لکه څنګه چې چپس او بریښنایی وسایل د کوچني کولو او لوړ ادغام په لور پرمختګ ته دوام ورکوي، یوازې د سیرامیک سبسټریټونو په سطحه د سرکټ جوړول نور نشي کولی د مخ په زیاتیدونکي متقابل اتصال او روټینګ اړتیاوې پوره کړي. له همدې امله مایکروویا ته اړتیا ده چې د سبسټریټ مخکینۍ او شاته اړخونه په بریښنایی ډول وصل کړي، د متقابل اتصال لارې لنډې کړي او د سرکټ کثافت زیات کړي. په پایله کې، د فلز کولو ټیکنالوژۍ له لارې DPC (مستقیم پلیټ شوی مسو) په پراخه کچه د LEDs، لیزرونو، نظری مخابراتو، RF وسیلو، او بریښنا برقیاتو په شمول غوښتنلیکونو کې منل شوی.
په هرصورت، د سیرامیک سبسټریټونه په طبیعي ډول بریښنایی انسولیټینګ دي. په ساده ډول د سبسټریټ له لارې د مایکروویا جوړول د دواړو خواوو ترمنځ بریښنایی تسلسل نه رامینځته کوي. اصلي ننګونه د مایکروویا داخلي دیوالونو په اوږدو کې د دوامداره او باوري فلزي تخم طبقه جوړول دي.
۱. د سیرامیک مایکروویز له لارې بریښنایی تسلسل څنګه رامینځته کیږي؟
د فلز کولو له لارې DPC معمولا د لیزر ډرل کولو سره پیل کیږي ترڅو په سیرامیک سبسټریټ کې مایکروویا جوړ کړي، معمولا د ټیپر شوي یا مستقیم سوري په بڼه. مایکروویا او سبسټریټ سطح بیا په بشپړه توګه پاک او ډیګاس کیږي ترڅو د برمه کولو پاتې شوني، رطوبت او نور ککړونکي لرې کړي. د ویکیوم سپټرینګ پروسه وروسته د Ti اډیشن پرت زیرمه کولو لپاره کارول کیږي، معمولا 50-200 nm ضخامت، وروسته د Cu کنډکټیو تخم پرت، معمولا 0.5-2 μm ضخامت، د سبسټریټ سطح او د مایکروویا داخلي دیوالونو سره.
د Ti طبقه د فلزي فلم او سیرامیک سبسټریټ ترمنځ د اړیکې پیاوړتیا لپاره د چپکونکي طبقې په توګه کار کوي، پداسې حال کې چې د Cu تخم طبقه د راتلونکو الیکټروپلیټینګ لپاره دوامداره چلونکي بنسټ چمتو کوي. د مسو طبقه بیا د الیکټروپلیټینګ په واسطه نوره هم جوړه کیږي، معمولا د 5-20 μm ضخامت ته، په نهایت کې د فلزي ویاسونو له لارې د مخکینۍ او شا اړخونو کې د سرکټونو ترمنځ د باور وړ بریښنایی تسلسل رامینځته کوي. په ساده اصطلاحاتو کې، ویکیوم سپټرینګ د چلونکي بنسټ چمتو کوي، پداسې حال کې چې وروسته الیکټروپلیټینګ د مسو ضخامت رامینځته کوي، په دې توګه د مقاومت کمولو او د انټرکنکشن اعتبار ښه کوي.
که څه هم دا پروسه ساده ښکاري، د متقابل اتصال له لارې د باور وړ په یوه مهم شرط پورې اړه لري: د Ti/Cu تخم طبقه باید په بشپړه توګه او په دوامداره توګه د سبسټریټ سطحه او د هر مایکروویا ټول داخلي دیوال پوښي.
۲. د DPC ویاس لپاره د Ti/Cu تخم طبقو د ویکیوم سپټرینګ څلور کلیدي ننګونې
د تنګ مایکروویا دننه د تخم دوامداره طبقه جوړول اسانه کار نه دی. د ویا دننه پاتې شوي پاتې شوني کولی شي د فلم چپکولو سره مخ شي، پداسې حال کې چې د مایکروویا جیومیټري د اړخ دیوال پوښښ په زیاتیدونکي توګه ستونزمن کوي. د تخم په طبقه کې ځایی بې ثباتۍ کولی شي د راتلونکي الیکټروپلیټینګ مداخله وکړي، پداسې حال کې چې د مختلف سبسټریټ ځایونو او تولید بیچونو ترمنځ توپیر کولی شي د پروسې ټول ثبات اغیزمن کړي. د فلز کولو له لارې د DPC لپاره د ویکیوم سپټرینګ کلیدي ننګونې په څلورو برخو کې لنډیز کیدی شي.
۱. د ویاس دننه پاتې شوني کولی شي د فلم چپکولو ته زیان ورسوي
د لیزر برمه کولو وروسته، د سیرامیک سبسټریټ ممکن د سیرامیک ذرات، بیا جوړ شوي مواد، د برمه کولو کثافات، او د مایکروویا دننه جذب شوي رطوبت ولري. د کوچنیو قطرونو او لوړ اړخ تناسب لرونکو مایکروویا لپاره، دا پاتې شوني اکثرا د سطحې ککړتیا په پرتله لرې کول خورا ستونزمن وي. که پاکول او ډیګاس کول کافي نه وي، د Ti چپکونکي طبقه ممکن د سیرامیک اړخ دیوال سره قوي او باوري اړیکه جوړه نکړي. دا ډول نیمګړتیاوې ممکن د کوټ کولو وروسته سمدلاسه څرګند نشي، مګر په تدریجي ډول کولی شي د وروسته الیکټروپلیټینګ، سولډرینګ، یا د لوړې تودوخې عملیاتو په جریان کې د تڼاکو او ډیلامینیشن ته وده ورکړي.
۲. لوړ اړخ تناسب د اړخ دیوال پوښښ ډیر ستونزمن کوي
د مایکروویا د تویولو مشکل یوازې د هغې د ژوروالي له مخې نشي ارزول کیدی؛ د ژوروالي او قطر ترمنځ تناسب - د اړخ تناسب - په مساوي ډول مهم دی. د مثال په توګه، د 60 μm قطر او 300 μm ژوروالي سره یو ویا د 5:1 اړخ تناسب لري. لکه څنګه چې د اړخ تناسب زیاتیږي، د لارې داخلیدل د سپټر شوي ذراتو لوی جیومیټریک سیوري رامینځته کوي، د هغو ذراتو شمیر کموي چې د اړخ دیوال منځنۍ برخې ته رسیدلی شي. دا کولی شي د سبسټریټ سطحې او د لارې خلاصیدو ته نږدې نسبتا موټی فلمونو پایله ولري، پداسې حال کې چې د لارې دیوال منځنۍ برخه د پام وړ پتلی یا حتی بې ثباته کیږي.
۳. د تخمونو یوه نیمګړې طبقه کولی شي د باور وړ له لارې د انټرکنیکشن مخه ونیسي
د فلزاتو له لارې د DPC اساسي اړتیا یوازې دا نه ده چې ایا مس په ویا دیوال کې شتون لري، بلکې دا ده چې ایا د Ti/Cu تخم طبقه کولی شي په دوامداره توګه د سبسټریټ له مخکینۍ برخې څخه، د ټولې ویا دیوال له لارې، شاته اړخ ته وغځوي. حتی د تخم طبقه کې یو کوچنی انقطاع کولی شي د راتلونکي الیکټروپلیټینګ لپاره اړین کنډکټیو لاره مداخله کړي. له همدې امله، د تخم طبقه کیفیت یوازې د سطحې ظاهري بڼه یا د فلم اوسط ضخامت له مخې نشي ارزول کیدی. ځانګړې پاملرنه باید د ویا سایډ دیوال تر ټولو پتلی برخې ته ورکړل شي او ایا د فلزاتو لارې په اوږدو کې دوامداره بریښنایی چالکتیا ساتل کیږي.
۴. د یوې نمونې پاس کول د ډلې څخه تر ډلې پورې ثبات تضمین نه کوي.
په یوه نمونه کې د اړتیا وړ سطحي فلم ضخامت ترلاسه کول په دې معنی ندي چې پروسه د ډله ایز تولید لپاره چمتو ده. د DPC تولید هم د مخکینۍ او شاته سطحو ترمنځ، د سبسټریټ د مرکز او څنډې سیمو ترمنځ، د مختلفو فکسچر موقعیتونو کې، او له بیچ څخه بیچ ته د کوټینګ یووالي کلک کنټرول ته اړتیا لري. د سیرامیک سبسټریټ لپاره چې لوی شمیر مایکروویا لري، د پروسې ارزونه باید یوازې د اوسط فلم ضخامت باندې تمرکز ونکړي. تر ټولو مهم، د ویا سایډ وال تر ټولو نری سیمه باید په دوامداره توګه د راتلونکي الیکټروپلیټینګ لپاره اړین بریښنایی چالکتیا وساتي.
۳. څه پیښیږي کله چې د تخم طبقه په سمه توګه نه وي راټوله شوې؟
د Ti/Cu تخم طبقه د راتلونکو الکتروپلیټینګ لپاره اړین کنډکټیو بنسټ چمتو کوي. که چیرې د تخم طبقه د ویا سایډ وال کې ډیره نری وي، په بشپړ ډول پوښل شوې وي، یا نا انقطاع ولري، د الکتروپلیټینګ جریان په دوامداره توګه د ویا په اوږدو کې نشي لیږدول کیدی، او د مسو ایونونه په سمه توګه کم نشي او په عیب لرونکو ځایونو کې زیرمه کیدی نشي. لکه څنګه چې الکتروپلیټینګ پرمخ ځي او د مسو طبقه جوړیږي، په پیل کې د ناکافي پوښښ کوچنۍ ساحې کولی شي د مسو پرت تشو، د ځایی ضخامت نیمګړتیاو، یا د ویا دننه غیر متقابل پلیټینګ ته وده ورکړي.
دا نیمګړتیاوې د سیرامیک سبسټریټ په مخکینۍ او شاته اړخونو کې د سرکټونو د متقابل اتصال کیفیت مستقیم اغیزه کوي. په لږو سختو قضیو کې، دوی کولی شي د مقاومت، محلي تودوخې تولید، او د بریښنایی فعالیت کې د بدلونونو له لارې د زیاتوالي لامل شي. په ډیرو جدي قضیو کې، د دواړو خواوو سرکټونه ممکن د بریښنایی تسلسل ترلاسه کولو کې پاتې راشي. د وروسته سولډرینګ، د لوړې تودوخې عمر، یا تودوخې سایکلینګ په جریان کې، نیمګړتیاوې ممکن نور هم تڼاکې، ډیلیمینیشن، یا د سرکټ درز رامینځته کړي، د محصول حاصلات او اوږدمهاله اعتبار کم کړي او په بالقوه توګه د وسیلې د ناکامۍ لامل شي.
۴. د ژینهوا ویکیوم د فلزاتو له لارې د سیرامیک سبسټریټ لپاره د ډله ایز تولید حل - د DPC سیرامیک سبسټریټ ویکیوم کوټینګ تولید لاین
د تجهیزاتو ګټې:
اتومات کول: د کوټینګ او ورک پیس لیږد بشپړ اتومات سیسټم لاسي مداخله کموي پداسې حال کې چې د تولید موثریت ښه کوي او د ټول دورې وخت لنډوي.
تروپټ: د ۱۲۰ ملي میتر × ۱۲۰ ملي میتر سبسټریټ ملاتړ کوي چې په ساعت کې تر ۲۸۸ پی سیز پورې تولید ظرفیت لري.
فعالیت: د سیرامیک سبسټریټ د تودوخې ضایع کیدو فعالیت ښه کولو پرمهال بریښنایی چالکتیا ښه کوي.
د فلزاتو له لارې: د مقناطیسي ساحې غوره شوی ترتیب د مایکروویا دننه اغیزمن او یوشان پوښښ ته اجازه ورکوي.
پروسه: د دوه اړخیزه پوښښ ملاتړ کوي ترڅو د فلم ضخامت ټولیز یووالي او د پوښښ ثبات ښه کړي.
غوښتنلیکونه:
دا تجهیزات کولی شي د فلزي فلمونو مختلف ډولونه زیرمه کړي، پشمول د Ti، Cu، Al، Sn، Cr، Ag، او Ni، او په پراخه کچه د سیمیکمډکټر او بریښنایی اجزاو صنعتونو کې د سیرامیک سبسټریټونو، سیرامیک کیپسیټرونو، او LED سیرامیک کڅوړو/ملاتړونو لپاره کارول شوي.
۵. پایله
ژینهوا ویکیوم د DPC تولید لپاره د مخکینۍ پای ویکیوم سپټرینګ پروسې باندې تمرکز کوي. د مایکروویا سایډ وال پوښښ لوړولو او د اتوماتیک تولید سره د دوه اړخیز کوټینګ ټیکنالوژۍ یوځای کولو سره، دا حل د وروسته الیکټروپلیټینګ لپاره مستحکم Ti/Cu تخم پرتونه چمتو کوي او د متقابل اتصال له لارې د باور وړ دي. دا پیرودونکو سره مرسته کوي چې دوامداره ډله ایز تولید ترلاسه کړي پداسې حال کې چې په سیمیکمډکټر او پرمختللي بریښنایی غوښتنلیکونو کې د DPC سیرامیک سبسټریټ پراخه اختیار ملاتړ کوي.
- دا مقاله د لخوا خپره شوې ده د ویکیوم کوټینګ تجهیزاتو جوړونکید ژینهوا ویکیوم
د پوسټ وخت: اګست-۲۷-۲۰۲۶