Վակուումային կիսահաղորդչային ծածկույթի կիրառման ներկայիս իրավիճակը

Ինչպես բոլորս գիտենք, կիսահաղորդչի սահմանումն այն է, որ այն ունի հաղորդականություն չոր հաղորդիչների և մեկուսիչների միջև, իսկ մետաղի և մեկուսիչի միջև դիմադրություն, որը սենյակային ջերմաստիճանում սովորաբար 1մΩ-սմ ~ 1ԳΩ-սմ միջակայքում է։ Վերջին տարիներին խոշոր կիսահաղորդչային ընկերություններում վակուումային կիսահաղորդչային ծածկույթի կարգավիճակը գնալով բարձրանում է, հատկապես որոշ խոշոր ինտեգրալային համակարգերի սխեմաների մշակման տեխնոլոգիաների հետազոտական ​​մեթոդների, մագնիսաէլեկտրական փոխակերպման սարքերի, լույս արձակող սարքերի և այլ մշակման աշխատանքներում։ Վակուումային կիսահաղորդչային ծածկույթը կարևոր դեր ունի։

Կիսահաղորդիչները բնութագրվում են իրենց ներքին բնութագրերով, ջերմաստիճանով և խառնուրդների կոնցենտրացիայով: Վակուումային կիսահաղորդչային ծածկույթային նյութերը միմյանցից տարբերվում են հիմնականում իրենց բաղադրիչ միացություններով: Մոտավորապես բոլորը հիմնված են բորի, ածխածնի, սիլիցիումի, գերմանիումի, մկնդեղի, անտիմոնի, թելուրի, յոդի և այլնի վրա, իսկ որոշները՝ համեմատաբար քիչ GaP, GaAs, lnSb և այլն: Կան նաև որոշ օքսիդային կիսահաղորդիչներ, ինչպիսիք են FeO, Fe₂O₃, MnO, Cr₂O₃, Cu₂O և այլն:

Վակուումային կիսահաղորդչային ծածկույթը կարող է իրականացվել վակուումային գոլորշիացմամբ, փոշիացմամբ ծածկույթով, իոնային ծածկույթով և այլ սարքավորումներով: Այս ծածկույթային սարքավորումները տարբերվում են իրենց աշխատանքային սկզբունքով, բայց դրանք բոլորը կիսահաղորդչային նյութի ծածկույթային նյութը նստեցնում են հիմքի վրա, և հիմքի նյութից կախված՝ չկա որևէ պահանջ՝ այն կարող է լինել կիսահաղորդիչ, թե ոչ: Բացի այդ, տարբեր էլեկտրական և օպտիկական հատկություններով ծածկույթներ կարող են պատրաստվել ինչպես խառնուրդների դիֆուզիայի, այնպես էլ կիսահաղորդչային հիմքի մակերեսին իոնային իմպլանտացիայի միջոցով՝ որոշակի միջակայքում: Արդյունքում ստացված բարակ շերտը կարող է նաև մշակվել որպես կիսահաղորդչային ծածկույթ ընդհանրապես:

Վակուումային կիսահաղորդչային ծածկույթը անփոխարինելի է էլեկտրոնիկայում՝ անկախ նրանից, թե դա ակտիվ, թե պասիվ սարքերի համար է: Վակուումային կիսահաղորդչային ծածկույթի տեխնոլոգիայի շարունակական զարգացման շնորհիվ հնարավոր է դարձել թաղանթի աշխատանքի ճշգրիտ վերահսկումը:

Վերջին տարիներին ամորֆ և պոլիբյուրեղային ծածկույթները արագ առաջընթաց են գրանցել լուսահաղորդիչ սարքերի, դաշտային էֆեկտի ծածկույթով լամպերի և բարձր արդյունավետության արևային մարտկոցների արտադրության մեջ: Բացի այդ, վակուումային կիսահաղորդչային ծածկույթի և սենսորների բարակ թաղանթի զարգացման շնորհիվ, ինչը նույնպես զգալիորեն նվազեցնում է նյութի ընտրության դժվարությունը և աստիճանաբար պարզեցնում արտադրական գործընթացը: Վակուումային կիսահաղորդչային ծածկույթով սարքավորումները դարձել են անհրաժեշտություն կիսահաղորդչային կիրառությունների համար: Սարքավորումը լայնորեն օգտագործվում է տեսախցիկների սարքերի, արևային մարտկոցների, ծածկույթով տրանզիստորների, դաշտային ճառագայթման, կաթոդային լույսի, էլեկտրոնային ճառագայթման, բարակ թաղանթային զգայուն տարրերի և այլնի կիսահաղորդչային ծածկույթի համար:

Մագնետրոնային փոշիացման ծածկույթի գիծը նախագծված է լիովին ավտոմատ կառավարման համակարգով, հարմար և ինտուիտիվ սենսորային էկրանով մարդ-մեքենա ինտերֆեյսով: Գիծը նախագծված է ամբողջական ֆունկցիոնալ ցանկով՝ ամբողջ արտադրական գծի բաղադրիչների աշխատանքային վիճակի, գործընթացի պարամետրերի կարգավորման, շահագործման պաշտպանության և ահազանգման գործառույթների լիարժեք մոնիթորինգի համար: Ամբողջ էլեկտրական կառավարման համակարգը անվտանգ, հուսալի և կայուն է: Հագեցած է վերին և ստորին երկկողմանի մագնետրոնային փոշիացման թիրախով կամ միակողմանի ծածկույթի համակարգով:

Սարքավորումը հիմնականում կիրառվում է կերամիկական տպատախտակների, չիպային բարձրավոլտ կոնդենսատորների և այլ հիմքային ծածկույթների վրա, հիմնական կիրառման ոլորտները էլեկտրոնային տպատախտակներն են։