Wéi mir all wëssen, ass d'Definitioun vun engem Hallefleeder eng Konduktivitéit tëscht dréchene Leiter an Isolatoren, an de Widderstand tëscht Metall an Isolator, deen normalerweis bei Raumtemperatur am Beräich vun 1mΩ-cm ~ 1GΩ-cm läit. An de leschte Joren ass et kloer, datt de Status vun der Vakuum-Halbleiterbeschichtung bei de grousse Hallefleederfirmen ëmmer méi héich ass, besonnesch an der Fuerschungsaarbecht fir grouss integréiert Systemschaltkreesser bis hin zu magnetoelektresche Konversiounsapparater, Liichtemissiounsapparater an aner Entwécklungsaarbechten. Vakuum-Halbleiterbeschichtung spillt eng wichteg Roll.
Hallefleiter ënnerscheede sech duerch hir intrinsesch Charakteristiken, Temperatur an Onreinheetskonzentratioun. Vakuum-Halbleiterbeschichtungsmaterialien ënnerscheede sech haaptsächlech duerch hir Bestanddeeler. Ongeféier all baséieren op Bor, Kuelestoff, Silizium, Germanium, Arsen, Antimon, Tellur, Jod, etc., an e puer relativ wéineg GaP, GaAs, lnSb, etc.. Et gëtt och e puer Oxid-Halbleiter, wéi FeO, Fe₂O₃, MnO, Cr₂O₃, Cu₂O, etc.
Vakuumverdampfung, Sputterbeschichtung, Ionenbeschichtung an aner Ausrüstung kënnen Vakuum-Halbleiterbeschichtunge maachen. Dës Beschichtungsausrüstung ënnerscheede sech all a sengem Funktionsprinzip, awer si maachen all d'Hallefleitermaterialbeschichtungsmaterial op de Substrat ofgesat, an als Material vum Substrat gëtt et keng Viraussetzung, datt et en Hallefleiter ka sinn oder net. Zousätzlech kënne Beschichtunge mat verschiddenen elektreschen an opteschen Eegeschafte souwuel duerch Onreinheetsdiffusioun wéi och duerch Ionenimplantatioun op der Uewerfläch vum Hallefleitersubstrat an engem bestëmmte Beräich hiergestallt ginn. Déi resultéierend dënn Schicht kann och allgemeng als Hallefleiterbeschichtung veraarbecht ginn.
Vakuum-Halbleiterbeschichtung ass eng onverzichtbar Präsenz an der Elektronik, egal ob et sech ëm aktiv oder passiv Komponenten handelt. Mat dem kontinuéierleche Fortschrëtt vun der Vakuum-Halbleiterbeschichtungstechnologie ass eng präzis Kontroll vun der Filmleistung méiglech ginn.
An de leschte Joren hunn amorph Beschichtungen a polykristallin Beschichtungen séier Fortschrëtter an der Fabrikatioun vu photoleitenden Apparater, beschichtete Feldeffektröhren a Solarzellen mat héijer Effizienz gemaach. Zousätzlech, wéinst der Entwécklung vun der Vakuum-Halbleiterbeschichtung an dem Dënnschicht vu Sensoren, déi och d'Schwieregkeet vun der Materialauswiel wesentlech reduzéieren an de Fabrikatiounsprozess schrëttweis vereinfachen. Vakuum-Halbleiterbeschichtungsausrüstung ass eng noutwendeg Präsenz fir Hallefleiterapplikatiounen ginn. D'Ausrüstung gëtt wäit verbreet fir d'Hallefleiterbeschichtung vu Kameraapparater, Solarzellen, beschichtete Transistoren, Feldemissioun, Kathodeliicht, Elektronemissioun, Dënnschichtsensorelementer, etc. benotzt.
D'Magnetron-Sputterbeschichtungslinn ass mat engem vollautomatesche Kontrollsystem an enger praktescher an intuitiver Touchscreen-Mënsch-Maschinn-Interface ausgestatt. D'Linn ass mat engem komplette Funktiounsmenü ausgestatt, fir eng voll Iwwerwaachung vum Operatiounsstatus vun de ganze Produktiounslinnkomponenten, d'Astellung vu Prozessparameteren, de Betribsschutz an d'Alarmfunktiounen z'erreechen. Dat ganzt elektrescht Kontrollsystem ass sécher, zouverlässeg a stabil. Ausgestatt mat engem ieweschten an ënneschten duebelsäitege Magnetron-Sputterziel oder engem eenzege Beschichtungssystem.
D'Ausrüstung gëtt haaptsächlech op Keramikleiterplatten, Chip-Héichspannungskondensatoren an aner Substratbeschichtungen ugewannt, déi Haaptapplikatiounsberäicher sinn elektronesch Leiterplatten.
Zäitpunkt vun der Verëffentlechung: 07. November 2022