ଚିପ୍ସ ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ କ୍ଷୁଦ୍ରକରଣ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ସମନ୍ୱୟ ଆଡ଼କୁ ବିକଶିତ ହେବା ସହିତ, କେବଳ ସିରାମିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ଗୁଡ଼ିକର ପୃଷ୍ଠରେ ସର୍କିଟ୍ ନିର୍ମାଣ ଆଉ କ୍ରମବର୍ଦ୍ଧିଷ୍ଣୁ ଆନ୍ତଃସଂଯୋଗ ଏବଂ ରାଉଟିଂ ଆବଶ୍ୟକତା ପୂରଣ କରିପାରିବ ନାହିଁ। ତେଣୁ ମାଇକ୍ରୋଭିଆଗୁଡ଼ିକୁ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ର ସମ୍ମୁଖ ଏବଂ ପଛ ପାର୍ଶ୍ୱଗୁଡ଼ିକୁ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଭାବରେ ସଂଯୋଗ କରିବା ଆବଶ୍ୟକ, ଆନ୍ତଃସଂଯୋଗ ପଥଗୁଡ଼ିକୁ ଛୋଟ କରିବା ଏବଂ ସର୍କିଟ୍ ଘନତା ବୃଦ୍ଧି କରିବା। ଫଳସ୍ୱରୂପ, LEDs, ଲେଜର୍, ଅପ୍ଟିକାଲ୍ ଯୋଗାଯୋଗ, RF ଡିଭାଇସ୍ ଏବଂ ପାୱାର ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ସ ସମେତ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ ଧାତୁକରଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟା ମାଧ୍ୟମରେ DPC (ଡାଇରେକ୍ଟ ପ୍ଲେଟେଡ୍ କପର) ବ୍ୟାପକ ଭାବରେ ଗ୍ରହଣ କରାଯାଇଛି।
ତଥାପି, ସିରାମିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ଗୁଡ଼ିକ ସ୍ୱାଭାବିକ ଭାବରେ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ଭାବରେ ଅନ୍ତର୍ନିହିତ। କେବଳ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ମାଧ୍ୟମରେ ମାଇକ୍ରୋଭିଆ ଗଠନ କରିବା ଦ୍ଵାରା ଦୁଇ ପାର୍ଶ୍ୱ ମଧ୍ୟରେ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ନିରନ୍ତରତା ସ୍ଥାପନ ହୁଏ ନାହିଁ। ପ୍ରକୃତ ଚ୍ୟାଲେଞ୍ଜ ହେଉଛି ମାଇକ୍ରୋଭିଆଗୁଡ଼ିକର ଭିତର କାନ୍ଥ ସହିତ ଏକ ନିରନ୍ତର ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଧାତୁ ବୀଜ ସ୍ତର ଗଠନ କରିବା।
୧. ସେରାମିକ୍ ମାଇକ୍ରୋଭିଆ ମାଧ୍ୟମରେ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ନିରନ୍ତରତା କିପରି ସ୍ଥାପିତ ହୁଏ?
ଧାତୁକରଣ ମାଧ୍ୟମରେ DPC ସାଧାରଣତଃ ଲେଜର ଡ୍ରିଲିଂ ସହିତ ଆରମ୍ଭ ହୁଏ ଯାହା ଦ୍ୱାରା ସିରାମିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ରେ ମାଇକ୍ରୋଭିଆ ତିଆରି ହୁଏ, ସାଧାରଣତଃ ଟେପର୍ଡ କିମ୍ବା ସିଧା-ଥ୍ରୁ ଗାତ ଆକାରରେ। ତା'ପରେ ମାଇକ୍ରୋଭିଆ ଏବଂ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠକୁ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଭାବରେ ସଫା କରାଯାଏ ଏବଂ ଡ୍ରିଲିଂ ଅବଶିଷ୍ଟାଂଶ, ଆର୍ଦ୍ରତା ଏବଂ ଅନ୍ୟାନ୍ୟ ପ୍ରଦୂଷଣକାରୀ ପଦାର୍ଥଗୁଡ଼ିକୁ ଅପସାରଣ କରାଯାଏ। ଏକ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ସ୍ପଟରିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ପରବର୍ତ୍ତୀ ସମୟରେ ଏକ Ti ଆଡେସନ୍ ସ୍ତର ଜମା କରିବା ପାଇଁ ବ୍ୟବହାର କରାଯାଏ, ଯାହା ସାଧାରଣତଃ 50-200 nm ଘନ, ତା'ପରେ ଏକ Cu ପରିବାହୀ ବୀଜ ସ୍ତର, ସାଧାରଣତଃ 0.5-2 μm ଘନ, ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଏବଂ ମାଇକ୍ରୋଭିଆର ଭିତର କାନ୍ଥ ସହିତ ଥାଏ।
ଧାତୁ ଫିଲ୍ମ ଏବଂ ସିରାମିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ମଧ୍ୟରେ ବନ୍ଧନ ଶକ୍ତିକୁ ଉନ୍ନତ କରିବା ପାଇଁ Ti ସ୍ତର ଏକ ଆଡେସନ ସ୍ତର ଭାବରେ କାର୍ଯ୍ୟ କରେ, ଯେତେବେଳେ Cu ସୀଜ ସ୍ତର ପରବର୍ତ୍ତୀ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋପ୍ଲେଟିଂ ପାଇଁ ଏକ ନିରନ୍ତର ପରିବାହୀ ଭିତ୍ତିଭୂମି ପ୍ରଦାନ କରେ। ତାପରେ ତମ୍ବା ସ୍ତରକୁ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋପ୍ଲେଟିଂ ଦ୍ୱାରା ଆହୁରି ନିର୍ମାଣ କରାଯାଏ, ସାଧାରଣତଃ 5-20 μm ଘନତା ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ, ଶେଷରେ ଧାତବ ଭାୟା ମାଧ୍ୟମରେ ସମ୍ମୁଖ ଏବଂ ପଛ ପାର୍ଶ୍ୱରେ ସର୍କିଟ ମଧ୍ୟରେ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ନିରନ୍ତରତା ସ୍ଥାପନ କରେ। ସରଳ ଭାଷାରେ, ଭାକ୍ୟୁମ୍ ସ୍ପଟରିଂ ପରିବାହୀ ଭିତ୍ତିଭୂମି ପ୍ରଦାନ କରେ, ଯେତେବେଳେ ପରବର୍ତ୍ତୀ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋପ୍ଲେଟିଂ ତମ୍ବା ଘନତାକୁ ନିର୍ମାଣ କରେ, ଯାହା ଦ୍ଵାରା ପ୍ରତିରୋଧ ହ୍ରାସ କରେ ଏବଂ ଆନ୍ତଃସଂଯୋଗ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତାକୁ ଉନ୍ନତ କରେ।
ଯଦିଓ ପ୍ରକ୍ରିୟାଟି ସରଳ ଦେଖାଯାଉଛି, ପରସ୍ପର ସଂଯୋଗ ମାଧ୍ୟମରେ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଏକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ ପୂର୍ବ ଆବଶ୍ୟକତା ଉପରେ ନିର୍ଭର କରେ: Ti/Cu ବୀଜ ସ୍ତର ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଏବଂ ନିରନ୍ତର ଭାବରେ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠ ଏବଂ ପ୍ରତ୍ୟେକ ମାଇକ୍ରୋଭିଆର ସମଗ୍ର ଭିତର କାନ୍ଥକୁ ଆଚ୍ଛାଦିତ କରିବା ଉଚିତ।
୨. DPC Vias ପାଇଁ Ti/Cu ବିହନ ସ୍ତରକୁ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ସ୍ପଟରିଂର ଚାରୋଟି ପ୍ରମୁଖ ଚ୍ୟାଲେଞ୍ଜ।
ସଂକୀର୍ଣ୍ଣ ମାଇକ୍ରୋଭିଆ ଭିତରେ ଏକ ନିରନ୍ତର ବିହନ ସ୍ତର ଗଠନ କରିବା ସରଳ ନୁହେଁ। ଭିଆ ଭିତରେ ରହିଯାଇଥିବା ଅବଶିଷ୍ଟାଂଶ ଫିଲ୍ମ ଆଡ଼େସନକୁ ବିପଦରେ ପକାଇପାରେ, ଯେତେବେଳେ ମାଇକ୍ରୋଭିଆ ଜ୍ୟାମିତି ପାର୍ଶ୍ୱକାନ୍ଥ କଭରେଜକୁ କ୍ରମଶଃ କଷ୍ଟକର କରିଥାଏ। ବିହନ ସ୍ତରର ସ୍ଥାନୀୟ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ପରବର୍ତ୍ତୀ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋପ୍ଲେଟିଂକୁ ବାଧା ଦେଇପାରେ, ଯେତେବେଳେ ବିଭିନ୍ନ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସ୍ଥାନ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନ ବ୍ୟାଚ୍ ମଧ୍ୟରେ ପରିବର୍ତ୍ତନ ସାମଗ୍ରିକ ପ୍ରକ୍ରିୟା ସ୍ଥିରତାକୁ ପ୍ରଭାବିତ କରିପାରେ। ଧାତବୀକରଣ ମାଧ୍ୟମରେ DPC ପାଇଁ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ସ୍ପଟରିଂର ପ୍ରମୁଖ ଚ୍ୟାଲେଞ୍ଜଗୁଡ଼ିକୁ ଚାରୋଟି କ୍ଷେତ୍ରରେ ସଂକ୍ଷେପ କରାଯାଇପାରେ।
୧. ଭିୟାସ୍ ଭିତରେ ଥିବା ଅବଶିଷ୍ଟାଂଶ ଫିଲ୍ମ ଆଡେସନ୍କୁ କ୍ଷତି ପହଞ୍ଚାଇପାରେ।
ଲେଜର ଡ୍ରିଲିଂ ପରେ, ସିରାମିକ୍ ସବ୍ଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ଗୁଡ଼ିକରେ ସିରାମିକ୍ କଣିକା, ପୁନଃକାଷ୍ଟ ସାମଗ୍ରୀ, ଡ୍ରିଲିଂ ଅବଶେଷ ଏବଂ ମାଇକ୍ରୋଭିଆ ଭିତରେ ଶୋଷିତ ଆର୍ଦ୍ରତା ରହିପାରେ। ଛୋଟ ବ୍ୟାସ ଏବଂ ଉଚ୍ଚ ଦିଗ ଅନୁପାତ ଥିବା ମାଇକ୍ରୋଭିଆ ପାଇଁ, ଏହି ଅବଶିଷ୍ଟାଂଶଗୁଡ଼ିକ ପ୍ରାୟତଃ ପୃଷ୍ଠ ପ୍ରଦୂଷଣ ଅପେକ୍ଷା ଅପସାରଣ କରିବା ବହୁତ କଷ୍ଟକର। ଯଦି ସଫା ଏବଂ ଡିଗାସିଂ ଅପର୍ଯ୍ୟାପ୍ତ ହୁଏ, ତେବେ Ti ଆଡେସନ୍ ସ୍ତର ସିରାମିକ୍ ପାର୍ଶ୍ୱକାନ୍ଥ ସହିତ ଏକ ଦୃଢ଼ ଏବଂ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ବନ୍ଧନ ଗଠନ କରିନପାରେ। ଆବରଣ ପରେ ଏପରି ତ୍ରୁଟି ତୁରନ୍ତ ସ୍ପଷ୍ଟ ହୋଇ ନପାରେ, କିନ୍ତୁ ପରବର୍ତ୍ତୀ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋପ୍ଲେଟିଂ, ସୋଲଡରିଂ କିମ୍ବା ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ କାର୍ଯ୍ୟ ସମୟରେ ଧୀରେ ଧୀରେ ଫୋଟକା ଏବଂ ଡିଲାମିନେସନ୍ରେ ବିକଶିତ ହୋଇପାରେ।
୨. ଉଚ୍ଚ ଆସ୍ପେକ୍ଟ ରେସିଓ ସାଇଡ୍ୱାଲ୍ କଭରେଜ୍କୁ ଅଧିକ କଷ୍ଟକର କରିଥାଏ।
ଏକ ମାଇକ୍ରୋଭିଆର ସ୍ପଟରିଂ କଷ୍ଟକୁ କେବଳ ଏହାର ଗଭୀରତା ଦ୍ୱାରା ମୂଲ୍ୟାଙ୍କନ କରାଯାଇପାରିବ ନାହିଁ; ଭିଆ ଗଭୀରତା ଏବଂ ଭିଆ ବ୍ୟାସ ମଧ୍ୟରେ ଅନୁପାତ - ଦିଗ ଅନୁପାତ - ସମାନ ଭାବରେ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ। ଉଦାହରଣ ସ୍ୱରୂପ, 60 μm ବ୍ୟାସ ଏବଂ 300 μm ଗଭୀରତା ସହିତ ଏକ ଭିଆ 5:1 ର ଦିଗ ଅନୁପାତ। ଦିଗ ଅନୁପାତ ବୃଦ୍ଧି ପାଇବା ସହିତ, ଭିଆ ପ୍ରବେଶ ସ୍ପଟର କଣିକାଗୁଡ଼ିକର ଅଧିକ ଜ୍ୟାମିତିକ ଛାୟା ସୃଷ୍ଟି କରେ, ଯାହା ପାର୍ଶ୍ୱକାନ୍ଥର ମଧ୍ୟ ଭାଗକୁ ପହଞ୍ଚିପାରୁଥିବା କଣିକାଗୁଡ଼ିକର ସଂଖ୍ୟାକୁ ହ୍ରାସ କରେ। ଏହା ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପୃଷ୍ଠରେ ଏବଂ ଭିଆ ଖୋଲା ପାଖରେ ଅପେକ୍ଷାକୃତ ଘନ ଫିଲ୍ମ ସୃଷ୍ଟି କରିପାରେ, ଯେତେବେଳେ ଭିଆ ପାର୍ଶ୍ୱକାନ୍ଥର ମଧ୍ୟ ଭାଗ ଯଥେଷ୍ଟ ପତଳା କିମ୍ବା ବିଚ୍ଛିନ୍ନ ହୋଇଯାଏ।
3. ଏକ ଅସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ବିହନ ସ୍ତର ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ ଭିଆ ଇଣ୍ଟରକନେକ୍ସନକୁ ରୋକିପାରେ
ଧାତୁକରଣ ମାଧ୍ୟମରେ DPC ର ମୌଳିକ ଆବଶ୍ୟକତା କେବଳ ଭାୟା କାନ୍ଥରେ ତମ୍ବା ଅଛି କି ନାହିଁ ତାହା ନୁହେଁ, ବରଂ Ti/Cu ବୀଜ ସ୍ତର ସବଷ୍ଟ୍ରେଟର ସମ୍ମୁଖ ପାର୍ଶ୍ୱରୁ ସମଗ୍ର ପାର୍ଶ୍ୱ କାନ୍ଥ ସହିତ ପଛ ପାର୍ଶ୍ୱକୁ ନିରନ୍ତର ବିସ୍ତାରିତ ହୋଇପାରିବ କି ନାହିଁ। ବୀଜ ସ୍ତରର ଏକ ଛୋଟ ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ମଧ୍ୟ ପରବର୍ତ୍ତୀ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋପ୍ଲେଟିଂ ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକୀୟ ପରିବାହୀ ପଥକୁ ବାଧା ଦେଇପାରେ। ତେଣୁ, ବୀଜ-ସ୍ତର ଗୁଣବତ୍ତା କେବଳ ପୃଷ୍ଠ ଦୃଶ୍ୟ କିମ୍ବା ହାରାହାରି ଫିଲ୍ମ ଘନତା ଦ୍ୱାରା ମୂଲ୍ୟାଙ୍କନ କରାଯାଇପାରିବ ନାହିଁ। ଭାୟା ପାର୍ଶ୍ୱ କାନ୍ଥର ସବୁଠାରୁ ପତଳା ଅଂଶ ଏବଂ ଧାତୁକରଣ ପଥ ମଧ୍ୟରେ ନିରନ୍ତର ବୈଦ୍ୟୁତିକ ପରିବାହୀତା ବଜାୟ ରହିଛି କି ନାହିଁ ତାହା ଉପରେ ବିଶେଷ ଧ୍ୟାନ ଦେବାକୁ ପଡିବ।
୪. ଗୋଟିଏ ନମୁନା ପାସ୍ କରିବା ଦ୍ଵାରା ବ୍ୟାଚ୍-ଟୁ-ବ୍ୟାଚ୍ ସ୍ଥିରତା ଗ୍ୟାରେଣ୍ଟି ହୁଏ ନାହିଁ।
ଗୋଟିଏ ନମୁନାରେ ଆବଶ୍ୟକୀୟ ପୃଷ୍ଠ ଫିଲ୍ମ ଘନତା ହାସଲ କରିବାର ଅର୍ଥ ଏହା ନୁହେଁ ଯେ ପ୍ରକ୍ରିୟାଟି ବହୁଳ ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ପ୍ରସ୍ତୁତ। DPC ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଆଗ ଏବଂ ପଛ ପୃଷ୍ଠ ମଧ୍ୟରେ, ସବଷ୍ଟ୍ରେଟର କେନ୍ଦ୍ର ଏବଂ ଧାର ଅଞ୍ଚଳ ମଧ୍ୟରେ, ବିଭିନ୍ନ ଫିକ୍ସଚର ସ୍ଥିତିରେ ଏବଂ ବ୍ୟାଚ୍ ରୁ ବ୍ୟାଚ୍ ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଆବରଣ ସମାନତାର କଡ଼ା ନିୟନ୍ତ୍ରଣ ଆବଶ୍ୟକ। ବହୁ ସଂଖ୍ୟକ ମାଇକ୍ରୋଭିଆ ଥିବା ସିରାମିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପାଇଁ, ପ୍ରକ୍ରିୟା ମୂଲ୍ୟାଙ୍କନ କେବଳ ହାରାହାରି ଫିଲ୍ମ ଘନତା ଉପରେ ଧ୍ୟାନ ଦେବା ଉଚିତ୍ ନୁହେଁ। ଅଧିକ ଗୁରୁତ୍ୱପୂର୍ଣ୍ଣ କଥା ହେଉଛି, ଭାୟା ସାଇଡୱାଲର ପତଳା ଅଞ୍ଚଳ ପରବର୍ତ୍ତୀ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋପ୍ଲେଟିଂ ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ପରିବାହିତାକୁ ସ୍ଥିର ଭାବରେ ବଜାୟ ରଖିବା ଆବଶ୍ୟକ।
୩. ବିହନ ସ୍ତର ସଠିକ୍ ଭାବରେ ଜମା ନ ହେଲେ କ'ଣ ହୁଏ?
Ti/Cu ବୀଜ ସ୍ତର ପରବର୍ତ୍ତୀ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋପ୍ଲେଟିଂ ପାଇଁ ଆବଶ୍ୟକୀୟ ପରିବାହୀ ଭିତ୍ତିଭୂମି ପ୍ରଦାନ କରେ। ଯଦି ଭାୟା ସାଇଡୱାଲରେ ଥିବା ବୀଜ ସ୍ତର ଅତ୍ୟଧିକ ପତଳା, ଅସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ଭାବରେ ଆଚ୍ଛାଦିତ ହୋଇଥାଏ, କିମ୍ବା ବିଚ୍ଛିନ୍ନତା ଥାଏ, ତେବେ ପାର୍ଶ୍ୱୱାଲରେ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋପ୍ଲେଟିଂ କରେଣ୍ଟ ନିରନ୍ତର ସ୍ଥାନାନ୍ତରିତ ହୋଇପାରିବ ନାହିଁ, ଏବଂ ତମ୍ବା ଆୟନଗୁଡ଼ିକୁ ସଠିକ୍ ଭାବରେ ହ୍ରାସ କରାଯାଇ ପାରିବ ନାହିଁ ଏବଂ ତ୍ରୁଟିପୂର୍ଣ୍ଣ ସ୍ଥାନରେ ଜମା କରାଯାଇପାରିବ ନାହିଁ। ଯେପରି ବିଦ୍ୟୁତ୍ ପ୍ଲେଟିଂ ଆଗକୁ ବଢ଼ିଥାଏ ଏବଂ ତମ୍ବା ସ୍ତର ଗଢ଼ିଥାଏ, ପ୍ରାରମ୍ଭରେ ଅପର୍ଯ୍ୟାପ୍ତ କଭରେଜର ଛୋଟ ଛୋଟ କ୍ଷେତ୍ରଗୁଡ଼ିକ ତମ୍ବା-ସ୍ତର ଶୂନ୍ୟସ୍ଥାନ, ସ୍ଥାନୀୟ ଘନତା ଅଭାବ କିମ୍ବା ଭାୟା ମଧ୍ୟରେ ବିଚ୍ଛିନ୍ନ ପ୍ଲେଟିଂରେ ବିକଶିତ ହୋଇପାରେ।
ଏହି ତ୍ରୁଟିଗୁଡ଼ିକ ସିରାମିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟର ସମ୍ମୁଖ ଏବଂ ପଛ ପାର୍ଶ୍ୱରେ ଥିବା ସର୍କିଟର ଆନ୍ତଃସଂଯୋଗ ଗୁଣବତ୍ତା ଉପରେ ସିଧାସଳଖ ପ୍ରଭାବ ପକାଇଥାଏ। କମ୍ ଗୁରୁତର କ୍ଷେତ୍ରରେ, ଏହା ପ୍ରତିରୋଧ, ସ୍ଥାନୀୟ ଉତ୍ତାପ ଉତ୍ପାଦନ ଏବଂ ବୈଦ୍ୟୁତିକ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାରେ ପରିବର୍ତ୍ତନ ମାଧ୍ୟମରେ ବୃଦ୍ଧି ପାଇପାରେ। ଅଧିକ ଗୁରୁତର କ୍ଷେତ୍ରରେ, ଦୁଇ ପାର୍ଶ୍ୱର ସର୍କିଟଗୁଡ଼ିକ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ନିରନ୍ତରତା ହାସଲ କରିବାରେ ବିଫଳ ହୋଇପାରେ। ପରବର୍ତ୍ତୀ ସୋଲଡରିଂ, ଉଚ୍ଚ-ତାପମାନ ବୟସ୍କତା, କିମ୍ବା ତାପଜ ସାଇକେଲିଂ ସମୟରେ, ତ୍ରୁଟିପୂର୍ଣ୍ଣ ଅଞ୍ଚଳଗୁଡ଼ିକ ଆହୁରି ଫୋଟକା, ଡିଲାମିନେସନ୍ କିମ୍ବା ସର୍କିଟ ଫାଟିବା ବିକଶିତ କରିପାରେ, ଯାହା ଉତ୍ପାଦ ଉତ୍ପାଦନ ଏବଂ ଦୀର୍ଘକାଳୀନ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟତା ହ୍ରାସ କରିପାରେ ଏବଂ ସମ୍ଭାବ୍ୟ ଭାବରେ ଡିଭାଇସ୍ ବିଫଳତା ସୃଷ୍ଟି କରିପାରେ।
୪. ଧାତୁକରଣ ମାଧ୍ୟମରେ ସିରାମିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ପାଇଁ ଜେନହୁଆ ଭାକ୍ୟୁମର ମାସ୍-ଉତ୍ପାଦନ ସମାଧାନ - ଡିପିସି ସିରାମିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଆବରଣ ଉତ୍ପାଦନ ଲାଇନ
ଉପକରଣର ଲାଭ:
ସ୍ୱୟଂଚାଳିତକରଣ: ଏକ ସମ୍ପୂର୍ଣ୍ଣ ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ଆବରଣ ଏବଂ ୱର୍କପିସ୍-ବାହକ ସ୍ଥାନାନ୍ତର ପ୍ରଣାଳୀ ମାନୁଆଲ୍ ହସ୍ତକ୍ଷେପକୁ ହ୍ରାସ କରେ ଏବଂ ଉତ୍ପାଦନ ଦକ୍ଷତାକୁ ଉନ୍ନତ କରେ ଏବଂ ସାମଗ୍ରିକ ଚକ୍ର ସମୟକୁ ହ୍ରାସ କରେ।
ଥ୍ରୁପୁଟ୍: ଘଣ୍ଟା ପ୍ରତି ୨୮୮ ପିସି ପର୍ଯ୍ୟନ୍ତ ଉତ୍ପାଦନ କ୍ଷମତା ସହିତ ୧୨୦ ମିମି × ୧୨୦ ମିମି ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ ସମର୍ଥନ କରେ।
କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତା: ସିରାମିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟର ତାପ ଅପଚୟ କାର୍ଯ୍ୟଦକ୍ଷତାକୁ ବୃଦ୍ଧି କରିବା ସହିତ ବୈଦ୍ୟୁତିକ ପରିବାହିତାକୁ ଉନ୍ନତ କରେ।
ଧାତୁକରଣ ମାଧ୍ୟମରେ: ଏକ ଅପ୍ଟିମାଇଜ୍ ହୋଇଥିବା ଚୁମ୍ବକୀୟ-କ୍ଷେତ୍ର ବିନ୍ୟାସ ମାଇକ୍ରୋଭିଆ ମଧ୍ୟରେ ଦକ୍ଷ ଏବଂ ସମାନ ଆବରଣ କଭରେଜ୍ ସକ୍ଷମ କରିଥାଏ।
ପ୍ରକ୍ରିୟା: ସାମଗ୍ରିକ ଫିଲ୍ମ-ଘନତା ସମାନତା ଏବଂ ଆବରଣ ସ୍ଥିରତାକୁ ଉନ୍ନତ କରିବା ପାଇଁ ଦୁଇ-ପାର୍ଶ୍ୱ ଆବରଣକୁ ସମର୍ଥନ କରେ।
ପ୍ରୟୋଗ:
ଏହି ଉପକରଣଗୁଡ଼ିକ Ti, Cu, Al, Sn, Cr, Ag, ଏବଂ Ni ସମେତ ବିଭିନ୍ନ ପ୍ରକାରର ମୌଳିକ ଧାତୁ ଫିଲ୍ମ ଜମା କରିପାରିବ, ଏବଂ ସେମିକ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍, ସେମିକ କ୍ୟାପାସିଟର ଏବଂ LED ସେମିକ ପ୍ୟାକେଜ୍/ସପୋର୍ଟ ଭଳି ପ୍ରୟୋଗ ପାଇଁ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଏବଂ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ଉପାଦାନ ଶିଳ୍ପରେ ବ୍ୟାପକ ଭାବରେ ପ୍ରୟୋଗ କରାଯାଇଛି।
୫. ନିଷ୍କର୍ଷ
ଜେନହୁଆ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ଡିପିସି ଉତ୍ପାଦନ ପାଇଁ ଫ୍ରଣ୍ଟ-ଏଣ୍ଡ ଭାକ୍ୟୁମ୍ ସ୍ପଟରିଂ ପ୍ରକ୍ରିୟା ଉପରେ ଧ୍ୟାନ ଦିଏ। ମାଇକ୍ରୋଭିଆ ସାଇଡ୍ୱାଲ୍ କଭରେଜ୍ ବୃଦ୍ଧି କରି ଏବଂ ସ୍ୱୟଂଚାଳିତ ଉତ୍ପାଦନ ସହିତ ଡବଲ-ସାଇଡେଡ୍ ଆବରଣ ପ୍ରଯୁକ୍ତିବିଦ୍ୟାକୁ ମିଶ୍ରଣ କରି, ଏହି ସମାଧାନ ପରବର୍ତ୍ତୀ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋପ୍ଲେଟିଂ ପାଇଁ ସ୍ଥିର Ti/Cu ସୀଡ୍ ସ୍ତର ପ୍ରଦାନ କରେ ଏବଂ ଆନ୍ତଃସଂଯୋଗ ମାଧ୍ୟମରେ ନିର୍ଭରଯୋଗ୍ୟ। ଏହା ଗ୍ରାହକମାନଙ୍କୁ ସ୍ଥିର ବହୁଳ ଉତ୍ପାଦନ ହାସଲ କରିବାରେ ସାହାଯ୍ୟ କରେ ଯେତେବେଳେ ସେମିକଣ୍ଡକ୍ଟର ଏବଂ ଉନ୍ନତ ଇଲେକ୍ଟ୍ରୋନିକ୍ ପ୍ରୟୋଗଗୁଡ଼ିକରେ ଡିପିସି ସେରାମିକ୍ ସବଷ୍ଟ୍ରେଟ୍ସର ବ୍ୟାପକ ଗ୍ରହଣକୁ ସମର୍ଥନ କରେ।
-ଏହି ଲେଖାଟି ପ୍ରକାଶିତ ହୋଇଥିଲା ଭାକ୍ୟୁମ୍ କୋଟିଂ ଉପକରଣ ନିର୍ମାତାଜେନହୁଆ ଭାକ୍ୟୁମ୍
ପୋଷ୍ଟ ସମୟ: ଅଗଷ୍ଟ-୨୭-୨୦୨୬