චිප්ස් සහ ඉලෙක්ට්‍රොනික උපාංග කුඩාකරණය සහ ඉහළ ඒකාබද්ධ කිරීම කරා අඛණ්ඩව පරිණාමය වන විට, සෙරමික් උපස්ථර මතුපිට පමණක් පරිපථ නිෂ්පාදනය කිරීමෙන් තවදුරටත් වැඩි වැඩියෙන් ඉල්ලුමක් ඇති අන්තර් සම්බන්ධතා සහ මාර්ගගත කිරීමේ අවශ්‍යතා සපුරාලිය නොහැක. එබැවින් මයික්‍රෝවියා උපස්ථරයේ ඉදිරිපස සහ පසුපස පැති විද්‍යුත් වශයෙන් සම්බන්ධ කිරීමට, අන්තර් සම්බන්ධතා මාර්ග කෙටි කිරීමට සහ පරිපථ ඝනත්වය වැඩි කිරීමට අවශ්‍ය වේ. එහි ප්‍රතිඵලයක් ලෙස, ලෝහකරණ තාක්ෂණය හරහා DPC (සෘජු ආලේපිත තඹ) LED, ලේසර්, දෘශ්‍ය සන්නිවේදනය, RF උපාංග සහ බල ඉලෙක්ට්‍රොනික උපකරණ ඇතුළු යෙදුම්වල බහුලව භාවිතා වී ඇත.
කෙසේ වෙතත්, සෙරමික් උපස්ථර ස්වභාවයෙන්ම විද්‍යුත් පරිවාරක වේ. උපස්ථරය හරහා ක්ෂුද්‍ර ජීවී සෑදීමෙන් පැති දෙක අතර විද්‍යුත් අඛණ්ඩතාව ස්ථාපිත නොවේ. සැබෑ අභියෝගය වන්නේ ක්ෂුද්‍ර ජීවී අභ්‍යන්තර බිත්ති දිගේ අඛණ්ඩ සහ විශ්වාසදායක ලෝහ බීජ තට්ටුවක් සෑදීමයි.
1. සෙරමික් ක්ෂුද්‍ර ජීවී හරහා විද්‍යුත් අඛණ්ඩතාව ස්ථාපිත කරන්නේ කෙසේද?
ලෝහකරණය හරහා DPC සාමාන්‍යයෙන් ආරම්භ වන්නේ සෙරමික් උපස්ථරයේ ක්ෂුද්‍ර ධාතු සෑදීම සඳහා ලේසර් කැණීමෙනි, සාමාන්‍යයෙන් කේතුකාකාර හෝ කෙළින්ම සිදුරු ආකාරයෙන්. ඉන්පසු ක්ෂුද්‍ර ධාතු සහ උපස්ථර මතුපිට හොඳින් පිරිසිදු කර විදුම් අපද්‍රව්‍ය, තෙතමනය සහ අනෙකුත් අපවිත්‍ර ද්‍රව්‍ය ඉවත් කිරීම සඳහා වායු ඉවත් කරනු ලැබේ. රික්තක ඉසින ක්‍රියාවලියක් පසුව Ti ඇලවුම් ස්ථරයක්, සාමාන්‍යයෙන් 50-200 nm ඝනකමකින් යුක්ත වන අතර, පසුව Cu සන්නායක බීජ ස්ථරයක්, සාමාන්‍යයෙන් 0.5-2 μm ඝනකමකින් යුක්ත වන අතර, උපස්ථර මතුපිට සහ ක්ෂුද්‍ර ධාතු වල අභ්‍යන්තර බිත්ති දිගේ තැන්පත් කෙරේ.
ලෝහ පටලය සහ සෙරමික් උපස්ථරය අතර බන්ධන ශක්තිය වැඩි දියුණු කිරීම සඳහා Ti ස්ථරය ඇලවුම් ස්ථරයක් ලෙස ක්‍රියා කරන අතර, Cu බීජ ස්ථරය පසුකාලීන විද්‍යුත් ආලේපනය සඳහා අඛණ්ඩ සන්නායක පදනමක් සපයයි. තඹ ස්ථරය පසුව විද්‍යුත් ආලේපනය මගින් තවදුරටත් ගොඩනගනු ලැබේ, සාමාන්‍යයෙන් 5-20 μm ඝනකමකට, අවසානයේ ලෝහමය වියාස් හරහා ඉදිරිපස සහ පසුපස පැතිවල පරිපථ අතර විශ්වාසදායක විද්‍යුත් අඛණ්ඩතාවයක් ස්ථාපිත කරයි. සරලව කිවහොත්, රික්තක ඉසීම සන්නායක පදනම සපයන අතර, පසුව විද්‍යුත් ආලේපනය තඹ ඝණකම ගොඩනඟයි, එමඟින් ප්‍රතිරෝධය අඩු කර අන්තර් සම්බන්ධතා විශ්වසනීයත්වය වැඩි දියුණු කරයි.
ක්‍රියාවලිය සරල බව පෙනුනද, අන්තර් සම්බන්ධතාවය හරහා විශ්වාසදායක වීම එක් තීරණාත්මක පූර්ව අවශ්‍යතාවයක් මත රඳා පවතී: Ti/Cu බීජ ස්ථරය උපස්ථර මතුපිට සහ එක් එක් ක්ෂුද්‍ර ජීවී වල සම්පූර්ණ අභ්‍යන්තර බිත්තිය සම්පූර්ණයෙන්ම සහ අඛණ්ඩව ආවරණය කළ යුතුය.
2. DPC Vias සඳහා රික්තක ඉසින Ti/Cu බීජ ස්ථර වල ප්‍රධාන අභියෝග හතරක්
පටු ක්ෂුද්‍ර ජීවීන් තුළ අඛණ්ඩ බීජ තට්ටුවක් සෑදීම සරල දෙයක් නොවේ. වයිස් තුළ ඉතිරිව ඇති අපද්‍රව්‍ය පටල ඇලවීම අඩාල කළ හැකි අතර, ක්ෂුද්‍ර ජීවීන් ජ්‍යාමිතිය පැති බිත්ති ආවරණය වඩ වඩාත් දුෂ්කර කරයි. බීජ ස්ථරයේ දේශීය අඛණ්ඩතාවයන් පසුකාලීන විද්‍යුත් ආලේපනයට බාධා කළ හැකි අතර, විවිධ උපස්ථර ස්ථාන සහ නිෂ්පාදන කාණ්ඩ අතර වෙනස්කම් සමස්ත ක්‍රියාවලි ස්ථායිතාවයට බලපෑ හැකිය. ලෝහකරණය හරහා DPC සඳහා රික්තක ස්පුටරින් කිරීමේ ප්‍රධාන අභියෝග ක්ෂේත්‍ර හතරකින් සාරාංශ කළ හැකිය.
1. වියාස් තුළ ඇති අපද්‍රව්‍ය චිත්‍රපට ඇලවීමට බාධා කළ හැකිය.
ලේසර් කැණීමෙන් පසු, සෙරමික් උපස්ථරවල සෙරමික් අංශු, නැවත සකස් කරන ලද ද්‍රව්‍ය, විදුම් සුන්බුන් සහ ක්ෂුද්‍ර ජීවී තුළ අවශෝෂණය කරන ලද තෙතමනය අඩංගු විය හැකිය. කුඩා විෂ්කම්භයන් සහ ඉහළ දර්ශන අනුපාත සහිත ක්ෂුද්‍ර ජීවී සඳහා, මෙම අපද්‍රව්‍ය මතුපිට දූෂණයට වඩා ඉවත් කිරීම බොහෝ විට බෙහෙවින් දුෂ්කර ය. පිරිසිදු කිරීම සහ වායු ඉවත් කිරීම ප්‍රමාණවත් නොවේ නම්, Ti ඇලවුම් ස්ථරය සෙරමික් පැති බැම්ම සමඟ ශක්තිමත් සහ විශ්වාසදායක බන්ධනයක් සෑදිය නොහැක. ආලේපනයෙන් පසු එවැනි දෝෂ වහාම නොපෙනී යා හැකි නමුත්, පසුව විද්‍යුත් ආලේපනය, පෑස්සුම් කිරීම හෝ ඉහළ උෂ්ණත්ව ක්‍රියාකාරිත්වය අතරතුර ක්‍රමයෙන් බිබිලි සහ ඩිලමිනේෂන් බවට වර්ධනය විය හැකිය.
2. ඉහළ දර්ශන අනුපාත පැති බිත්ති ආවරණය වඩාත් අපහසු කරයි.
ක්ෂුද්‍ර ජීවී ද්‍රාවණයක ඉසින අපහසුව එහි ගැඹුරෙන් පමණක් තක්සේරු කළ නොහැක; ගැඹුර සහ විෂ්කම්භය අතර අනුපාතය - දර්ශන අනුපාතය - සමානව වැදගත් වේ. උදාහරණයක් ලෙස, විෂ්කම්භය 60 μm සහ ගැඹුර 300 μm සහිත වියාවකට 5:1 දර්ශන අනුපාතයක් ඇත. දර්ශන අනුපාතය වැඩි වන විට, පිවිසුම ඉසින ලද අංශුවල වැඩි ජ්‍යාමිතික සෙවනැලි නිර්මාණය කරයි, පැති බැම්මේ මැද කොටසට ළඟා විය හැකි අංශු ගණන අඩු කරයි. මෙය උපස්ථර මතුපිට සහ හරහා විවරය අසල සාපේක්ෂව ඝන පටල ඇති කළ හැකි අතර, පැති බැම්මේ මැද කොටස සැලකිය යුතු ලෙස තුනී හෝ අඛණ්ඩව පවතී.
3. අසම්පූර්ණ බීජ ස්ථරයක් මඟින් විශ්වාසදායක අන්තර් සම්බන්ධතාවය වළක්වා ගත හැකිය.
ලෝහකරණය හරහා DPC හි මූලික අවශ්‍යතාවය වන්නේ, හරහා බිත්තියේ තඹ තිබේද යන්න පමණක් නොව, Ti/Cu බීජ ස්ථරය උපස්ථරයේ ඉදිරිපස පැත්තේ සිට සම්පූර්ණ හරහා පැති බිත්තිය දිගේ, පිටුපස පැත්ත දක්වා අඛණ්ඩව විහිදිය හැකිද යන්නයි. බීජ ස්ථරයේ කුඩා අඛණ්ඩතාවයක් පවා පසුව විද්‍යුත් ආලේපනය සඳහා අවශ්‍ය සන්නායක මාර්ගයට බාධා කළ හැකිය. එබැවින්, බීජ ස්ථරයේ ගුණාත්මකභාවය මතුපිට පෙනුමෙන් හෝ සාමාන්‍ය පටල ඝණකමෙන් පමණක් ඇගයීමට ලක් කළ නොහැක. හරහා පැති බිත්තියේ තුනීම කොටස සහ ලෝහකරණය කරන ලද මාර්ගය පුරා අඛණ්ඩ විද්‍යුත් සන්නායකතාවය පවත්වා ගන්නේද යන්න කෙරෙහි විශේෂ අවධානයක් යොමු කළ යුතුය.
4. තනි සාම්පලයක් සම්මත කිරීමෙන් කාණ්ඩයෙන් කාණ්ඩයට ස්ථාවරත්වය සහතික නොවේ.
තනි සාම්පලයක් මත අවශ්‍ය මතුපිට පටල ඝණකම ලබා ගැනීමෙන් ක්‍රියාවලිය මහා පරිමාණ නිෂ්පාදනය සඳහා සූදානම් බව අදහස් නොවේ. DPC නිෂ්පාදනය සඳහා ඉදිරිපස සහ පසුපස මතුපිට අතර, උපස්ථරයේ මැද සහ දාර කලාප අතර, විවිධ සවි කිරීම් ස්ථාන හරහා සහ කාණ්ඩයෙන් කාණ්ඩයට ආලේපන ඒකාකාරිත්වය දැඩි ලෙස පාලනය කිරීම අවශ්‍ය වේ. ක්ෂුද්‍ර ජීවී විශාල සංඛ්‍යාවක් අඩංගු සෙරමික් උපස්ථර සඳහා, ක්‍රියාවලි ඇගයීම සාමාන්‍ය පටල ඝණකම මත පමණක් අවධානය යොමු නොකළ යුතුය. වඩාත් වැදගත් දෙය නම්, පැති බිත්තියේ තුනීම කලාපය පසුකාලීන විද්‍යුත් ආලේපනය සඳහා අවශ්‍ය විද්‍යුත් සන්නායකතාවය නිරන්තරයෙන් පවත්වා ගත යුතුය.
3. බීජ ස්ථරය නිසි ලෙස තැන්පත් නොකළ විට කුමක් සිදුවේද?
Ti/Cu බීජ ස්ථරය මඟින් පසුකාලීන විද්‍යුත් ආලේපනය සඳහා අවශ්‍ය සන්නායක අත්තිවාරම සපයයි. වියා පැති බිත්තියේ ඇති බීජ ස්ථරය ඉතා තුනී නම්, අසම්පූර්ණ ලෙස ආවරණය වී ඇත්නම් හෝ අඛණ්ඩතාවයන් අඩංගු නම්, විද්‍යුත් ආලේපන ධාරාව පැති බිත්තිය දිගේ අඛණ්ඩව මාරු කළ නොහැකි අතර, තඹ අයන නිසි ලෙස අඩු කර දෝෂ සහිත ස්ථානවල තැන්පත් කළ නොහැක. විද්‍යුත් ආලේපනය ඉදිරියට ගොස් තඹ ස්ථරය ගොඩනඟන විට, මුලදී ප්‍රමාණවත් ආවරණයක් නොමැති සුළු ප්‍රදේශ තඹ ස්ථර හිස්තැන්, දේශීයකරණය කළ ඝණකම ඌනතාවයන් හෝ වියා තුළ අඛණ්ඩ ආලේපනයක් බවට වර්ධනය විය හැකිය.
මෙම දෝෂ සෙරමික් උපස්ථරයේ ඉදිරිපස සහ පසුපස පැතිවල පරිපථවල අන්තර් සම්බන්ධතා ගුණාත්මක භාවයට සෘජුවම බලපායි. අඩු දරුණු අවස්ථාවන්හිදී, ඒවා ප්‍රතිරෝධය වැඩි වීම, දේශීය තාප උත්පාදනය සහ විද්‍යුත් ක්‍රියාකාරිත්වයේ උච්චාවචනයන් ඇති කළ හැකිය. වඩාත් බරපතල අවස්ථාවන්හිදී, දෙපස ඇති පරිපථ විද්‍යුත් අඛණ්ඩතාව ලබා ගැනීමට අපොහොසත් විය හැකිය. පසුකාලීන පෑස්සුම්, ඉහළ උෂ්ණත්ව වයසට යාම හෝ තාප චක්‍රීකරණය අතරතුර, දෝෂ සහිත ප්‍රදේශ තවදුරටත් බිබිලි, ඩිලමිනේෂන් හෝ පරිපථ ඉරිතැලීම් වර්ධනය විය හැකි අතර, නිෂ්පාදන අස්වැන්න සහ දිගුකාලීන විශ්වසනීයත්වය අඩු වන අතර උපාංග අසාර්ථක වීමට හේතු විය හැක.
4. ලෝහකරණය හරහා සෙරමික් උපස්ථරය සඳහා ෂෙන්හුවා රික්තකයේ මහා පරිමාණ නිෂ්පාදන විසඳුම - DPC සෙරමික් උපස්ථර රික්ත ආලේපන නිෂ්පාදන මාර්ගය
උපකරණ වාසි:
ස්වයංක්‍රීයකරණය: සම්පූර්ණයෙන්ම ස්වයංක්‍රීය ආලේපනයක් සහ වැඩ කොටස්-වාහක හුවමාරු පද්ධතියක් නිෂ්පාදන කාර්යක්ෂමතාව වැඩි දියුණු කරන අතර සමස්ත චක්‍ර කාලය කෙටි කරන අතරම අතින් මැදිහත්වීම අඩු කරයි.
ප්‍රතිදානය: පැයකට කෑලි 288 දක්වා නිෂ්පාදන ධාරිතාවක් සහිත 120 mm × 120 mm උපස්ථර සඳහා සහය දක්වයි.
කාර්ය සාධනය: සෙරමික් උපස්ථරයේ තාප විසර්ජන කාර්ය සාධනය වැඩි දියුණු කරන අතරම විද්‍යුත් සන්නායකතාවය වැඩි දියුණු කරයි.
ලෝහකරණය හරහා: ප්‍රශස්ත චුම්භක ක්ෂේත්‍ර වින්‍යාසයක් මඟින් ක්ෂුද්‍ර ජීවී තුළ කාර්යක්ෂම හා ඒකාකාර ආලේපන ආවරණයක් සක්‍රීය කරයි.
ක්‍රියාවලිය: සමස්ත පටල-ඝනකම ඒකාකාරිත්වය සහ ආලේපන අනුකූලතාව වැඩි දියුණු කිරීම සඳහා ද්විත්ව ඒක පාර්ශවීය ආලේපනයට සහාය වේ.
අයදුම්පත්:
මෙම උපකරණයට Ti, Cu, Al, Sn, Cr, Ag, සහ Ni ඇතුළු විවිධ මූලද්‍රව්‍ය ලෝහ පටල තැන්පත් කළ හැකි අතර, සෙරමික් උපස්ථර, සෙරමික් ධාරිත්‍රක සහ LED සෙරමික් පැකේජ/ආධාරක වැනි යෙදුම් සඳහා අර්ධ සන්නායක සහ ඉලෙක්ට්‍රොනික සංරචක කර්මාන්තවල බහුලව භාවිතා වේ.
5. නිගමනය
Zhenhua Vacuum ආයතනය DPC නිෂ්පාදනය සඳහා ඉදිරිපස-අන්ත රික්තක ඉසින ක්‍රියාවලිය කෙරෙහි අවධානය යොමු කරයි. මයික්‍රෝවියා පැති බිත්ති ආවරණය වැඩි දියුණු කිරීමෙන් සහ ස්වයංක්‍රීය නිෂ්පාදනය සමඟ ද්විත්ව ඒක පාර්ශවීය ආලේපන තාක්ෂණය ඒකාබද්ධ කිරීමෙන්, විසඳුම පසුකාලීන විද්‍යුත් ආලේපනය සඳහා ස්ථාවර Ti/Cu බීජ ස්ථර සපයන අතර අන්තර් සම්බන්ධතාවය හරහා විශ්වාසදායක වේ. අර්ධ සන්නායක සහ උසස් ඉලෙක්ට්‍රොනික යෙදුම්වල DPC සෙරමික් උපස්ථර පුළුල් ලෙස භාවිතා කිරීමට සහාය වන අතරම ස්ථාවර මහා පරිමාණ නිෂ්පාදනයක් ලබා ගැනීමට මෙය පාරිභෝගිකයින්ට උපකාරී වේ.
-මෙම ලිපිය ප්‍රකාශයට පත් කරන ලද්දේ රික්තක ආලේපන උපකරණ නිෂ්පාදකයාෂෙන්හුවා රික්තකය
පළ කිරීමේ කාලය: අගෝස්තු-27-2026