರೂಟಿಂಗ್ ಅವಶ್ಯಕತೆಗಳನ್ನು ಪೂರೈಸಲು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲ. ಆದ್ದರಿಂದ ಮೈಕ್ರೋವಿಯಾಗಳು ತಲಾಧಾರದ ಮುಂಭಾಗ ಮತ್ತು ಹಿಂಭಾಗದ ಬದಿಗಳನ್ನು ವಿದ್ಯುತ್ ಸಂಪರ್ಕಕ್ಕೆ ತರಲು ಅಗತ್ಯವಿದೆ, ಅಂತರ್ಸಂಪರ್ಕ ಮಾರ್ಗಗಳನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಸಾಂದ್ರತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುತ್ತದೆ. ಪರಿಣಾಮವಾಗಿ, ಲೋಹೀಕರಣ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನದ ಮೂಲಕ DPC (ನೇರ ಲೇಪಿತ ತಾಮ್ರ) ಅನ್ನು LED ಗಳು, ಲೇಸರ್‌ಗಳು, ಆಪ್ಟಿಕಲ್ ಸಂವಹನಗಳು, RF ಸಾಧನಗಳು ಮತ್ತು ಪವರ್ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಸೇರಿದಂತೆ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಅಳವಡಿಸಿಕೊಳ್ಳಲಾಗಿದೆ.
ಆದಾಗ್ಯೂ, ಸೆರಾಮಿಕ್ ತಲಾಧಾರಗಳು ಅಂತರ್ಗತವಾಗಿ ವಿದ್ಯುತ್ ನಿರೋಧಕವಾಗಿರುತ್ತವೆ. ತಲಾಧಾರದ ಮೂಲಕ ಮೈಕ್ರೋವಿಯಾಗಳನ್ನು ರೂಪಿಸುವುದರಿಂದ ಎರಡೂ ಬದಿಗಳ ನಡುವೆ ವಿದ್ಯುತ್ ನಿರಂತರತೆಯನ್ನು ಸ್ಥಾಪಿಸುವುದಿಲ್ಲ. ಮೈಕ್ರೋವಿಯಾಗಳ ಒಳ ಗೋಡೆಗಳ ಉದ್ದಕ್ಕೂ ನಿರಂತರ ಮತ್ತು ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹ ಲೋಹದ ಬೀಜ ಪದರವನ್ನು ರೂಪಿಸುವುದು ನಿಜವಾದ ಸವಾಲು.
1. ಸೆರಾಮಿಕ್ ಮೈಕ್ರೋವಿಯಾಗಳ ಮೂಲಕ ವಿದ್ಯುತ್ ನಿರಂತರತೆಯನ್ನು ಹೇಗೆ ಸ್ಥಾಪಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ?
ಲೋಹೀಕರಣದ ಮೂಲಕ DPC ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಸೆರಾಮಿಕ್ ತಲಾಧಾರದಲ್ಲಿ ಮೈಕ್ರೋವಿಯಾಗಳನ್ನು ರೂಪಿಸಲು ಲೇಸರ್ ಕೊರೆಯುವಿಕೆಯೊಂದಿಗೆ ಪ್ರಾರಂಭವಾಗುತ್ತದೆ, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ ಮೊನಚಾದ ಅಥವಾ ನೇರ-ಮೂಲಕ ರಂಧ್ರಗಳ ರೂಪದಲ್ಲಿ. ನಂತರ ಮೈಕ್ರೋವಿಯಾಗಳು ಮತ್ತು ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲ್ಮೈಯನ್ನು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಸ್ವಚ್ಛಗೊಳಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಕೊರೆಯುವ ಅವಶೇಷಗಳು, ತೇವಾಂಶ ಮತ್ತು ಇತರ ಮಾಲಿನ್ಯಕಾರಕಗಳನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕಲು ಅನಿಲವನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕಲಾಗುತ್ತದೆ. ನಿರ್ವಾತ ಸ್ಪಟರಿಂಗ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯನ್ನು ತರುವಾಯ Ti ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವ ಪದರವನ್ನು ಠೇವಣಿ ಮಾಡಲು ಬಳಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 50–200 nm ದಪ್ಪ, ನಂತರ Cu ವಾಹಕ ಬೀಜ ಪದರವನ್ನು, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 0.5–2 μm ದಪ್ಪ, ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಮತ್ತು ಮೈಕ್ರೋವಿಯಾಗಳ ಒಳ ಗೋಡೆಗಳ ಉದ್ದಕ್ಕೂ ಇರಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ.
ಲೋಹದ ಪದರ ಮತ್ತು ಸೆರಾಮಿಕ್ ತಲಾಧಾರದ ನಡುವಿನ ಬಂಧದ ಬಲವನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು Ti ಪದರವು ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವ ಪದರವಾಗಿ ಕಾರ್ಯನಿರ್ವಹಿಸುತ್ತದೆ, ಆದರೆ Cu ಬೀಜ ಪದರವು ನಂತರದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟಿಂಗ್‌ಗೆ ನಿರಂತರ ವಾಹಕ ಅಡಿಪಾಯವನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ. ನಂತರ ತಾಮ್ರದ ಪದರವನ್ನು ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟಿಂಗ್ ಮೂಲಕ ಮತ್ತಷ್ಟು ನಿರ್ಮಿಸಲಾಗುತ್ತದೆ, ಸಾಮಾನ್ಯವಾಗಿ 5–20 μm ದಪ್ಪಕ್ಕೆ, ಅಂತಿಮವಾಗಿ ಮೆಟಲೈಸ್ಡ್ ವಯಾಸ್ ಮೂಲಕ ಮುಂಭಾಗ ಮತ್ತು ಹಿಂಭಾಗದ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ನಡುವೆ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹ ವಿದ್ಯುತ್ ನಿರಂತರತೆಯನ್ನು ಸ್ಥಾಪಿಸುತ್ತದೆ. ಸರಳವಾಗಿ ಹೇಳುವುದಾದರೆ, ನಿರ್ವಾತ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ ವಾಹಕ ಅಡಿಪಾಯವನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ, ಆದರೆ ನಂತರದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟಿಂಗ್ ತಾಮ್ರದ ದಪ್ಪವನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸುತ್ತದೆ, ಇದರಿಂದಾಗಿ ಪ್ರತಿರೋಧದ ಮೂಲಕ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪರಸ್ಪರ ಸಂಪರ್ಕದ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ.
ಈ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಸರಳವಾಗಿ ಕಂಡುಬಂದರೂ, ಪರಸ್ಪರ ಸಂಪರ್ಕದ ಮೂಲಕ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆಯು ಒಂದು ನಿರ್ಣಾಯಕ ಪೂರ್ವಾಪೇಕ್ಷಿತವನ್ನು ಅವಲಂಬಿಸಿರುತ್ತದೆ: Ti/Cu ಬೀಜ ಪದರವು ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲ್ಮೈ ಮತ್ತು ಪ್ರತಿ ಮೈಕ್ರೋವಿಯಾದ ಸಂಪೂರ್ಣ ಒಳ ಗೋಡೆಯನ್ನು ಸಂಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಮತ್ತು ನಿರಂತರವಾಗಿ ಆವರಿಸಬೇಕು.
2. DPC ವಯಾಸ್‌ಗಾಗಿ ವ್ಯಾಕ್ಯೂಮ್ ಸ್ಪಟ್ಟರಿಂಗ್ Ti/Cu ಬೀಜ ಪದರಗಳ ನಾಲ್ಕು ಪ್ರಮುಖ ಸವಾಲುಗಳು
ಕಿರಿದಾದ ಮೈಕ್ರೋವಿಯಾಗಳ ಒಳಗೆ ನಿರಂತರ ಬೀಜ ಪದರವನ್ನು ರೂಪಿಸುವುದು ಸರಳವಾದದ್ದಲ್ಲ. ವಯಾಗಳ ಒಳಗೆ ಉಳಿದಿರುವ ಅವಶೇಷಗಳು ಫಿಲ್ಮ್ ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯನ್ನು ರಾಜಿ ಮಾಡಬಹುದು, ಆದರೆ ಮೈಕ್ರೋವಿಯಾ ರೇಖಾಗಣಿತವು ಪಾರ್ಶ್ವಗೋಡೆಯ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚು ಕಷ್ಟಕರವಾಗಿಸುತ್ತದೆ. ಬೀಜ ಪದರದಲ್ಲಿನ ಸ್ಥಳೀಯ ಸ್ಥಗಿತಗಳು ನಂತರದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟಿಂಗ್ ಅನ್ನು ಅಡ್ಡಿಪಡಿಸಬಹುದು, ಆದರೆ ವಿಭಿನ್ನ ತಲಾಧಾರ ಸ್ಥಳಗಳು ಮತ್ತು ಉತ್ಪಾದನಾ ಬ್ಯಾಚ್‌ಗಳ ನಡುವಿನ ವ್ಯತ್ಯಾಸಗಳು ಒಟ್ಟಾರೆ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಸ್ಥಿರತೆಯ ಮೇಲೆ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರಬಹುದು. ಲೋಹೀಕರಣದ ಮೂಲಕ DPC ಗಾಗಿ ನಿರ್ವಾತ ಸ್ಪಟರಿಂಗ್‌ನ ಪ್ರಮುಖ ಸವಾಲುಗಳನ್ನು ನಾಲ್ಕು ಕ್ಷೇತ್ರಗಳಲ್ಲಿ ಸಂಕ್ಷೇಪಿಸಬಹುದು.
1. ವಯಾಸ್ ಒಳಗಿನ ಉಳಿಕೆಗಳು ಫಿಲ್ಮ್ ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯನ್ನು ಅಪಾಯಕ್ಕೆ ಸಿಲುಕಿಸಬಹುದು.
ಲೇಸರ್ ಕೊರೆಯುವಿಕೆಯ ನಂತರ, ಸೆರಾಮಿಕ್ ತಲಾಧಾರಗಳು ಸೆರಾಮಿಕ್ ಕಣಗಳು, ಮರು-ಎರಕಹೊಯ್ದ ವಸ್ತು, ಕೊರೆಯುವ ಶಿಲಾಖಂಡರಾಶಿಗಳು ಮತ್ತು ಮೈಕ್ರೋವಿಯಾಗಳ ಒಳಗೆ ತೇವಾಂಶವನ್ನು ಹೀರಿಕೊಳ್ಳಬಹುದು. ಸಣ್ಣ ವ್ಯಾಸಗಳು ಮತ್ತು ಹೆಚ್ಚಿನ ಆಕಾರ ಅನುಪಾತಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಮೈಕ್ರೋವಿಯಾಗಳಿಗೆ, ಈ ಅವಶೇಷಗಳನ್ನು ತೆಗೆದುಹಾಕಲು ಮೇಲ್ಮೈ ಮಾಲಿನ್ಯಕ್ಕಿಂತ ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ಕಷ್ಟವಾಗುತ್ತದೆ. ಸ್ವಚ್ಛಗೊಳಿಸುವಿಕೆ ಮತ್ತು ಅನಿಲ ತೆಗೆಯುವಿಕೆ ಸಾಕಷ್ಟಿಲ್ಲದಿದ್ದರೆ, Ti ಅಂಟಿಕೊಳ್ಳುವಿಕೆಯ ಪದರವು ಸೆರಾಮಿಕ್ ಸೈಡ್‌ವಾಲ್‌ನೊಂದಿಗೆ ಬಲವಾದ ಮತ್ತು ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹ ಬಂಧವನ್ನು ರೂಪಿಸದಿರಬಹುದು. ಲೇಪನದ ನಂತರ ಅಂತಹ ದೋಷಗಳು ತಕ್ಷಣವೇ ಗೋಚರಿಸದಿರಬಹುದು, ಆದರೆ ನಂತರದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟಿಂಗ್, ಬೆಸುಗೆ ಹಾಕುವಿಕೆ ಅಥವಾ ಹೆಚ್ಚಿನ-ತಾಪಮಾನದ ಕಾರ್ಯಾಚರಣೆಯ ಸಮಯದಲ್ಲಿ ಕ್ರಮೇಣ ಗುಳ್ಳೆಗಳು ಮತ್ತು ಡಿಲಾಮಿನೇಷನ್ ಆಗಿ ಬೆಳೆಯಬಹುದು.
2. ಹೆಚ್ಚಿನ ಆಕಾರ ಅನುಪಾತಗಳು ಸೈಡ್‌ವಾಲ್ ಕವರೇಜ್ ಅನ್ನು ಹೆಚ್ಚು ಕಷ್ಟಕರವಾಗಿಸುತ್ತವೆ
ಮೈಕ್ರೋವಿಯಾದ ಸ್ಪಟರಿಂಗ್ ತೊಂದರೆಯನ್ನು ಅದರ ಆಳದಿಂದ ಮಾತ್ರ ಮೌಲ್ಯಮಾಪನ ಮಾಡಲು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲ; ವಯಾ ಡೆಪ್ತ್ ಮತ್ತು ವಯಾ ವ್ಯಾಸದ ನಡುವಿನ ಅನುಪಾತ - ಆಕಾರ ಅನುಪಾತ - ಸಮಾನವಾಗಿ ಮುಖ್ಯವಾಗಿದೆ. ಉದಾಹರಣೆಗೆ, 60 μm ವ್ಯಾಸ ಮತ್ತು 300 μm ಆಳವನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ವಯಾ 5:1 ರ ಆಕಾರ ಅನುಪಾತವನ್ನು ಹೊಂದಿರುತ್ತದೆ. ಆಕಾರ ಅನುಪಾತ ಹೆಚ್ಚಾದಂತೆ, ವಯಾ ಪ್ರವೇಶವು ಸ್ಫಟರ್ಡ್ ಕಣಗಳ ಹೆಚ್ಚಿನ ಜ್ಯಾಮಿತೀಯ ನೆರಳು ಸೃಷ್ಟಿಸುತ್ತದೆ, ಪಾರ್ಶ್ವಗೋಡೆಯ ಮಧ್ಯದ ವಿಭಾಗವನ್ನು ತಲುಪಬಹುದಾದ ಕಣಗಳ ಸಂಖ್ಯೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ. ಇದು ತಲಾಧಾರದ ಮೇಲ್ಮೈಯಲ್ಲಿ ಮತ್ತು ವಯಾ ತೆರೆಯುವಿಕೆಯ ಬಳಿ ತುಲನಾತ್ಮಕವಾಗಿ ದಪ್ಪವಾದ ಫಿಲ್ಮ್‌ಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗಬಹುದು, ಆದರೆ ವಯಾ ಸೈಡ್‌ವಾಲ್‌ನ ಮಧ್ಯದ ವಿಭಾಗವು ಗಮನಾರ್ಹವಾಗಿ ತೆಳುವಾಗುತ್ತದೆ ಅಥವಾ ನಿರಂತರವಾಗಿರುತ್ತದೆ.
3. ಅಪೂರ್ಣ ಬೀಜ ಪದರವು ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹ ಅಂತರಸಂಪರ್ಕವನ್ನು ತಡೆಯಬಹುದು.
ಲೋಹೀಕರಣದ ಮೂಲಕ DPC ಯ ಮೂಲಭೂತ ಅವಶ್ಯಕತೆಯೆಂದರೆ, ವಯಾ ಗೋಡೆಯ ಮೇಲೆ ತಾಮ್ರವಿದೆಯೇ ಎಂಬುದು ಮಾತ್ರವಲ್ಲ, Ti/Cu ಬೀಜ ಪದರವು ತಲಾಧಾರದ ಮುಂಭಾಗದಿಂದ, ಸಂಪೂರ್ಣ ವಯಾ ಸೈಡ್‌ವಾಲ್‌ನ ಉದ್ದಕ್ಕೂ, ಹಿಂಭಾಗದವರೆಗೆ ನಿರಂತರವಾಗಿ ವಿಸ್ತರಿಸಬಹುದೇ ಎಂಬುದು. ಬೀಜ ಪದರದಲ್ಲಿನ ಸಣ್ಣ ಸ್ಥಗಿತವು ಸಹ ನಂತರದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟಿಂಗ್‌ಗೆ ಅಗತ್ಯವಿರುವ ವಾಹಕ ಮಾರ್ಗವನ್ನು ಅಡ್ಡಿಪಡಿಸಬಹುದು. ಆದ್ದರಿಂದ, ಬೀಜ-ಪದರದ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ಮೇಲ್ಮೈ ನೋಟ ಅಥವಾ ಸರಾಸರಿ ಫಿಲ್ಮ್ ದಪ್ಪದಿಂದ ಮಾತ್ರ ಮೌಲ್ಯಮಾಪನ ಮಾಡಲು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲ. ವಯಾ ಸೈಡ್‌ವಾಲ್‌ನ ಅತ್ಯಂತ ತೆಳುವಾದ ವಿಭಾಗಕ್ಕೆ ಮತ್ತು ಮೆಟಲೈಸ್ಡ್ ಮಾರ್ಗದಾದ್ಯಂತ ನಿರಂತರ ವಿದ್ಯುತ್ ವಾಹಕತೆಯನ್ನು ನಿರ್ವಹಿಸಲಾಗಿದೆಯೇ ಎಂಬುದಕ್ಕೆ ನಿರ್ದಿಷ್ಟ ಗಮನ ನೀಡಬೇಕು.
4. ಒಂದೇ ಮಾದರಿಯನ್ನು ರವಾನಿಸುವುದರಿಂದ ಬ್ಯಾಚ್-ಟು-ಬ್ಯಾಚ್ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಖಾತರಿಪಡಿಸುವುದಿಲ್ಲ.
ಒಂದೇ ಮಾದರಿಯಲ್ಲಿ ಅಗತ್ಯವಿರುವ ಮೇಲ್ಮೈ ಫಿಲ್ಮ್ ದಪ್ಪವನ್ನು ಸಾಧಿಸುವುದು ಎಂದರೆ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯು ಸಾಮೂಹಿಕ ಉತ್ಪಾದನೆಗೆ ಸಿದ್ಧವಾಗಿದೆ ಎಂದು ಅರ್ಥವಲ್ಲ. DPC ತಯಾರಿಕೆಗೆ ಮುಂಭಾಗ ಮತ್ತು ಹಿಂಭಾಗದ ಮೇಲ್ಮೈಗಳ ನಡುವೆ, ತಲಾಧಾರದ ಮಧ್ಯ ಮತ್ತು ಅಂಚಿನ ಪ್ರದೇಶಗಳ ನಡುವೆ, ವಿಭಿನ್ನ ಫಿಕ್ಚರ್ ಸ್ಥಾನಗಳಲ್ಲಿ ಮತ್ತು ಬ್ಯಾಚ್‌ನಿಂದ ಬ್ಯಾಚ್‌ಗೆ ಲೇಪನ ಏಕರೂಪತೆಯ ಬಿಗಿಯಾದ ನಿಯಂತ್ರಣದ ಅಗತ್ಯವಿರುತ್ತದೆ. ಹೆಚ್ಚಿನ ಸಂಖ್ಯೆಯ ಮೈಕ್ರೋವಿಯಾಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿರುವ ಸೆರಾಮಿಕ್ ತಲಾಧಾರಗಳಿಗೆ, ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಮೌಲ್ಯಮಾಪನವು ಸರಾಸರಿ ಫಿಲ್ಮ್ ದಪ್ಪದ ಮೇಲೆ ಮಾತ್ರ ಕೇಂದ್ರೀಕರಿಸಬಾರದು. ಹೆಚ್ಚು ಮುಖ್ಯವಾಗಿ, ವಯಾ ಸೈಡ್‌ವಾಲ್‌ನ ಅತ್ಯಂತ ತೆಳುವಾದ ಪ್ರದೇಶವು ನಂತರದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟಿಂಗ್‌ಗೆ ಅಗತ್ಯವಾದ ವಿದ್ಯುತ್ ವಾಹಕತೆಯನ್ನು ಸ್ಥಿರವಾಗಿ ನಿರ್ವಹಿಸಬೇಕು.
3. ಬೀಜದ ಪದರ ಸರಿಯಾಗಿ ಠೇವಣಿ ಮಾಡದಿದ್ದರೆ ಏನಾಗುತ್ತದೆ?
Ti/Cu ಬೀಜ ಪದರವು ನಂತರದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟಿಂಗ್‌ಗೆ ಅಗತ್ಯವಾದ ವಾಹಕ ಅಡಿಪಾಯವನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ. ವಯಾ ಸೈಡ್‌ವಾಲ್‌ನಲ್ಲಿರುವ ಬೀಜ ಪದರವು ತುಂಬಾ ತೆಳುವಾಗಿದ್ದರೆ, ಅಪೂರ್ಣವಾಗಿ ಮುಚ್ಚಲ್ಪಟ್ಟಿದ್ದರೆ ಅಥವಾ ಸ್ಥಗಿತಗಳನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದರೆ, ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟಿಂಗ್ ಪ್ರವಾಹವನ್ನು ಪಾರ್ಶ್ವಗೋಡೆಯ ಉದ್ದಕ್ಕೂ ನಿರಂತರವಾಗಿ ವರ್ಗಾಯಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲ ಮತ್ತು ತಾಮ್ರದ ಅಯಾನುಗಳನ್ನು ಸರಿಯಾಗಿ ಕಡಿಮೆ ಮಾಡಲು ಮತ್ತು ದೋಷಯುಕ್ತ ಸ್ಥಳಗಳಲ್ಲಿ ಸಂಗ್ರಹಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಿಲ್ಲ. ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟಿಂಗ್ ಮುಂದುವರೆದಂತೆ ಮತ್ತು ತಾಮ್ರದ ಪದರವು ನಿರ್ಮಾಣವಾಗುತ್ತಿದ್ದಂತೆ, ಆರಂಭದಲ್ಲಿ ಸಾಕಷ್ಟು ವ್ಯಾಪ್ತಿಯ ಸಣ್ಣ ಪ್ರದೇಶಗಳು ತಾಮ್ರ-ಪದರದ ಶೂನ್ಯಗಳು, ಸ್ಥಳೀಯ ದಪ್ಪದ ಕೊರತೆಗಳು ಅಥವಾ ವಯಾ ಒಳಗೆ ನಿರಂತರ ಲೇಪನವಾಗಿ ಬೆಳೆಯಬಹುದು.
ಈ ದೋಷಗಳು ಸೆರಾಮಿಕ್ ತಲಾಧಾರದ ಮುಂಭಾಗ ಮತ್ತು ಹಿಂಭಾಗದ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳ ಪರಸ್ಪರ ಸಂಪರ್ಕದ ಗುಣಮಟ್ಟವನ್ನು ನೇರವಾಗಿ ಪರಿಣಾಮ ಬೀರುತ್ತವೆ. ಕಡಿಮೆ ತೀವ್ರತರವಾದ ಸಂದರ್ಭಗಳಲ್ಲಿ, ಅವು ಪ್ರತಿರೋಧದ ಹೆಚ್ಚಳ, ಸ್ಥಳೀಯ ಶಾಖ ಉತ್ಪಾದನೆ ಮತ್ತು ವಿದ್ಯುತ್ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯಲ್ಲಿ ಏರಿಳಿತಗಳಿಗೆ ಕಾರಣವಾಗಬಹುದು. ಹೆಚ್ಚು ಗಂಭೀರ ಸಂದರ್ಭಗಳಲ್ಲಿ, ಎರಡೂ ಬದಿಗಳಲ್ಲಿನ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್‌ಗಳು ವಿದ್ಯುತ್ ನಿರಂತರತೆಯನ್ನು ಸಾಧಿಸುವಲ್ಲಿ ವಿಫಲವಾಗಬಹುದು. ನಂತರದ ಬೆಸುಗೆ ಹಾಕುವಿಕೆ, ಹೆಚ್ಚಿನ-ತಾಪಮಾನದ ವಯಸ್ಸಾದಿಕೆ ಅಥವಾ ಉಷ್ಣ ಚಕ್ರದ ಸಮಯದಲ್ಲಿ, ದೋಷಯುಕ್ತ ಪ್ರದೇಶಗಳು ಗುಳ್ಳೆಗಳು, ಡಿಲಾಮಿನೇಷನ್ ಅಥವಾ ಸರ್ಕ್ಯೂಟ್ ಬಿರುಕುಗಳನ್ನು ಮತ್ತಷ್ಟು ಅಭಿವೃದ್ಧಿಪಡಿಸಬಹುದು, ಉತ್ಪನ್ನದ ಇಳುವರಿ ಮತ್ತು ದೀರ್ಘಕಾಲೀನ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹತೆಯನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಸಾಧನದ ವೈಫಲ್ಯಕ್ಕೆ ಕಾರಣವಾಗಬಹುದು.
4. ಸೆರಾಮಿಕ್ ತಲಾಧಾರದ ಮೂಲಕ ಮೆಟಲೈಸೇಶನ್‌ಗಾಗಿ ಝೆನ್ಹುವಾ ವ್ಯಾಕ್ಯೂಮ್‌ನ ಸಾಮೂಹಿಕ-ಉತ್ಪಾದನಾ ಪರಿಹಾರ - DPC ಸೆರಾಮಿಕ್ ತಲಾಧಾರ ನಿರ್ವಾತ ಲೇಪನ ಉತ್ಪಾದನಾ ಮಾರ್ಗ
ಸಲಕರಣೆಗಳ ಅನುಕೂಲಗಳು:
ಯಾಂತ್ರೀಕರಣ: ಸಂಪೂರ್ಣ ಸ್ವಯಂಚಾಲಿತ ಲೇಪನ ಮತ್ತು ವರ್ಕ್‌ಪೀಸ್-ಕ್ಯಾರಿಯರ್ ವರ್ಗಾವಣೆ ವ್ಯವಸ್ಥೆಯು ಉತ್ಪಾದನಾ ದಕ್ಷತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುವಾಗ ಮತ್ತು ಒಟ್ಟಾರೆ ಸೈಕಲ್ ಸಮಯವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುವಾಗ ಹಸ್ತಚಾಲಿತ ಹಸ್ತಕ್ಷೇಪವನ್ನು ಕಡಿಮೆ ಮಾಡುತ್ತದೆ.
ಥ್ರೋಪುಟ್: ಗಂಟೆಗೆ 288 ಪಿಸಿಗಳ ಉತ್ಪಾದನಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯದೊಂದಿಗೆ 120 ಎಂಎಂ × 120 ಎಂಎಂ ತಲಾಧಾರಗಳನ್ನು ಬೆಂಬಲಿಸುತ್ತದೆ.
ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆ: ಸೆರಾಮಿಕ್ ತಲಾಧಾರದ ಶಾಖ ಪ್ರಸರಣ ಕಾರ್ಯಕ್ಷಮತೆಯನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುವಾಗ ವಿದ್ಯುತ್ ವಾಹಕತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸುತ್ತದೆ.
ಲೋಹೀಕರಣದ ಮೂಲಕ: ಅತ್ಯುತ್ತಮವಾದ ಕಾಂತೀಯ-ಕ್ಷೇತ್ರ ಸಂರಚನೆಯು ಮೈಕ್ರೋವಿಯಾಗಳ ಒಳಗೆ ಪರಿಣಾಮಕಾರಿ ಮತ್ತು ಏಕರೂಪದ ಲೇಪನ ವ್ಯಾಪ್ತಿಯನ್ನು ಶಕ್ತಗೊಳಿಸುತ್ತದೆ.
ಪ್ರಕ್ರಿಯೆ: ಒಟ್ಟಾರೆ ಫಿಲ್ಮ್-ದಪ್ಪ ಏಕರೂಪತೆ ಮತ್ತು ಲೇಪನ ಸ್ಥಿರತೆಯನ್ನು ಸುಧಾರಿಸಲು ಎರಡು ಬದಿಯ ಲೇಪನವನ್ನು ಬೆಂಬಲಿಸುತ್ತದೆ.
ಅರ್ಜಿಗಳನ್ನು:
ಈ ಉಪಕರಣವು Ti, Cu, Al, Sn, Cr, Ag, ಮತ್ತು Ni ಸೇರಿದಂತೆ ವಿವಿಧ ಧಾತುರೂಪದ ಲೋಹದ ಫಿಲ್ಮ್‌ಗಳನ್ನು ಠೇವಣಿ ಮಾಡಬಹುದು ಮತ್ತು ಸೆರಾಮಿಕ್ ತಲಾಧಾರಗಳು, ಸೆರಾಮಿಕ್ ಕೆಪಾಸಿಟರ್‌ಗಳು ಮತ್ತು LED ಸೆರಾಮಿಕ್ ಪ್ಯಾಕೇಜುಗಳು/ಬೆಂಬಲಗಳಂತಹ ಅನ್ವಯಿಕೆಗಳಿಗೆ ಅರೆವಾಹಕ ಮತ್ತು ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಘಟಕ ಉದ್ಯಮಗಳಲ್ಲಿ ವ್ಯಾಪಕವಾಗಿ ಅನ್ವಯಿಸಲಾಗಿದೆ.
5. ತೀರ್ಮಾನ
ಝೆನ್ಹುವಾ ವ್ಯಾಕ್ಯೂಮ್ DPC ಉತ್ಪಾದನೆಗಾಗಿ ಮುಂಭಾಗದ-ಅಂತ್ಯದ ನಿರ್ವಾತ ಸ್ಪಟರಿಂಗ್ ಪ್ರಕ್ರಿಯೆಯ ಮೇಲೆ ಕೇಂದ್ರೀಕರಿಸುತ್ತದೆ. ಮೈಕ್ರೋವಿಯಾ ಸೈಡ್‌ವಾಲ್ ಕವರೇಜ್ ಅನ್ನು ಹೆಚ್ಚಿಸುವ ಮೂಲಕ ಮತ್ತು ಡಬಲ್-ಸೈಡೆಡ್ ಲೇಪನ ತಂತ್ರಜ್ಞಾನವನ್ನು ಸ್ವಯಂಚಾಲಿತ ಉತ್ಪಾದನೆಯೊಂದಿಗೆ ಸಂಯೋಜಿಸುವ ಮೂಲಕ, ಪರಿಹಾರವು ನಂತರದ ಎಲೆಕ್ಟ್ರೋಪ್ಲೇಟಿಂಗ್‌ಗಾಗಿ ಸ್ಥಿರವಾದ Ti/Cu ಬೀಜ ಪದರಗಳನ್ನು ಒದಗಿಸುತ್ತದೆ ಮತ್ತು ಪರಸ್ಪರ ಸಂಪರ್ಕದ ಮೂಲಕ ವಿಶ್ವಾಸಾರ್ಹವಾಗಿರುತ್ತದೆ. ಇದು ಸೆಮಿಕಂಡಕ್ಟರ್ ಮತ್ತು ಸುಧಾರಿತ ಎಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ ಅಪ್ಲಿಕೇಶನ್‌ಗಳಲ್ಲಿ DPC ಸೆರಾಮಿಕ್ ತಲಾಧಾರಗಳ ವ್ಯಾಪಕ ಅಳವಡಿಕೆಯನ್ನು ಬೆಂಬಲಿಸುವಾಗ ಗ್ರಾಹಕರು ಸ್ಥಿರವಾದ ಸಾಮೂಹಿಕ ಉತ್ಪಾದನೆಯನ್ನು ಸಾಧಿಸಲು ಸಹಾಯ ಮಾಡುತ್ತದೆ.
- ಈ ಲೇಖನವನ್ನು ಪ್ರಕಟಿಸಿದವರು ನಿರ್ವಾತ ಲೇಪನ ಸಲಕರಣೆ ತಯಾರಕಝೆನ್ಹುವಾ ವ್ಯಾಕ್ಯೂಮ್
ಪೋಸ್ಟ್ ಸಮಯ: ಆಗಸ್ಟ್-27-2026