Ut omnes scimus, definitio semiconductoris est eam habere conductivitatem inter conductores siccos et insulatores, et resistivitatem inter metallum et insulatorem, quae plerumque temperatura ambiente intra limites 1mΩ-cm ~ 1GΩ-cm est. Recentibus annis, in magnis societatibus semiconductorum obductionis vacui, manifestum est statum eius magis magisque altum fieri, praesertim in quibusdam magnis methodis evolutionis technologiae systematum integratorum ad machinas conversionis magnetoelectricae, machinas lucis emittentes, et alia opera evolutionis. Obductio vacui semiconductoris munus magnum habet.
Semiconductores characteristicis intrinsecis, temperatura et concentratione impuritatum distinguuntur. Materiae semiconductorum obductivae vacui inter se distinguuntur praecipue compositis suis constituentibus. Fere omnes in boro, carbone, silicio, germanio, arsenico, antimonio, tellurio, iodo, etc. fundantur, et nonnullae relative paucae in GaP, GaAs, lnSb, etc. Sunt etiam nonnulla semiconductoria oxydica, ut FeO, Fe₂O₃, MnO, Cr₂O₃, Cu₂O, etc.
Evaporatio vacuo, obductio per pulverem catodicum, obductio ionum, aliaque instrumenta obductionem semiconductorum vacuo facere possunt. Haec instrumenta obductionis omnia differunt in principio operationis, sed omnia materiam semiconductorem obducendam in substrato depositam faciunt, et, ut materia substrati fiat, nulla est necessitas, utrum semiconductor sit necne. Praeterea, obductiones cum diversis proprietatibus electricis et opticis, tum per diffusionem impuritatum tum per implantationem ionum in superficie substrati semiconductoris in quodam spatio, praeparari possunt. Stratum tenue resultans etiam ut obductio semiconductoris generaliter tractari potest.
Tegumentum semiconductorum vacuum praesentia indispensabilis est in electronicis, sive ad machinas activas sive passivas pertineat. Cum continuo progressu technologiae tegumenti semiconductorum vacuum, accurata moderatio effectuum pelliculae possibilis facta est.
Recentibus annis, obductiones amorphae et obductiones polycrystallinae celeriter progressum fecerunt in fabricatione instrumentorum photoconductivorum, tuborum effectus campi obductorum, et cellularum solarium altae efficientiae. Praeterea, propter progressionem obductionis semiconductoris vacui et pelliculae tenuis sensorum, quae etiam difficultatem selectionis materiae magnopere minuerunt et processum fabricationis gradatim simplificaverunt, apparatus obductionis semiconductoris vacui praesentia necessaria facta est pro applicationibus semiconductorum. Apparatus late adhibetur ad obductionem semiconductoris instrumentorum camerarum, cellularum solarium, transistorum obductorum, emissionem campi, lucis cathodicae, emissionem electronum, elementorum sensoriorum pelliculae tenuis, et cetera.
Linea depositionis per pulverisationem magnetronicam (vel "magnetron") systemate moderationis automatico omnino instructa est, interfacie hominis-machinae cum tactili velamento commodo et intuitivo. Linea instructa est indice functionum completo ad plenam monitorationem status operationis totius lineae productionis, constitutionem parametrorum processus, tutelam operationis et functiones alarmi efficiendam. Totum systema moderationis electricae est tutum, fidum et stabile. Instructa est scopo magnetronico per pulverisationem bifronte superiore et inferiore vel systemate depositionis unilaterali.
Instrumentum praecipue ad tabulas circuituum ceramicas, condensatores altae tensionis microplagularum, et alia obductiones substrati adhibetur; areae applicationis praecipuae sunt tabulae circuituum electronicorum.
Tempus publicationis: VII Kalendas Decembres, anno MMXXII