ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਚਿਪਸ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਯੰਤਰ ਛੋਟੇਕਰਨ ਅਤੇ ਉੱਚ ਏਕੀਕਰਨ ਵੱਲ ਵਿਕਸਤ ਹੁੰਦੇ ਰਹਿੰਦੇ ਹਨ, ਸਿਰਫ਼ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਬਸਟਰੇਟਾਂ ਦੀ ਸਤ੍ਹਾ 'ਤੇ ਸਰਕਟ ਫੈਬਰੀਕੇਸ਼ਨ ਹੁਣ ਵਧਦੀ ਮੰਗ ਵਾਲੀ ਇੰਟਰਕਨੈਕਸ਼ਨ ਅਤੇ ਰੂਟਿੰਗ ਜ਼ਰੂਰਤਾਂ ਨੂੰ ਪੂਰਾ ਨਹੀਂ ਕਰ ਸਕਦਾ। ਇਸ ਲਈ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੀਆ ਨੂੰ ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੇ ਅਗਲੇ ਅਤੇ ਪਿਛਲੇ ਪਾਸਿਆਂ ਨੂੰ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕਲੀ ਜੋੜਨ ਦੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ, ਇੰਟਰਕਨੈਕਟ ਮਾਰਗਾਂ ਨੂੰ ਛੋਟਾ ਕਰਨਾ ਅਤੇ ਸਰਕਟ ਘਣਤਾ ਵਧਾਉਣਾ। ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ, ਮੈਟਾਲਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਰਾਹੀਂ ਡੀਪੀਸੀ (ਡਾਇਰੈਕਟ ਪਲੇਟਿਡ ਕਾਪਰ) ਨੂੰ ਐਲਈਡੀ, ਲੇਜ਼ਰ, ਆਪਟੀਕਲ ਸੰਚਾਰ, ਆਰਐਫ ਡਿਵਾਈਸਾਂ ਅਤੇ ਪਾਵਰ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ ਸਮੇਤ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਅਪਣਾਇਆ ਗਿਆ ਹੈ।
ਹਾਲਾਂਕਿ, ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਬਸਟਰੇਟ ਕੁਦਰਤੀ ਤੌਰ 'ਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਿਕਲੀ ਇੰਸੂਲੇਟ ਹੁੰਦੇ ਹਨ। ਸਬਸਟਰੇਟ ਰਾਹੀਂ ਸਿਰਫ਼ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੀਆ ਬਣਾਉਣ ਨਾਲ ਦੋਵਾਂ ਪਾਸਿਆਂ ਵਿਚਕਾਰ ਬਿਜਲਈ ਨਿਰੰਤਰਤਾ ਸਥਾਪਤ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦੀ। ਅਸਲ ਚੁਣੌਤੀ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੀਆ ਦੀਆਂ ਅੰਦਰੂਨੀ ਕੰਧਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਇੱਕ ਨਿਰੰਤਰ ਅਤੇ ਭਰੋਸੇਮੰਦ ਧਾਤੂ ਬੀਜ ਪਰਤ ਬਣਾਉਣਾ ਹੈ।
1. ਸਿਰੇਮਿਕ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੇਅਸ ਰਾਹੀਂ ਬਿਜਲੀ ਨਿਰੰਤਰਤਾ ਕਿਵੇਂ ਸਥਾਪਿਤ ਕੀਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ?
ਮੈਟਾਲਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ਰਾਹੀਂ ਡੀਪੀਸੀ ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਬਸਟਰੇਟ ਵਿੱਚ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੀਆ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਲੇਜ਼ਰ ਡ੍ਰਿਲਿੰਗ ਨਾਲ ਸ਼ੁਰੂ ਹੁੰਦਾ ਹੈ, ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ ਟੇਪਰਡ ਜਾਂ ਸਿੱਧੇ-ਥਰੂ ਛੇਕ ਦੇ ਰੂਪ ਵਿੱਚ। ਫਿਰ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੀਆ ਅਤੇ ਸਬਸਟਰੇਟ ਸਤਹ ਨੂੰ ਚੰਗੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਸਾਫ਼ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਡ੍ਰਿਲਿੰਗ ਰਹਿੰਦ-ਖੂੰਹਦ, ਨਮੀ ਅਤੇ ਹੋਰ ਦੂਸ਼ਿਤ ਤੱਤਾਂ ਨੂੰ ਹਟਾਉਣ ਲਈ ਡੀਗੈਸ ਕੀਤਾ ਜਾਂਦਾ ਹੈ। ਇੱਕ ਵੈਕਿਊਮ ਸਪਟਰਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਬਾਅਦ ਵਿੱਚ ਇੱਕ Ti ਅਡੈਸ਼ਨ ਪਰਤ, ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ 50-200 nm ਮੋਟੀ, ਜਮ੍ਹਾ ਕਰਨ ਲਈ ਵਰਤੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਇੱਕ Cu ਸੰਚਾਲਕ ਬੀਜ ਪਰਤ, ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ 0.5-2 μm ਮੋਟੀ, ਸਬਸਟਰੇਟ ਸਤਹ 'ਤੇ ਅਤੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੀਆ ਦੀਆਂ ਅੰਦਰੂਨੀ ਕੰਧਾਂ ਦੇ ਨਾਲ ਹੁੰਦੀ ਹੈ।
Ti ਪਰਤ ਧਾਤ ਦੀ ਫਿਲਮ ਅਤੇ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਬਸਟਰੇਟ ਵਿਚਕਾਰ ਬੰਧਨ ਦੀ ਤਾਕਤ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਇੱਕ ਅਡੈਸ਼ਨ ਪਰਤ ਵਜੋਂ ਕੰਮ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕਿ Cu ਸੀਡ ਪਰਤ ਬਾਅਦ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪਲੇਟਿੰਗ ਲਈ ਇੱਕ ਨਿਰੰਤਰ ਸੰਚਾਲਕ ਨੀਂਹ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈ। ਫਿਰ ਤਾਂਬੇ ਦੀ ਪਰਤ ਨੂੰ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪਲੇਟਿੰਗ ਦੁਆਰਾ ਹੋਰ ਬਣਾਇਆ ਜਾਂਦਾ ਹੈ, ਆਮ ਤੌਰ 'ਤੇ 5-20 μm ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਤੱਕ, ਅੰਤ ਵਿੱਚ ਧਾਤੂ ਵਾਲੇ ਵਿਆਸ ਦੁਆਰਾ ਅਗਲੇ ਅਤੇ ਪਿਛਲੇ ਪਾਸੇ ਸਰਕਟਾਂ ਵਿਚਕਾਰ ਭਰੋਸੇਯੋਗ ਬਿਜਲੀ ਨਿਰੰਤਰਤਾ ਸਥਾਪਤ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਸਰਲ ਸ਼ਬਦਾਂ ਵਿੱਚ, ਵੈਕਿਊਮ ਸਪਟਰਿੰਗ ਸੰਚਾਲਕ ਨੀਂਹ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਬਾਅਦ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪਲੇਟਿੰਗ ਤਾਂਬੇ ਦੀ ਮੋਟਾਈ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦੀ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਵਿਰੋਧ ਘਟਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਇੰਟਰਕਨੈਕਸ਼ਨ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਹੁੰਦਾ ਹੈ।
ਹਾਲਾਂਕਿ ਇਹ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਸਿੱਧੀ ਜਾਪਦੀ ਹੈ, ਪਰ ਆਪਸੀ ਕਨੈਕਸ਼ਨ ਰਾਹੀਂ ਭਰੋਸੇਯੋਗ ਇੱਕ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਪੂਰਵ ਸ਼ਰਤ 'ਤੇ ਨਿਰਭਰ ਕਰਦੀ ਹੈ: Ti/Cu ਬੀਜ ਪਰਤ ਨੂੰ ਸਬਸਟਰੇਟ ਸਤਹ ਅਤੇ ਹਰੇਕ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੀਆ ਦੀ ਪੂਰੀ ਅੰਦਰੂਨੀ ਕੰਧ ਨੂੰ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਅਤੇ ਨਿਰੰਤਰ ਢੱਕਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।
2. DPC Vias ਲਈ Ti/Cu ਬੀਜ ਪਰਤਾਂ ਨੂੰ ਵੈਕਿਊਮ ਸਪਟਰਿੰਗ ਦੀਆਂ ਚਾਰ ਮੁੱਖ ਚੁਣੌਤੀਆਂ
ਤੰਗ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੀਆ ਦੇ ਅੰਦਰ ਇੱਕ ਨਿਰੰਤਰ ਬੀਜ ਪਰਤ ਬਣਾਉਣਾ ਸਿੱਧਾ ਨਹੀਂ ਹੈ। ਵਿਅਸ ਦੇ ਅੰਦਰ ਬਚੇ ਹੋਏ ਅਵਸ਼ੇਸ਼ ਫਿਲਮ ਅਡੈਸ਼ਨ ਨੂੰ ਸਮਝੌਤਾ ਕਰ ਸਕਦੇ ਹਨ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੀਆ ਜਿਓਮੈਟਰੀ ਸਾਈਡਵਾਲ ਕਵਰੇਜ ਨੂੰ ਵਧਦੀ ਮੁਸ਼ਕਲ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ। ਬੀਜ ਪਰਤ ਵਿੱਚ ਸਥਾਨਕ ਵਿਘਨ ਬਾਅਦ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪਲੇਟਿੰਗ ਵਿੱਚ ਵਿਘਨ ਪਾ ਸਕਦੇ ਹਨ, ਜਦੋਂ ਕਿ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਸਬਸਟਰੇਟ ਸਥਾਨਾਂ ਅਤੇ ਉਤਪਾਦਨ ਬੈਚਾਂ ਵਿਚਕਾਰ ਭਿੰਨਤਾਵਾਂ ਸਮੁੱਚੀ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਸਥਿਰਤਾ ਨੂੰ ਪ੍ਰਭਾਵਤ ਕਰ ਸਕਦੀਆਂ ਹਨ। ਮੈਟਾਲਾਈਜ਼ੇਸ਼ਨ ਦੁਆਰਾ DPC ਲਈ ਵੈਕਿਊਮ ਸਪਟਰਿੰਗ ਦੀਆਂ ਮੁੱਖ ਚੁਣੌਤੀਆਂ ਨੂੰ ਚਾਰ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਸੰਖੇਪ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ ਹੈ।
1. ਵਿਅਸ ਦੇ ਅੰਦਰਲੇ ਅਵਸ਼ੇਸ਼ ਫਿਲਮ ਦੇ ਚਿਪਕਣ ਨੂੰ ਵਿਗਾੜ ਸਕਦੇ ਹਨ।
ਲੇਜ਼ਰ ਡ੍ਰਿਲਿੰਗ ਤੋਂ ਬਾਅਦ, ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਬਸਟਰੇਟਾਂ ਵਿੱਚ ਸਿਰੇਮਿਕ ਕਣ, ਰੀਕਾਸਟ ਸਮੱਗਰੀ, ਡ੍ਰਿਲਿੰਗ ਮਲਬਾ, ਅਤੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੀਆ ਦੇ ਅੰਦਰ ਸੋਖਿਆ ਨਮੀ ਹੋ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਛੋਟੇ ਵਿਆਸ ਅਤੇ ਉੱਚ ਪਹਿਲੂ ਅਨੁਪਾਤ ਵਾਲੇ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੀਆ ਲਈ, ਇਹਨਾਂ ਰਹਿੰਦ-ਖੂੰਹਦ ਨੂੰ ਸਤ੍ਹਾ ਦੀ ਗੰਦਗੀ ਨਾਲੋਂ ਹਟਾਉਣਾ ਅਕਸਰ ਬਹੁਤ ਮੁਸ਼ਕਲ ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਜੇਕਰ ਸਫਾਈ ਅਤੇ ਡੀਗੈਸਿੰਗ ਨਾਕਾਫ਼ੀ ਹੈ, ਤਾਂ ਟੀਆਈ ਅਡੈਸ਼ਨ ਪਰਤ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਾਈਡਵਾਲ ਨਾਲ ਇੱਕ ਮਜ਼ਬੂਤ ਅਤੇ ਭਰੋਸੇਮੰਦ ਬੰਧਨ ਨਹੀਂ ਬਣਾ ਸਕਦੀ। ਅਜਿਹੇ ਨੁਕਸ ਕੋਟਿੰਗ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਤੁਰੰਤ ਸਪੱਸ਼ਟ ਨਹੀਂ ਹੋ ਸਕਦੇ, ਪਰ ਬਾਅਦ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪਲੇਟਿੰਗ, ਸੋਲਡਰਿੰਗ, ਜਾਂ ਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ ਓਪਰੇਸ਼ਨ ਦੌਰਾਨ ਹੌਲੀ-ਹੌਲੀ ਛਾਲੇ ਅਤੇ ਡੀਲੇਮੀਨੇਸ਼ਨ ਵਿੱਚ ਵਿਕਸਤ ਹੋ ਸਕਦੇ ਹਨ।
2. ਉੱਚ ਪਹਿਲੂ ਅਨੁਪਾਤ ਸਾਈਡਵਾਲ ਕਵਰੇਜ ਨੂੰ ਹੋਰ ਵੀ ਮੁਸ਼ਕਲ ਬਣਾਉਂਦੇ ਹਨ।
ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੀਆ ਦੀ ਸਪਟਰਿੰਗ ਮੁਸ਼ਕਲ ਦਾ ਮੁਲਾਂਕਣ ਸਿਰਫ਼ ਇਸਦੀ ਡੂੰਘਾਈ ਨਾਲ ਨਹੀਂ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ; ਡੂੰਘਾਈ ਅਤੇ ਵਿਆਸ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਅਨੁਪਾਤ - ਪਹਿਲੂ ਅਨੁਪਾਤ - ਬਰਾਬਰ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਹੈ। ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ, 60 μm ਦੇ ਵਿਆਸ ਅਤੇ 300 μm ਦੀ ਡੂੰਘਾਈ ਵਾਲੇ ਇੱਕ via ਦਾ ਆਕਾਰ ਅਨੁਪਾਤ 5:1 ਹੁੰਦਾ ਹੈ। ਜਿਵੇਂ-ਜਿਵੇਂ ਪਹਿਲੂ ਅਨੁਪਾਤ ਵਧਦਾ ਹੈ, via ਪ੍ਰਵੇਸ਼ ਦੁਆਰ ਸਪਟਰਡ ਕਣਾਂ ਦੀ ਵਧੇਰੇ ਜਿਓਮੈਟ੍ਰਿਕ ਸ਼ੈਡੋਇੰਗ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਨਾਲ ਸਾਈਡਵਾਲ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰਲੇ ਭਾਗ ਤੱਕ ਪਹੁੰਚਣ ਵਾਲੇ ਕਣਾਂ ਦੀ ਗਿਣਤੀ ਘਟਦੀ ਹੈ। ਇਸ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਸਬਸਟਰੇਟ ਸਤਹ 'ਤੇ ਅਤੇ via ਓਪਨਿੰਗ ਦੇ ਨੇੜੇ ਮੁਕਾਬਲਤਨ ਮੋਟੀਆਂ ਫਿਲਮਾਂ ਬਣ ਸਕਦੀਆਂ ਹਨ, ਜਦੋਂ ਕਿ via ਸਾਈਡਵਾਲ ਦਾ ਵਿਚਕਾਰਲਾ ਭਾਗ ਕਾਫ਼ੀ ਪਤਲਾ ਜਾਂ ਇੱਥੋਂ ਤੱਕ ਕਿ ਅਸਥਿਰ ਹੋ ਜਾਂਦਾ ਹੈ।
3. ਇੱਕ ਅਧੂਰੀ ਬੀਜ ਪਰਤ ਭਰੋਸੇਯੋਗ ਵਾਇਆ ਇੰਟਰਕਨੈਕਸ਼ਨ ਨੂੰ ਰੋਕ ਸਕਦੀ ਹੈ।
ਧਾਤੂਕਰਨ ਰਾਹੀਂ DPC ਦੀ ਬੁਨਿਆਦੀ ਲੋੜ ਸਿਰਫ਼ ਇਹ ਨਹੀਂ ਹੈ ਕਿ ਕੀ ਤਾਂਬਾ ਕੰਧ 'ਤੇ ਮੌਜੂਦ ਹੈ, ਸਗੋਂ ਇਹ ਹੈ ਕਿ ਕੀ Ti/Cu ਬੀਜ ਪਰਤ ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੇ ਅਗਲੇ ਪਾਸੇ ਤੋਂ, ਪੂਰੀ ਸਾਈਡਵਾਲ ਦੇ ਨਾਲ, ਪਿਛਲੇ ਪਾਸੇ ਤੱਕ ਲਗਾਤਾਰ ਫੈਲ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਬੀਜ ਪਰਤ ਵਿੱਚ ਇੱਕ ਛੋਟੀ ਜਿਹੀ ਵਿਘਨ ਵੀ ਬਾਅਦ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪਲੇਟਿੰਗ ਲਈ ਲੋੜੀਂਦੇ ਸੰਚਾਲਕ ਮਾਰਗ ਵਿੱਚ ਵਿਘਨ ਪਾ ਸਕਦੀ ਹੈ। ਇਸ ਲਈ, ਬੀਜ-ਪਰਤ ਦੀ ਗੁਣਵੱਤਾ ਦਾ ਮੁਲਾਂਕਣ ਸਿਰਫ਼ ਸਤਹ ਦੀ ਦਿੱਖ ਜਾਂ ਔਸਤ ਫਿਲਮ ਮੋਟਾਈ ਦੁਆਰਾ ਨਹੀਂ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ। ਸਾਈਡਵਾਲ ਦੇ ਸਭ ਤੋਂ ਪਤਲੇ ਭਾਗ ਵੱਲ ਖਾਸ ਧਿਆਨ ਦੇਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਕੀ ਧਾਤੂਕਰਨ ਵਾਲੇ ਰਸਤੇ ਦੌਰਾਨ ਨਿਰੰਤਰ ਬਿਜਲੀ ਚਾਲਕਤਾ ਬਣਾਈ ਰੱਖੀ ਜਾਂਦੀ ਹੈ।
4. ਇੱਕ ਸਿੰਗਲ ਸੈਂਪਲ ਪਾਸ ਕਰਨਾ ਬੈਚ-ਟੂ-ਬੈਚ ਸਥਿਰਤਾ ਦੀ ਗਰੰਟੀ ਨਹੀਂ ਦਿੰਦਾ।
ਇੱਕ ਸਿੰਗਲ ਨਮੂਨੇ 'ਤੇ ਲੋੜੀਂਦੀ ਸਤਹ ਫਿਲਮ ਮੋਟਾਈ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਦਾ ਮਤਲਬ ਇਹ ਨਹੀਂ ਹੈ ਕਿ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਵੱਡੇ ਪੱਧਰ 'ਤੇ ਉਤਪਾਦਨ ਲਈ ਤਿਆਰ ਹੈ। DPC ਨਿਰਮਾਣ ਲਈ ਅੱਗੇ ਅਤੇ ਪਿੱਛੇ ਦੀਆਂ ਸਤਹਾਂ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ, ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੇ ਕੇਂਦਰ ਅਤੇ ਕਿਨਾਰੇ ਵਾਲੇ ਖੇਤਰਾਂ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ, ਵੱਖ-ਵੱਖ ਫਿਕਸਚਰ ਪੋਜੀਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ, ਅਤੇ ਬੈਚ ਤੋਂ ਬੈਚ ਤੱਕ ਕੋਟਿੰਗ ਇਕਸਾਰਤਾ ਦੇ ਸਖ਼ਤ ਨਿਯੰਤਰਣ ਦੀ ਵੀ ਲੋੜ ਹੁੰਦੀ ਹੈ। ਵੱਡੀ ਗਿਣਤੀ ਵਿੱਚ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੀਆ ਵਾਲੇ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਬਸਟਰੇਟਾਂ ਲਈ, ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ ਮੁਲਾਂਕਣ ਸਿਰਫ਼ ਔਸਤ ਫਿਲਮ ਮੋਟਾਈ 'ਤੇ ਕੇਂਦ੍ਰਿਤ ਨਹੀਂ ਹੋਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ। ਹੋਰ ਵੀ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਗੱਲ ਇਹ ਹੈ ਕਿ, ਸਾਈਡਵਾਲ ਦੇ ਸਭ ਤੋਂ ਪਤਲੇ ਖੇਤਰ ਨੂੰ ਬਾਅਦ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪਲੇਟਿੰਗ ਲਈ ਲੋੜੀਂਦੀ ਬਿਜਲੀ ਚਾਲਕਤਾ ਨੂੰ ਲਗਾਤਾਰ ਬਣਾਈ ਰੱਖਣਾ ਚਾਹੀਦਾ ਹੈ।
3. ਕੀ ਹੁੰਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ ਬੀਜ ਦੀ ਪਰਤ ਸਹੀ ਢੰਗ ਨਾਲ ਜਮ੍ਹਾ ਨਹੀਂ ਹੁੰਦੀ?
Ti/Cu ਬੀਜ ਪਰਤ ਬਾਅਦ ਵਿੱਚ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪਲੇਟਿੰਗ ਲਈ ਲੋੜੀਂਦੀ ਸੰਚਾਲਕ ਨੀਂਹ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦੀ ਹੈ। ਜੇਕਰ ਵਾਈ ਸਾਈਡਵਾਲ 'ਤੇ ਬੀਜ ਪਰਤ ਬਹੁਤ ਪਤਲੀ ਹੈ, ਅਧੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਢੱਕੀ ਹੋਈ ਹੈ, ਜਾਂ ਇਸ ਵਿੱਚ ਵਿਘਨ ਹੈ, ਤਾਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪਲੇਟਿੰਗ ਕਰੰਟ ਨੂੰ ਸਾਈਡਵਾਲ ਦੇ ਨਾਲ ਲਗਾਤਾਰ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਨਹੀਂ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ, ਅਤੇ ਤਾਂਬੇ ਦੇ ਆਇਨਾਂ ਨੂੰ ਸਹੀ ਢੰਗ ਨਾਲ ਘਟਾਇਆ ਨਹੀਂ ਜਾ ਸਕਦਾ ਅਤੇ ਨੁਕਸਦਾਰ ਸਥਾਨਾਂ 'ਤੇ ਜਮ੍ਹਾ ਨਹੀਂ ਕੀਤਾ ਜਾ ਸਕਦਾ। ਜਿਵੇਂ-ਜਿਵੇਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪਲੇਟਿੰਗ ਅੱਗੇ ਵਧਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਤਾਂਬੇ ਦੀ ਪਰਤ ਬਣਦੀ ਹੈ, ਸ਼ੁਰੂ ਵਿੱਚ ਨਾਕਾਫ਼ੀ ਕਵਰੇਜ ਦੇ ਛੋਟੇ ਖੇਤਰ ਵਾਈ ਦੇ ਅੰਦਰ ਤਾਂਬੇ-ਪਰਤ ਦੇ ਖਾਲੀ ਸਥਾਨਾਂ, ਸਥਾਨਕ ਮੋਟਾਈ ਦੀ ਕਮੀਆਂ, ਜਾਂ ਵਿਘਨ ਰਹਿਤ ਪਲੇਟਿੰਗ ਵਿੱਚ ਵਿਕਸਤ ਹੋ ਸਕਦੇ ਹਨ।
ਇਹ ਨੁਕਸ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੇ ਅਗਲੇ ਅਤੇ ਪਿਛਲੇ ਪਾਸੇ ਸਰਕਟਾਂ ਦੀ ਆਪਸੀ ਕਨੈਕਸ਼ਨ ਗੁਣਵੱਤਾ ਨੂੰ ਸਿੱਧੇ ਤੌਰ 'ਤੇ ਪ੍ਰਭਾਵਿਤ ਕਰਦੇ ਹਨ। ਘੱਟ ਗੰਭੀਰ ਮਾਮਲਿਆਂ ਵਿੱਚ, ਇਹਨਾਂ ਦੇ ਨਤੀਜੇ ਵਜੋਂ ਵਿਰੋਧ, ਸਥਾਨਕ ਗਰਮੀ ਪੈਦਾਵਾਰ, ਅਤੇ ਬਿਜਲੀ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਵਿੱਚ ਉਤਰਾਅ-ਚੜ੍ਹਾਅ ਵਧ ਸਕਦੇ ਹਨ। ਵਧੇਰੇ ਗੰਭੀਰ ਮਾਮਲਿਆਂ ਵਿੱਚ, ਦੋਵਾਂ ਪਾਸਿਆਂ ਦੇ ਸਰਕਟ ਬਿਜਲੀ ਨਿਰੰਤਰਤਾ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਵਿੱਚ ਅਸਫਲ ਹੋ ਸਕਦੇ ਹਨ। ਬਾਅਦ ਵਿੱਚ ਸੋਲਡਰਿੰਗ, ਉੱਚ-ਤਾਪਮਾਨ ਦੀ ਉਮਰ, ਜਾਂ ਥਰਮਲ ਸਾਈਕਲਿੰਗ ਦੌਰਾਨ, ਨੁਕਸਦਾਰ ਖੇਤਰਾਂ ਵਿੱਚ ਛਾਲੇ, ਡੀਲੇਮੀਨੇਸ਼ਨ, ਜਾਂ ਸਰਕਟ ਕ੍ਰੈਕਿੰਗ ਹੋਰ ਵਿਕਸਤ ਹੋ ਸਕਦੀ ਹੈ, ਉਤਪਾਦ ਦੀ ਉਪਜ ਅਤੇ ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਦੀ ਭਰੋਸੇਯੋਗਤਾ ਨੂੰ ਘਟਾ ਸਕਦੀ ਹੈ ਅਤੇ ਸੰਭਾਵੀ ਤੌਰ 'ਤੇ ਡਿਵਾਈਸ ਅਸਫਲਤਾ ਦਾ ਕਾਰਨ ਬਣ ਸਕਦੀ ਹੈ।
4. ਧਾਤੂਕਰਨ ਰਾਹੀਂ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਬਸਟਰੇਟ ਲਈ ਜ਼ੇਨਹੂਆ ਵੈਕਿਊਮ ਦਾ ਪੁੰਜ-ਉਤਪਾਦਨ ਹੱਲ - ਡੀਪੀਸੀ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਬਸਟਰੇਟ ਵੈਕਿਊਮ ਕੋਟਿੰਗ ਉਤਪਾਦਨ ਲਾਈਨ
ਉਪਕਰਨ ਦੇ ਫਾਇਦੇ:
ਆਟੋਮੇਸ਼ਨ: ਇੱਕ ਪੂਰੀ ਤਰ੍ਹਾਂ ਸਵੈਚਾਲਿਤ ਕੋਟਿੰਗ ਅਤੇ ਵਰਕਪੀਸ-ਕੈਰੀਅਰ ਟ੍ਰਾਂਸਫਰ ਸਿਸਟਮ ਹੱਥੀਂ ਦਖਲਅੰਦਾਜ਼ੀ ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦਾ ਹੈ ਜਦੋਂ ਕਿ ਉਤਪਾਦਨ ਕੁਸ਼ਲਤਾ ਵਿੱਚ ਸੁਧਾਰ ਕਰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਸਮੁੱਚੇ ਚੱਕਰ ਸਮੇਂ ਨੂੰ ਘਟਾਉਂਦਾ ਹੈ।
ਥਰੂਪੁੱਟ: 288 ਪੀਸੀ ਪ੍ਰਤੀ ਘੰਟਾ ਤੱਕ ਦੀ ਉਤਪਾਦਨ ਸਮਰੱਥਾ ਦੇ ਨਾਲ 120 ਮਿਲੀਮੀਟਰ × 120 ਮਿਲੀਮੀਟਰ ਸਬਸਟਰੇਟਾਂ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।
ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ: ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਬਸਟਰੇਟ ਦੀ ਗਰਮੀ ਦੇ ਨਿਕਾਸ ਪ੍ਰਦਰਸ਼ਨ ਨੂੰ ਵਧਾਉਂਦੇ ਹੋਏ ਬਿਜਲੀ ਚਾਲਕਤਾ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਬਣਾਉਂਦਾ ਹੈ।
ਧਾਤੂਕਰਨ ਰਾਹੀਂ: ਇੱਕ ਅਨੁਕੂਲਿਤ ਚੁੰਬਕੀ-ਖੇਤਰ ਸੰਰਚਨਾ ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੀਆ ਦੇ ਅੰਦਰ ਕੁਸ਼ਲ ਅਤੇ ਇਕਸਾਰ ਕੋਟਿੰਗ ਕਵਰੇਜ ਨੂੰ ਸਮਰੱਥ ਬਣਾਉਂਦੀ ਹੈ।
ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ: ਸਮੁੱਚੀ ਫਿਲਮ-ਮੋਟਾਈ ਇਕਸਾਰਤਾ ਅਤੇ ਕੋਟਿੰਗ ਇਕਸਾਰਤਾ ਨੂੰ ਬਿਹਤਰ ਬਣਾਉਣ ਲਈ ਦੋ-ਪਾਸੜ ਕੋਟਿੰਗ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਦਾ ਹੈ।
ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨ:
ਇਹ ਉਪਕਰਣ ਕਈ ਤਰ੍ਹਾਂ ਦੀਆਂ ਐਲੀਮੈਂਟਲ ਮੈਟਲ ਫਿਲਮਾਂ ਜਮ੍ਹਾ ਕਰ ਸਕਦਾ ਹੈ, ਜਿਸ ਵਿੱਚ Ti, Cu, Al, Sn, Cr, Ag, ਅਤੇ Ni ਸ਼ਾਮਲ ਹਨ, ਅਤੇ ਇਸਨੂੰ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਅਤੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਕੰਪੋਨੈਂਟ ਉਦਯੋਗਾਂ ਵਿੱਚ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਬਸਟਰੇਟ, ਸਿਰੇਮਿਕ ਕੈਪੇਸੀਟਰ, ਅਤੇ LED ਸਿਰੇਮਿਕ ਪੈਕੇਜ/ਸਪੋਰਟ ਵਰਗੀਆਂ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਵਿਆਪਕ ਤੌਰ 'ਤੇ ਲਾਗੂ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਹੈ।
5. ਸਿੱਟਾ
ਜ਼ੇਨਹੂਆ ਵੈਕਿਊਮ ਡੀਪੀਸੀ ਨਿਰਮਾਣ ਲਈ ਫਰੰਟ-ਐਂਡ ਵੈਕਿਊਮ ਸਪਟਰਿੰਗ ਪ੍ਰਕਿਰਿਆ 'ਤੇ ਕੇਂਦ੍ਰਤ ਕਰਦਾ ਹੈ। ਮਾਈਕ੍ਰੋਵੀਆ ਸਾਈਡਵਾਲ ਕਵਰੇਜ ਨੂੰ ਵਧਾ ਕੇ ਅਤੇ ਆਟੋਮੇਟਿਡ ਉਤਪਾਦਨ ਦੇ ਨਾਲ ਡਬਲ-ਸਾਈਡਡ ਕੋਟਿੰਗ ਤਕਨਾਲੋਜੀ ਨੂੰ ਜੋੜ ਕੇ, ਇਹ ਘੋਲ ਬਾਅਦ ਦੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰੋਪਲੇਟਿੰਗ ਲਈ ਸਥਿਰ ਟੀਆਈ/ਸੀਯੂ ਬੀਜ ਪਰਤਾਂ ਪ੍ਰਦਾਨ ਕਰਦਾ ਹੈ ਅਤੇ ਇੰਟਰਕਨੈਕਸ਼ਨ ਦੁਆਰਾ ਭਰੋਸੇਯੋਗ ਹੈ। ਇਹ ਗਾਹਕਾਂ ਨੂੰ ਸੈਮੀਕੰਡਕਟਰ ਅਤੇ ਉੱਨਤ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਵਿੱਚ ਡੀਪੀਸੀ ਸਿਰੇਮਿਕ ਸਬਸਟਰੇਟਾਂ ਦੇ ਵਿਆਪਕ ਗੋਦ ਲੈਣ ਦਾ ਸਮਰਥਨ ਕਰਦੇ ਹੋਏ ਇਕਸਾਰ ਵੱਡੇ ਪੱਧਰ 'ਤੇ ਉਤਪਾਦਨ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕਰਨ ਵਿੱਚ ਮਦਦ ਕਰਦਾ ਹੈ।
-ਇਹ ਲੇਖ ਪ੍ਰਕਾਸ਼ਿਤ ਕੀਤਾ ਗਿਆ ਸੀ ਵੈਕਿਊਮ ਕੋਟਿੰਗ ਉਪਕਰਣ ਨਿਰਮਾਤਾਜ਼ੇਨਹੂਆ ਵੈਕਿਊਮ
ਪੋਸਟ ਸਮਾਂ: ਅਗਸਤ-27-2026