Как мы все знаем, определение полупроводника заключается в том, что он имеет проводимость между сухими проводниками и изоляторами, удельное сопротивление между металлом и изолятором, которое обычно при комнатной температуре находится в диапазоне 1 мОм-см ~ 1 ГОм-см. В последние годы вакуумное полупроводниковое покрытие в крупных полупроводниковых компаниях, очевидно, что его статус становится все более высоким, особенно в некоторых методах исследования технологий разработки схем крупномасштабных интегральных систем для магнитоэлектрических преобразовательных устройств, светоизлучающих устройств и других опытно-конструкторских работ. Вакуумное полупроводниковое покрытие играет важную роль.
Полупроводники характеризуются собственными характеристиками, температурой и концентрацией примесей. Материалы для вакуумного полупроводникового покрытия отличаются друг от друга в основном составляющими их соединениями. Примерно все они основаны на боре, углероде, кремнии, германии, мышьяке, сурьме, теллуре, йоде и т. д., а также относительно небольшом количестве GaP, GaAs, lnSb и т. д. Существуют также некоторые оксидные полупроводники, такие как FeO, Fe₂O₃, MnO, Cr₂O₃, Cu₂O и т. д.
Вакуумное испарение, напыление, ионное покрытие и другое оборудование может выполнять вакуумное полупроводниковое покрытие. Все эти покрытия отличаются по принципу работы, но все они делают материал покрытия полупроводникового материала, нанесенный на подложку, и в качестве материала подложки нет требования, может ли он быть полупроводником или нет. Кроме того, покрытия с различными электрическими и оптическими свойствами могут быть получены как диффузией примесей, так и ионной имплантацией на поверхности полупроводниковой подложки в диапазоне. Полученный тонкий слой также может быть обработан как полупроводниковое покрытие в целом.
Вакуумное полупроводниковое покрытие является незаменимым в электронике, будь то для активных или пассивных устройств. Благодаря постоянному совершенствованию технологии вакуумного полупроводникового покрытия стал возможным точный контроль характеристик пленки.
В последние годы аморфное покрытие и поликристаллическое покрытие достигли быстрого прогресса в производстве фотопроводящих устройств, покрытых полевых трубок и высокоэффективных солнечных элементов. Кроме того, из-за развития вакуумного полупроводникового покрытия и тонкой пленки датчиков, что также существенно снижает сложность выбора материала и постепенно упрощает производственный процесс. Оборудование для вакуумного полупроводникового покрытия стало необходимым для полупроводниковых приложений. Оборудование широко используется для полупроводникового покрытия устройств камер, солнечных элементов, покрытых транзисторов, полевой эмиссии, катодного света, электронной эмиссии, тонкопленочных чувствительных элементов и т. д.
Линия нанесения покрытий методом магнетронного распыления спроектирована с полностью автоматической системой управления, удобным и интуитивно понятным сенсорным экраном человеко-машинного интерфейса. Линия спроектирована с полным функциональным меню для достижения полного контроля рабочего состояния всех компонентов производственной линии, настройки параметров процесса, защиты работы и функций сигнализации. Вся электрическая система управления безопасна, надежна и стабильна. Оснащена верхней и нижней двухсторонней магнетронной мишенью распыления или односторонней системой покрытия.
Оборудование в основном применяется для керамических печатных плат, чип-высоковольтных конденсаторов и других покрытий подложек, основными областями применения являются электронные печатные платы.
Время публикации: 07.11.2022