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Situación actual de la aplicación del recubrimiento de semiconductores al vacío

Fuente del artículo: Aspiradora Zhenhua
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Publicado: 22-11-07

Como todos sabemos, la definición de semiconductor es que posee una conductividad entre conductores secos y aislantes, y una resistividad entre metal y aislante, que generalmente a temperatura ambiente se encuentra en el rango de 1 mΩ·cm a 1 GΩ·cm. En los últimos años, el recubrimiento de semiconductores al vacío ha adquirido una importancia creciente en las principales empresas de semiconductores, especialmente en la investigación de métodos de desarrollo de tecnologías para circuitos integrados a gran escala, dispositivos de conversión magnetoeléctrica, dispositivos emisores de luz y otros trabajos de desarrollo. El recubrimiento de semiconductores al vacío desempeña un papel fundamental.
Situación actual de la aplicación del recubrimiento de semiconductores al vacío
Los semiconductores se caracterizan por sus propiedades intrínsecas, temperatura y concentración de impurezas. Los materiales de recubrimiento de semiconductores al vacío se distinguen principalmente por sus compuestos constituyentes. Casi todos se basan en boro, carbono, silicio, germanio, arsénico, antimonio, telurio, yodo, etc., y algunos relativamente pocos en GaP, GaAs, lnSb, etc. También existen algunos semiconductores de óxido, como FeO, Fe₂O₃, MnO, Cr₂O₃, Cu₂O, etc.

La evaporación al vacío, el recubrimiento por pulverización catódica, el recubrimiento iónico y otros equipos permiten realizar recubrimientos semiconductores al vacío. Si bien estos equipos difieren en su principio de funcionamiento, todos depositan el material semiconductor sobre el sustrato, independientemente de si este es semiconductor o no. Además, mediante la difusión de impurezas y la implantación iónica sobre la superficie del sustrato semiconductor, se pueden obtener recubrimientos con diferentes propiedades eléctricas y ópticas. La capa delgada resultante también puede procesarse como un recubrimiento semiconductor convencional.

El recubrimiento de semiconductores al vacío es indispensable en la electrónica, tanto para dispositivos activos como pasivos. Gracias al continuo avance de la tecnología de recubrimiento de semiconductores al vacío, ahora es posible un control preciso del rendimiento de las películas.

En los últimos años, los recubrimientos amorfos y policristalinos han experimentado un rápido avance en la fabricación de dispositivos fotoconductores, tubos de efecto de campo recubiertos y células solares de alta eficiencia. Además, el desarrollo del recubrimiento de semiconductores al vacío y de las películas delgadas para sensores ha reducido considerablemente la dificultad de la selección de materiales y ha simplificado gradualmente el proceso de fabricación. Los equipos de recubrimiento de semiconductores al vacío se han convertido en un elemento indispensable para las aplicaciones de semiconductores. Estos equipos se utilizan ampliamente para el recubrimiento de semiconductores en cámaras, células solares, transistores recubiertos, emisión de campo, luz catódica, emisión de electrones, elementos sensores de película delgada, etc.

La línea de recubrimiento por pulverización catódica con magnetrón está diseñada con un sistema de control totalmente automático y una interfaz hombre-máquina intuitiva y fácil de usar con pantalla táctil. Cuenta con un menú de funciones completo para la monitorización integral del estado de funcionamiento de todos los componentes de la línea de producción, la configuración de parámetros de proceso, la protección operativa y las funciones de alarma. El sistema de control eléctrico es seguro, fiable y estable. Está equipada con un blanco de pulverización catódica con magnetrón de doble cara (superior e inferior) o un sistema de recubrimiento de una sola cara.

El equipo se aplica principalmente a placas de circuitos cerámicos, condensadores de alto voltaje de chip y otros recubrimientos de sustratos; las principales áreas de aplicación son las placas de circuitos electrónicos.


Fecha de publicación: 7 de noviembre de 2022