Ji ber ku çîp û cîhazên elektronîkî ber bi mînyaturîzasyon û entegrasyoneke bilindtir ve diçin, çêkirina devreyan bi tenê li ser rûyê substratên seramîk êdî nikare pêdiviyên girêdan û rêwerdanê yên ku her ku diçe dijwartir dibin bicîh bîne. Ji ber vê yekê, pêdivî ye ku mîkrovîa aliyên pêş û paş ên substratê bi elektrîkî ve girêbidin, rêyên girêdana navberî kurt bikin û dendika devreyê zêde bikin. Di encamê de, DPC (Sifirê Rasterast a Plated) bi rêya teknolojiya metalîzasyonê di sepanên wekî LED, lazer, ragihandina optîkî, cîhazên RF û elektronîkên hêzê de bi berfirehî hatiye pejirandin.
Lêbelê, substratên seramîk bi xwezayî îzolekerên elektrîkê ne. Tenê çêkirina mîkrovîayan bi rêya substratê domdariya elektrîkê di navbera her du aliyan de ava nake. Pirsgirêka rastîn ew e ku li ser dîwarên hundurîn ên mîkrovîayan çînek tovê metalîk a domdar û pêbawer were çêkirin.
1. Berdewamiya Elektrîkê Çawa Bi Rêya Mîkrovîyayên Seramîk Tê Sazkirin?
DPC bi rêya metalîzasyonê bi gelemperî bi qulkirina lazerê dest pê dike da ku mîkrovîayan di binemaya seramîk de çêbike, bi gelemperî bi şiklê kunên konîk an rasterast derbas dibin. Dûv re mîkrovîa û rûyê binemayê bi tevahî têne paqijkirin û ji gazê têne derxistin da ku bermayiyên qulkirinê, şilbûn û gemarên din werin rakirin. Piştre pêvajoyek sputterkirina valahiyê tê bikar anîn da ku çînek girêdana Ti, bi gelemperî 50-200 nm stûr be, û dûv re çînek tovê guhêzbar a Cu, bi gelemperî 0.5-2 μm stûr, li ser rûyê binemayê û li seranserê dîwarên hundurîn ên mîkrovîayan were danîn.
Qata Ti wekî qatek pêvekirinê kar dike da ku hêza girêdanê di navbera fîlma metal û substrata seramîk de baştir bike, di heman demê de qata tovê Cu bingehek guhêzbar a domdar ji bo elektroplatkirina paşê peyda dike. Dû re qata sifir bi elektroplatkirinê bêtir tê avakirin, bi gelemperî heta qalindahiya 5-20 μm, di dawiyê de domdariya elektrîkê ya pêbawer di navbera devreyên li aliyên pêş û paş de bi rêya vîayên metalîzekirî ava dike. Bi gotineke hêsan, sputterkirina valahiyê bingeha guhêzbar peyda dike, di heman demê de elektroplatkirina paşê qalindahiya sifir zêde dike, bi vî rengî berxwedana vîa kêm dike û pêbaweriya girêdanê baştir dike.
Her çend pêvajo rasterast xuya bike jî, pêbaweriya bi rêya girêdanê ve girêdayî şertek girîng e: divê qata tovê Ti/Cu bi tevahî û berdewam rûyê substratê û tevahiya dîwarê hundurîn ê her mîkrovîayê bigire.
2. Çar Zehmetiyên Sereke yên Sputterkirina Valahîyê ya Qatên Tovê Ti/Cu ji bo DPC Vias
Çêkirina qatek tovê ya berdewam di hundurê mîkrovîayên teng de ne hêsan e. Bermayiyên ku di hundurê vîayan de dimînin dikarin girêdana fîlmê xirab bikin, di heman demê de geometrîya mîkrovîayê nixumandina dîwarê alî hîn dijwartir dike. Bêdengiyên herêmî di qata tovê de dikarin elektroplatkirina paşê asteng bikin, di heman demê de cûdahiyên di navbera cihên substratê yên cûda û komên hilberînê de dikarin bandorê li ser aramiya giştî ya pêvajoyê bikin. Zehmetiyên sereke yên sputterkirina valahiyê ji bo DPC bi rêya metalîzasyonê dikarin di çar waran de werin kurt kirin.
1. Bermayiyên di hundirê Viyayan de dikarin zerarê bidin pêvekirina fîlmê
Piştî qulkirina bi lazerê, dibe ku substratên seramîk perçeyên seramîk, materyalên ji nû ve hatine çêkirin, bermahiyên qulkirinê û şilbûna adsorbekirî di hundurê mîkrovîayan de hebin. Ji bo mîkrovîayên bi qûtra piçûk û rêjeyên aliyên bilind, rakirina van bermahiyan pir caran ji qirêjiya rûyê pir dijwartir e. Ger paqijkirin û paqijkirin têrê neke, dibe ku qata girêdana Ti girêdanek xurt û pêbawer bi dîwarê seramîk re çênebe. Dibe ku kêmasiyên weha piştî pêçandinê tavilê eşkere nebin, lê dikarin di dema elektroplatkirin, lehimkirin, an xebitandina germahiya bilind de hêdî hêdî bibin bilbil û veqetandina parçeyan.
2. Rêjeyên Bilindtir ên Aliyê Veşartina Dîwarê Aliyê Dijwartir Dikin
Zehmetiya sputterkirina mîkrovîayekê nikare tenê bi kûrahiya wê were nirxandin; rêjeya di navbera kûrahiya viyayê û diametera viyayê de - rêjeya aliyan - bi heman rengî girîng e. Bo nimûne, viyayek bi diametera 60 μm û kûrahiya 300 μm xwedî rêjeya aliyan a 5:1 e. Her ku rêjeya aliyan zêde dibe, deriyê viyayê siya geometrîkî ya mezintir a perçeyên sputterkirî diafirîne, û hejmara perçeyên ku dikarin bigihîjin beşa navîn a dîwarê alî kêm dike. Ev dikare bibe sedema fîlimên nisbeten stûr li ser rûyê substratê û nêzîkî vebûna viyayê, di heman demê de beşa navîn a dîwarê alî yê viyayê bi girîngî ziravtir an jî bênavber dibe.
3. Qatek Tovê Netemam Dikare Bi Rêya Pêwendiyê Pêwendiya Pêbawer Asteng Bike
Pêdiviya bingehîn a DPC bi rêya metalîzekirinê ne tenê hebûna sifir li ser dîwarê rêya derbasbûnê ye, lê belê ew e ku gelo qata tovê Ti/Cu dikare ji aliyê pêşiyê substratê, li seranserê dîwarê kêlekê yê rêya derbasbûnê, heta aliyê paşîn bi berdewamî dirêj bibe. Heta bêserûberiyek piçûk di qata tovê de jî dikare rêya guhêrbar a ku ji bo elektroplatkirina paşê hewce ye qut bike. Ji ber vê yekê, kalîteya qata tovê tenê bi xuyangê rûberê an qalindahiya navînî ya fîlmê nayê nirxandin. Divê baldariyek taybetî li ser beşa herî zirav a dîwarê kêlekê yê rêya derbasbûnê û gelo guhêrbariya elektrîkê ya domdar li seranserê rêya metalîzekirî tê parastin were dayîn.
4. Derbaskirina Nimûneyek Yekane, Sabîtîya Kom-bi-komê Garantî Nake
Bidestxistina qalindahiya fîlma rûyê pêwîst li ser yek nimûneyê nayê wê wateyê ku pêvajo ji bo hilberîna girseyî amade ye. Çêkirina DPC her wiha kontroleke hişk a yekrengiya pêçanê di navbera rûyên pêş û paş, di navbera herêmên navend û qiraxa substratê de, di navbera pozîsyonên cûda yên sazkirinê de, û ji komê bo komê hewce dike. Ji bo substratên seramîk ên ku hejmareke mezin ji mîkrovîayan dihewînin, nirxandina pêvajoyê divê ne tenê li ser qalindahiya navînî ya fîlmê bisekine. Ya girîngtir, divê herêma herî zirav a dîwarê kêlekê yê via bi berdewamî îhtîmala elektrîkê ya ku ji bo elektroplatkirina paşê hewce ye biparêze.
3. Dema ku qata tovê bi rêkûpêk neyê danîn çi dibe?
Qata tovê Ti/Cu bingeha guhêrbar a pêwîst ji bo elektroplatkirina paşê peyda dike. Ger qata tovê li ser dîwarê kêlekê yê rêya derbasbûnê pir zirav be, bi tevahî neyê nixumandin, an jî bêserûberî hebe, herika elektroplatkirinê nikare bi berdewamî li ser dîwarê kêlekê were veguheztin, û iyonên sifir nikarin bi rêkûpêk werin kêmkirin û li deverên xelet werin danîn. Her ku elektroplatkirin berdewam dike û qata sifir kom dibe, di destpêkê de deverên piçûk ên ku vegirtina wan ne bes e dikarin bibin valahiya qata sifir, kêmasiyên qalindahiya herêmî, an jî plakkirina bêserûber di nav rêya derbasbûnê de.
Ev kêmasî rasterast bandorê li ser kalîteya girêdana devreyên li ser aliyên pêş û paş ên substrata seramîk dikin. Di rewşên kêmtir giran de, ew dikarin bibin sedema zêdebûna berxwedanê, hilberîna germahiya herêmî, û guherînên di performansa elektrîkê de. Di rewşên girantir de, devreyên li her du aliyan dibe ku nikaribin domdariya elektrîkê bi dest bixin. Di dema lehimkirina paşê, pîrbûna germahiya bilind, an çerxeya germî de, deverên xelet dikarin bêtir bilivînin, veqetandina şaneyî, an şikestina devreyê, hilberîna hilberê û pêbaweriya demdirêj kêm bikin û potansiyel bibin sedema têkçûna cîhazê.
4. Çareseriya Hilberîna Girseyî ya Zhenhua Vacuum ji bo Substrata Seramîk bi Rêya Metalîzasyonê - Xeta Hilberîna Boyaxkirina Vakumê ya Substrata Seramîk a DPC
Avantajên Amûrê:
Otomasyon: Sîstemeke pêçandin û veguhestina hilgirê perçeyê kar bi tevahî otomatîk destwerdana destî kêm dike di heman demê de karîgeriya hilberînê baştir dike û dema çerxê ya giştî kurt dike.
Berhemhênan: Bi kapasîteya hilberînê ya heta 288 parçe di saetekê de, piştgiriyê dide substratên 120 mm × 120 mm.
Performans: Di heman demê de performansa belavkirina germê ya substrata seramîk zêde dike û rê li ber guhêrbariya elektrîkê jî vedike.
Bi rêya Metalîzasyonê: Konfîgurasyoneke zeviya magnetîkî ya çêtirkirî vegirtineke pêçayî ya bi bandor û yekreng di hundirê mîkrovîayan de gengaz dike.
Pêvajo: Piştgiriya pêçandina du alî dike da ku yekrengiya stûriya fîlmê û yekrengiya pêçandinê baştir bike.
Serlêdan:
Ev amûr dikare cûrbecûr fîlmên metalên hêmanî, di nav de Ti, Cu, Al, Sn, Cr, Ag, û Ni, deyne û di pîşesaziyên nîvconductor û pêkhateyên elektronîkî de ji bo serlêdanên wekî substratên seramîk, kapasîtorên seramîk, û pakêt/piştgirên seramîk ên LED-ê bi berfirehî hatiye sepandin.
5. Encam
Zhenhua Vacuum balê dikişîne ser pêvajoya sputterkirina valahiyê ya pêşiyê ji bo çêkirina DPC. Bi baştirkirina vegirtina dîwarê kêlekê yê mîkrovîayê û bi hev rekirina teknolojiya pêçandina du alî bi hilberîna otomatîkî re, çareserî ji bo elektroplatkirina paşê tebeqeyên tovê Ti/Cu yên stabîl û bi rêya girêdana pêbawer peyda dike. Ev alîkariya xerîdaran dike ku hilberîna girseyî ya domdar bi dest bixin di heman demê de piştgirîya pejirandina berfirehtir a substratên seramîk ên DPC di sepanên nîvconductor û elektronîkî yên pêşkeftî de dike.
- Ev gotar ji hêla ... ve hatiye weşandin. hilberînerê alavên boyaxkirina valahiyêZhenhua Valahî
Dema şandinê: 27ê Tebaxa 2026an