După cum știm cu toții, definiția semiconductorului este aceea că are o conductivitate între conductorii uscați și izolatori, iar rezistivitatea dintre metal și izolator, care este de obicei la temperatura camerei, în intervalul 1mΩ-cm ~ 1GΩ-cm. În ultimii ani, acoperirea semiconductorilor în vid a cunoscut o creștere semnificativă în rândul marilor companii de semiconductori, în special în unele domenii de cercetare a tehnologiei de dezvoltare a circuitelor integrate la scară largă, precum dispozitive de conversie magnetoelectrică, dispozitive emițătoare de lumină și alte lucrări de dezvoltare. Acoperirea semiconductorilor în vid are un rol important.
Semiconductorii sunt caracterizați prin caracteristicile lor intrinseci, temperatură și concentrația de impurități. Materialele de acoperire semiconductoare în vid se disting unele de altele în principal prin compușii constitutivi. Aproximativ toate sunt pe bază de bor, carbon, siliciu, germaniu, arsenic, antimoniu, telur, iod etc., iar unele relativ puține sunt GaP, GaAs, lnSb etc. Există, de asemenea, și anumiți semiconductori de oxid, cum ar fi FeO, Fe₂O₃, MnO, Cr₂O₃, Cu₂O etc.
Evaporarea în vid, acoperirea prin pulverizare, acoperirea cu ioni și alte echipamente pot realiza acoperirea semiconductorilor în vid. Aceste echipamente de acoperire diferă în principiile lor de funcționare, dar toate produc materialul de acoperire semiconductor depus pe substrat, iar materialul substratului nu necesită sau nu să fie semiconductor. În plus, acoperirile cu proprietăți electrice și optice diferite pot fi preparate atât prin difuzia impurităților, cât și prin implantarea ionilor pe suprafața substratului semiconductor într-un interval. Stratul subțire rezultat poate fi, de asemenea, procesat ca acoperire semiconductoră în general.
Acoperirea semiconductorilor în vid este o prezență indispensabilă în electronică, fie că este vorba de dispozitive active sau pasive. Odată cu avansarea continuă a tehnologiei de acoperire a semiconductorilor în vid, a devenit posibil un control precis al performanței peliculei.
În ultimii ani, acoperirile amorfe și policristaline au înregistrat progrese rapide în fabricarea dispozitivelor fotoconductoare, a tuburilor cu efect de câmp acoperite și a celulelor solare de înaltă eficiență. În plus, datorită dezvoltării acoperirilor semiconductoare în vid și a peliculelor subțiri ale senzorilor, aceasta reduce substanțial dificultatea selecției materialelor și simplifică treptat procesul de fabricație. Echipamentele de acoperire a semiconductorilor în vid au devenit o prezență necesară pentru aplicațiile semiconductoare. Echipamentele sunt utilizate pe scară largă pentru acoperirea semiconductoarelor dispozitivelor foto, celulelor solare, tranzistoarelor acoperite, emisiei de câmp, luminii catodice, emisiei de electroni, elementelor de detectare a peliculelor subțiri etc.
Linia de acoperire prin pulverizare magnetronică este proiectată cu un sistem de control complet automat, o interfață om-mașină cu ecran tactil, convenabilă și intuitivă. Linia este concepută cu un meniu complet de funcții pentru a realiza monitorizarea completă a stării de funcționare a întregii componente a liniei de producție, setarea parametrilor de proces, protecția funcționării și funcțiile de alarmă. Întregul sistem de control electric este sigur, fiabil și stabil. Este echipată cu țintă magnetronică dublă superioară și inferioară sau cu sistem de acoperire cu o singură față.
Echipamentul este aplicat în principal pe plăci de circuite ceramice, condensatoare de înaltă tensiune pentru cipuri și alte acoperiri de substrat, principalele domenii de aplicare fiind plăcile de circuite electronice.
Data publicării: 07 noiembrie 2022